[PDF] Top 20 氧化銦錫薄膜與奈米結構兆赫頻段光學特性之研究

... 氧化銦錫薄膜與奈米結構兆赫頻段光學特性之研究 Terahertz spectroscopic studies of ITO thin films and nanostructures 學生：林晏徵 ... See full document

... 氧化銦錫奈米結構兆赫頻段光學特性與電性之研究 Terahertz spectroscopic studies of ITO nanostructures 研 究 生：曾冠儒 Student：Kuan-Ju Tseng ... See full document

... 中文摘要 本論文中，我們主要探討利用金屬有機化學氣相沉積法在不同成長溫度下之 高銦組成氮化銦鎵奈米點的表面形貌、組成變化以及其光學特性研究。 由原子力顯微鏡影像顯示，當氮化銦鎵奈米點成長溫度由550提升至725 o C ... See full document

... 其中電腦工業只是微型化(minizturization)趨勢下的一個例子。“變 小＂一詞在大部分的工業中指的是藉由縮小產品體積來增加其產品及服務 上的能力和價值。舉例來說，生化科技的進展和新興藥品的研發是微型化 以及新穎材料使用的直接證據。雖工具趨往縮小化，且其計算能力、診斷 能力及分析能力卻得到了提昇亦為微型化的特點。隨著微型化的益處使得 生化科技公司及其研究人員能夠以較少的時間、金錢和材料來完成更複雜 ... See full document

... In 奈米球體，進一步在大氣中，於 100°C、140°C、170°C、 200°C、250°C 等五個溫度下進行氧化實驗，並利用非臨場 X 光繞射技術(XRD)， 定量分析其氧化比例隨時間之變化、再藉由氧化速率方程式之探討，發現奈米 In ... See full document

... 1-3 載子動力學量測技術 半導體元件的發光效率除了受發光能帶的躍遷和溫度的相依性影響 外，最重要的是半導體內載子的動態。藉著載子在半導體中隨著時間的變 化，就可了解其發光特性和基本物理性質，進一步改善元件效率。不過載 子在半導體的時間是相當快速的，無法用肉眼觀察，所以需要一套快速儀 器來幫助我們，就是時間解析系統。時間解析系統的發展和雷射脈衝技術 ... See full document

... 宗達學長，實驗的協助與平日的關心。還有學弟妹，宜貞、彥毓、韋文、君豪、哲睿、 昀浦，在我實驗忙碌時，熱心地買便當與幫忙處理瑣事，也謝謝你們的香奈兒禮物與祝 福之花喔。 再來要謝謝朋友與同學：第一大功臣展榕，你無私的傳授模擬觀念，協助我順利完 成物理年會報告。我的美麗室友，維偲、冠潔和維真，你們是我遇過最棒的室友了，讓 ... See full document

... 控制，其作用為使上下兩個物鏡同軸，以達到最好的收光效率，因此 薄膜處的光激螢光光譜我們可以在相同的激發光強密度和相同的聚 焦點大小下量測到。在收光方面我們同樣使用此一 15X 的 UV 物鏡， 其為一個共焦顯微鏡系統，我們亦可將樣品所發出的光激螢光藉由 15X ... See full document

... 4-10-5不同偏壓下之光電轉換效率 在不同正偏壓施加於ITO電極下，經過紫外光開關照射，便可量 測得到TiO 2 奈米管與TiO 2 /AAO奈米管的量子效率曲線圖形，如圖4.62 所示。對ITO/TiO 2 /Si試片而言，ITO/TiO 2 接面和TiO 2 /Si異質接面二個 ... See full document

... VII 幾年給予我在研究上、精神上及生活上的幫助，使得我在研究這條路上並不孤單；感謝 這八年來一起打拼的學弟妹們碧軒、啟仁、士傑、峰毅、聖允、威宇、家和、詠盛，因 為你們的貢獻與參與，我才能順利完成這篇論文。另外我還要感謝這些年來陪伴我同甘 共苦的學弟妹們，包括士凱、書鴻、士興、阿龐、志豪、小周、國榮、峰菖、健家、韋 ... See full document

... 後之結構及光學特性。氧化鋅奈米柱經過後熱處理均可大幅增加光學品質，且在高溫下 氧化鋅奈米柱的晶體結構也有明顯改變。氧化鎂包覆氧化鋅奈米柱後經熱處理後在化學 ... See full document

... 也謝謝盧廷昌教授在論文上的指導，讓我順利完成研究；希望老師們一起齊力將 實驗室帶向另一番榮景。 博士班的亞銜學長帶領我認識儀器的架設和實驗分析的技巧，也在做人處世 上給予寶貴的意見，你一直是我進步的動力；謝謝敏瑛學姊的耐心教導，還有親 切體貼的道鴻學長、芳儀學姊總不吝惜指教，你們豐富了我碩一的生活。謝謝德 ... See full document

... vapor-solid 與 vapor-liquid-solid 成長機制下所形成之氧化銦奈米結構相關 特性的研究，在我的實驗中成功形成了三種奈米結構，分別為氧化氮銦奈米顆 ... See full document

... 我們透過理論模型研究量子侷限效應對奈米晶體電子結構與吸收光譜的影響，因為 半導體奈米晶體的電子結構與吸收光譜對發展成本更低且具有高效率的太陽能電池是 相當大的誘因。在研究中我們以 sp3d5s*第一近鄰緊束縛模型考慮電子自旋計算氫原子 ... See full document

... 感謝張顏暉老師和梁啟德老師在 Group Meeting 時所給予許多寶貴的建議及 指教；感激林麗瓊實驗室的博士後研究員陳瑞山學長在實驗上的所有諮詢以及協 助，更要感謝學長宗德所給予的一切指導及幫助，也要感謝瀚葵不辭辛勞的帶我 去電機系蒸鍍。此外，還要感謝半導體實驗室成員的眾位學長姊凱信、斯平、夏 玉、仲良、志瑋、群雄、志銘、業岳、俊儀、奕任所提供的各種資訊及幫忙，並 ... See full document

... 所沉積出之氧化鋅薄膜。 在 Normal load 中，將探針所受到之正向力( P z )分別控制在 1000、 2500、5000、以及 10000 µN，其時間與應力之相對關係，如圖 4.19 所示，此刮痕形式過程共花了 54 秒，分成七個區段(區段時間與反施 加正向力之關係於 3.2.2 ... See full document

... 2.6.1 快速熱退火 快速熱退火系統，藉由快速升降溫度的方式與過程，能夠將薄膜 材料的表面結構重新組合來減少並改善缺陷問題，以及誘導材料相位 變化的產生，也因為升溫與持溫的時間相對較短，因此可以避免不必 要的擴散現象發生。快速熱退火設備系統可在極短的時間內將溫度提 升至 1000 ℃以上，因此能夠給予摻雜元素適當的活化與晶格修復，並 ... See full document

... 這些低能量電子隨即受帶電的二次電子偵測器所吸引，而進入偵測器中；這樣的 過程每秒數以百萬次計，每一次的記錄即對應到該物品表面上的一個畫素。串級 倍增器會將電子放大，電腦則將之判讀為電流。 另外，移動透鏡下方的背向散射偵測器，可辨認樣品的組成元素。當電子束 通過孔隙並穿透樣品時，電子的路徑會因樣本自身原子核種類的不同而產生程度 不等的偏折，其中一部份會撞及偵測器背面，產生可資識別的訊號。 ... See full document

... 15 3-3. 雜訊量測 實驗的架構，如 (圖 3-6)所見。這是關於 1/f niose 基本的儀器架構，樣品與另外 兩個可變電阻形成電阻橋，我們會在這上面輸入一個交流電，當然也可以使用直流 電，但是目的以及結果並不相同，這部分之後會有說明，圖中的兩個電阻為可變電 阻，他的目的是讓我們可以調整此二電阻的大小，藉此達成𝑟 𝑎 : 𝑟 𝑏 = 𝑟 𝐴 : 𝑟 𝐵 ... See full document

... 祝您昇等順利，也誠摯的祝福您生個健康寶寶。感謝郭老師提供這麼完善的研究 設備環境以及對我實驗進度從不間斷的 take care 和全力 support，讓我們了解一 位碩士生在各方面應該要達到的標準。 再來我最要感謝實驗室的兩位華爺：邱清華及張家華二位學長，若沒有你們 鼎力協助，我還不知能否有今日，每逢在研究上遇到困惑，你們總是能以最有效 ... See full document