Top PDF 發光二極體之螢光材料及其封裝特性分析

發光二極體之螢光材料及其封裝特性分析

發光二極體之螢光材料及其封裝特性分析

摘要 原油價格於 2008 年六月份創下每桶 140 美元歷史新高價位,年 初至今原油價格已飆漲 40%,與去年同一時期相比正好整整漲了一 倍。科學家並預期 2008 年夏天於溫室效應持續急遽惡化下,北冰 層有 50%機率會全部融化流入大海,迫使低海拔城市面臨被淹沒危 機。於此,開新型替代性能源與如何有效節約能源消耗是當今重要 研究課題,但當前替代性能源無法被有效地被利用來取代石油,故 如何節約能源則成為最迫切問題。固態照明,即為一有效解決方 案,如全中國大陸能以 LED 取代目前照明設備,將省下一座三峽 大壩全年電量。本文所探討於此照明革命中扮演著 舉足輕重角色。
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有機發光二極體之芴與螺結雙芴螢光材料

有機發光二極體之芴與螺結雙芴螢光材料

有機芴與螺結雙芴材料 Fluorene and Spirobifluorene Fluorophores for Organic Light-Emitting Diodes 研 究 生:江志隆 Student:Chi-Long Chiang 指導教授:許慶豐 教授 Advisor:Prof. Ching-Fong Shu 陳錦地 博士 Dr. Chin-Ti Chen

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一種增強光源特性的發光二極體的簡式封裝技術

一種增強光源特性的發光二極體的簡式封裝技術

第二章 結構特性與模擬分析 在本章節中,我們以學模擬軟 Lighttools 來對我們的結構 進行模擬與分析。在ㄧ些應用中,如 醫學治療(皮膚治療所使用的光 源)、材料固化和感測或安全監視器,輸出的光源除了需要高的取 出效率,還需要低的散角,所以我們的結構是製造一矽V型槽來 聚,並可藉由調整V型槽的高度或透鏡的搭配,來獲得多種散角 的源。此章分為三小節,分別為點光源、線光源、將我們的線光 源放進背光模組中進行模擬。
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氮化鎵之奈米機械特性與其陰極螢光分析

氮化鎵之奈米機械特性與其陰極螢光分析

與探討,期望未來能以此軸向氮化鎵磊 晶層作為元件化製程。在 電元件的製作過程中,以及碰撞對於 元件所造成的傷害往往會造成元件電轉 換效能的降低,甚至於使得元件失效,因 此 近 年 來 產 學 界 運 用 奈 米 壓 痕 技 術 (Nanoindentaton technology)探討各種不同 的薄膜與奈米材料奈米機械特性,奈米 壓痕技術使用奈米鑽石探針對於薄膜表面 進行微細壓痕測試,藉由系統所計算得到 負 載 - 位 移 曲 線 (load-displacement curve),進一步取得薄膜的機械特性,取代 以往以大範圍破壞所得到機械特性,更 準確得知薄膜機械性質,更為學術界近 年來所重視的物性分析之一。
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聚亞醯胺發光二極體及奈米複合材料之合成與特性研究

聚亞醯胺發光二極體及奈米複合材料之合成與特性研究

顯示良好的熱安定性機械性質。這些聚亞醯胺也均有特性,而且強度 跟分子鏈的排列有密切的關係。進一步將合成聚亞醯胺製作成單層 元件,只有 BAO-ODPA 和 BAO-6FDA 兩種聚亞醯胺觀察到電致性質, BAO-PMDA 和 BAO-BPADA 兩種聚亞醯胺可能因薄膜均勻性太差導致原件短 路。另外,BAO-ODPA 在雙層元件中(ITO/PPV-PVA/PI/Al)也具有
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磷光有機發光二極體:材料及元件的研究

磷光有機發光二極體:材料及元件的研究

來說,磷光電激充分利用了激三重態的能量,可以有效的 提高有機電激元件的外部量子效率,是很有競爭力的材料,有著 廣闊的應用前景。但是磷光有機電激材料仍有不足處,首先是在 室溫下磷光材料較少,材料的選擇範圍比材料小很多;再者,磷光三 重激態生命期較長且磷光染料在高電流密度下由於存在三重態—三重態 驟熄(triplet – triplet annihilation)而使飽和,導致元件的效率下降;最 後,值得注意的是環境氧對三重態的驟熄作用,因為基態氧也是三重態,
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熱製程對氮化銦鎵薄膜及量子井發光二極體光學特性之研究

熱製程對氮化銦鎵薄膜及量子井發光二極體光學特性之研究

(Atomic Force Microscope, AFM) 分析。原子力顯微鏡的置是由 Digital Instruments 公司生產的 MultiMode。實驗中採用輕敲模式 (Tapping Mode) 進行表面形貌分析特性分析是使用置如圖 2.5。實驗進行 300 13K量測,13K低溫量測有助於材料物理現象的分析。進行 13K量測 時,首先將樣品固定於冷凝銅基座上,抽真空至 5×10 -2 torr後開啟 閉降溫系統壓縮機降溫至 13 K。使用的入射光源為波長 325 nm的 氦鎘雷射 (He-Cd laser)。將光源藉由聚焦透鏡入射到樣品,避開反 射,用透鏡收集放射出再聚焦至譜儀內,利用柵 (grating) 分後由電備增管偵測器 (PMT) 偵測,波長範圍由 350 至 1000 nm,由電腦程式收集數據繪製成譜圖。
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高發光效率白光發光二極體

高發光效率白光發光二極體

照明一如傳統燈源無法調變光源顏色,若白 擁有即時性顏色可調的特性,搭配以燈具設計可提升 LED 照明系 統效能使應用範疇更加廣泛。傳統上白能藉由多色晶粒 混轉換兩個方式達成,其中業界廣泛採用轉換 方式製程簡單成本低,但無法產生顏色變化。而使用多色晶粒混 雖具有即時性顏色可調功能,但因各色晶粒的製作材料不同,容 易因熱導致元件老化速度不一造成顏色變化。就成本而言也因材料的 差異也會造成驅動電壓不同,使得驅動電路複雜化增加成本。本計畫結 合傳統兩種方式利用採用類似磊晶材料的氮化銦鎵晶粒配合相同驅動 電壓與多波長激不同種類粉原理,並使用學設計結構達到 雖採用轉換方式卻具有即時性顏色可調功能。
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發光二極體激發之SrSi2N2O2:Yb化合物螢光粉介紹

發光二極體激發之SrSi2N2O2:Yb化合物螢光粉介紹

、固態材料 (2) 目前白製造已趨於成熟,然現 今問題為多項專利握於各 LED 大廠中,展新 型且具高效率粉為各家爭奪目標,粉為 固態無機材料,依可被激波段與放光光色而 應用於各系照明設備與顯示系統中。原理為 接受一能量刺激,造成中心電子躍遷 至激態,並進而以電磁波方式回至基態,此過程 產生。本節將介紹影響特性基本 原理與現象,並說明電子能量轉移過程等特性
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氮化鎵材料發光二極體與面射型雷射之製作與特性研究

氮化鎵材料發光二極體與面射型雷射之製作與特性研究

國立交通大學電工程研究所 摘要 由於氮化鎵基材元件可廣泛的應用於如指示燈、各種照明、儲存等領 域,因此自 1960 年代以來氮化鎵相關材料成為世界上各研的重要研究課 題ㄧ,且在此數十年間氮化鎵材料與元件特性上有屢有重大的現與進展。在 本研究論文中,我們製作氮化鎵(LED)於金屬基板上與包含兩介電質 反射鏡的氮化鎵面射型雷射(VCSEL),並研究分析元件主要特性
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新穎稀土氟硫化物與氟硫氧化物螢光材料之製備、發光特性鑑定與其應用

新穎稀土氟硫化物與氟硫氧化物螢光材料之製備、發光特性鑑定與其應用

摘要 利用藍或近紫外光晶片搭配粉以產生白的方法是目前 白展的主要課題ㄧ。本論文主要以研新型的氧氟 硫化物和氟硫化物系列並研究特性與潛在應用為重 點。本研究利用固態反應於密閉石英管中,以 900 ~ 1000℃分別製備 CeSF:Ln n+ (Ln n+ = Gd 3+ , Y 3+ , Tb 3+ , Mn 2+ )、La 3 OF 3 S 2 :Ce 3+ 氧氟 硫化物與Ce 2 CaF 4 S 2 :Tb 3+ (Ce 1-x Y x ) 2 SrF 4 S 2 兩系列氟硫化物。粉 末X繞射、光光譜和掃瞄式電子顯微鏡被用以探討合成條件、活 化劑摻雜濃度的最佳化,同時亦測量了激光光譜、色度座標 圖、量子效率與熱消光光譜,並進一步評估應用於白LED潛力。
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新穎供真空紫外光激發螢光體製備與發光特性之研究

新穎供真空紫外光激發螢光體製備與發光特性之研究

而能量高於50,000cm -1 研究則相較困難,原因在於設備的缺乏 而造成量測上的困難。近年來,由於同步輻射源的使用技術越來越 成熟,也為稀土離子的高能階躍遷提供了較完善的量測置;西元 2000年,荷蘭的R. T. Wegh 等人利用德國DESY 同步輻射置對稀土 離子VUV 波段的激譜做了更詳細的研究;Wegh 研究團隊選擇 使用高純度的LiYF 4 作為稀土離子摻雜的主,並將 Dieke diagram 擴展到 70,000 cm -1[17] ,如圖2- 1。這些高能的能階圖譜,對於真空紫 外材料譜解析以及能量轉移機制的探討,提供了更明確的研 究前景。
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奈米結構增強之有機電激發光二極體材料及元件研究

奈米結構增強之有機電激發光二極體材料及元件研究

熱穩定分析(TGA、DSC)的結果顯示,相較於基單,星狀材 料熱裂解溫度(T d )上升且玻璃轉移溫度(T g )變得較不明顯。由此可知,以 POSS 為中心核的星狀結構可以改善材料熱性質,使熱穩定性增加, 並降低分子的移動。此外,星狀材料的 UV-PL 電化學性質皆與 基單相似,並不會因引入 POSS 而造成色的偏移,但於不同媒介 下,色穩定度較佳。為了更進一步地了解中心核 POSS 對於材 料 熱 性 質 方 面 的 作 用 , 我 們 分 別 將 基 單 與 星 狀 分 子 進 行 迴 火 (annealing)實驗。結果現,在小分子材料方面,星狀材料 POSS1 ~ POSS3 吸收放射譜皆明顯較 C-1 ~ C-3 穩定。在高分子材料 方面,共合成了兩種系列,分別為 PPV PF,在 PPV 方面,由於色偏 移的機制跟溫度較無關聯,故影響並不大。而在 PF 方面,色的偏移通常 伴隨著 fluorone 的產生,藉由 FT-IR 的鑑定,可現 POSS 的導入,可增進 穩定性。以上實驗結果顯示,星狀分子的結構可以增加材料的成 膜性,且由於引入 POSS 中心核,材料具有良好的熱性質,色的穩定性也 大幅提升。
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以二甲基苯酮建構的雙極性有機發光二極體材料

以二甲基苯酮建構的雙極性有機發光二極體材料

4-2 單晶繞射結構鑑定與討論 做成元件時所製備的材料為固態,所以我們需要知道在固態時材料的堆疊,當然如果 是主客參雜的系統的話,我們則是會希望知道主彼此間和主客間的堆疊關係,進而分析 載子傳遞的路徑,因此我們將材料製成單晶,運用 x-ray 單晶繞射儀來判讀於固態時 的堆疊方式。除了確認分子結構外,化合物的 x-ray 單晶結構解析還可提供分子內的各片 段間夾角,提供分子的物理與電化學相關資訊,以及分子間的相對位置,提供化合物 傳輸導子的有用資訊。下圖 4.10 為 LHH2、LHH3 和 LHH4 經單晶繞射儀所鑑定出來的 結構。
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發光二極體晶粒模組、其封裝方法及其移取治具

發光二極體晶粒模組、其封裝方法及其移取治具

8. 如申請專利範圍第 7 項所述晶粒模組的方法,其中每一晶 粒模組包括由對應的該支撐基層之一預定區塊所構成的一杯座,以及位於該杯座 中,一預定數目的該些晶粒。 9. 如申請專利範圍第 1 項所述晶粒模組的方法,其中該定義成型步驟包 括:在固化的該第一犧牲層上,以該第二犧牲層定義該模組圖像,形成多個獨立且裸露 區域;以及依序以該第一材料與該第二材料分別在該些獨立且裸露區域上形成一反射鏡 和一基底,其中該些反射鏡與該些基底共同形成該支撐基層。
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黃光螢光材料及其製備方法

黃光螢光材料及其製備方法

1. 一種材料,包括:摻雜銦硫化鋅,其中,該材料係為一黃材料,其 中,銦摻雜於硫化鋅比例為 ZnS:In=(98at%-99.9at%):(0.1at%-2at%),且該材料 係為六方晶纖鋅礦單晶。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述材料,其中,銦摻雜於硫化鋅比例為 ZnS:In=(99.1at

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AlGaInP發光二極體特性之提升

AlGaInP發光二極體特性之提升

、 文獻回顧與理論背景研究 2.1 晶圓接合技術 晶圓接合技術是將兩片晶圓互相接合,再進一步使表面原子反 應,產生鍵結,讓兩片平面彼此間的鍵結能達到一定強度,而使這兩 片晶圓純由原子鍵結成為一。這種特性能使接合介面表保持絕對純 淨,避免無預期化學黏接物雜資污染,以符合現代微電子材料、 電材料奈米材料等級微機電嚴格製做要求。這種技術可以接合不同 晶格、不同種類單晶或多晶材料。這項複合材料具有不同的物理 性質(如熱傳導度、機械強度) 、化學性質(如活化能) 、電子性質(如 原子能帶)等,以製造具備特殊物理或化學特性先進高性能電材 料,例如垂直腔式面射型雷射(VCSEL)電材料,或耐高溫 電子材料,如絕緣層矽晶圓(SOI),或將矽和Ⅲ-Ⅴ半導的整合在 一起,電積電路(optoelectronic integration circuits)
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高色純度螢光三波段白光有機發光二極體之研究

高色純度螢光三波段白光有機發光二極體之研究

Study toward the Fabrication of High-Purity p-i-n White Organic Light-Emitting Diodes based on Fluorescent RGB System. 研 究 生:陳超榮 Student:Chao-Jung Chen 指導教授:陳金鑫 博士 Advis[r]

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AlGaInP與GaN發光二極體之特性提升

AlGaInP與GaN發光二極體之特性提升

首先,感謝指導教授吳耀銓老師在這兩年期間的指導與鼓勵, 因老師您開明的風格讓我能盡情的揮與思考,雖然研究中犯了不 少錯誤,但也因此獲得更多相關知識與不放棄的精神。接著,感謝 本校材料系潘扶民老師、陳智老師、電子系林鴻志老師與晶元電 副總謝明勳博士於百忙中抽空指導與指正本論文,讓此論文更加完 備。還要感謝晶元電的相關人員:謝明勳副總、彭韋智學長(副 理)、世欽、怡名、曉蕙、家豪於實驗上的幫忙與協助。
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二極發光體有機材料的研究

二極發光體有機材料的研究

以 ITO/PEDOT/EML/TPBI/Mg:Ag 為 元 件 結 構,製作以 PF-DPAS 與 PF-TPA-OXD 在不同 比 例 摻 混 所 做 的 元 件 , 結 果 現 相 較 於 PF-TPA-OXD 的 單 一 元 件 表 現 有 明 顯 的 提 升,我們歸咎於此提升的原因是因為色紅 位移與量子效率提升所導致。另外,在比例 1:20 的情況下 EL 譜上表現出了 DPAS 穩 定的學性質且不受電壓的操作而有所改 變,放射的最高峰在 461 nm 且 CIE 座 落為 (0.15, 0.18)。當電壓在 9 V (86.1 mA/cm 2 ) 得 到 最 大 的 外 部 量 子 效 率 2.08%
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