[PDF] Top 20 多晶矽薄膜電晶體與奈米線場效電晶體氣體感測器特性比較之研究
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多晶矽薄膜電晶體與奈米線場效電晶體氣體感測器特性比較之研究
... 國立交通大學電子研究所．．．．．．．．．．．．．．．．．．2007.09~2009.06 ... See full document
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多晶矽奈米線薄膜電晶體之研製與應用於酸鹼感測器之研究
... 另外，我們也比較了奈米線與一般的平面場效電晶體電特性上的差異，以及 感測的敏感度表現。我們發現，相較於傳統電晶體的次臨界擺幅(1333 ... See full document
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環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體之特性
... 研究發現可以從另一個維度的開發，以改善平面電晶體的微縮瓶頸，之後發展出了三維 結構電晶體，藉由增加閘極對通道的控制面積，使得漏電得以控制，抑止短通道效應， 也為下一個世代的半導體產業找到新的方向。 ... See full document
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具抬升式多晶矽奈米線穿隧式薄膜電晶體之研究
... 另外特別感謝陳昱璇學姊、張添舜學長和嚴立丞學長能陪我做重訓，培養堅強的體格和充 沛的體力，而且越多人一起做比較才不會有怠惰的心，讓我這兩年不僅有優良的學業成績 也有更強壯的體格。 再來要感謝的是去年畢業的學長姊陳儀儒、張芳瑜、楊卓俐、解偉斌和王貽泓，還有 ... See full document
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非對稱金氧半場效電晶體及無接面多晶矽薄膜電晶體的研究
... 倍次臨界漏 電及改善短通道效應，但同時造成嚴重的逆短通道效應與犧牲 25%電流驅動力。 為了改善這項缺失，我們提出非對稱暈邊結構製程以解決上述的矛盾。相較於對 稱暈邊結構，非對稱暈邊結構貢獻了 ...伏特的臨界 電壓偏移。此外，我們也藉由探討熱載子測試前後的閃爍雜訊特性來評估暈邊掺 ... See full document
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具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 摘要 在本篇碩士論文中，我們利用簡易的邊襯蝕刻技術製作出一種具有多閘極結 構的多晶矽奈米線薄膜電晶體。藉由小體積的奈米線通道對外在電壓敏感度高的 特性，還有倒 T ... See full document
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奈米金氣體感測材料之線性溶合能量關係模型與類場效電晶體測試之研究
... CR 感測靈敏度中皆最差，推測原因為 Au-TBT 碳鏈部分是 t-butyl，碳鏈短，所 以吸附效果差，也使得奈米金粒子間距離較難改變，所以在 CR 感測靈敏度上最差；QCM 中 Au-10C ... See full document
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具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 多晶矽薄膜電晶體在過去已經廣泛地被使用在顯示面板上。為了未來更進一 步系統面板的整合應用，在資料儲存、訊號處理以及可攜帶式系統的減少功率方 ... See full document
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環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體於非揮發性記憶體研究
... 本研究實際做出環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體，並與三閘極結構與傳統平面 式結構的薄膜電晶體比較。由實驗結果顯示，由於環繞式閘極結構其閘極包覆通道面積 ... See full document
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非晶矽薄膜電晶體作為光感測元件及電路之研究
... 1.本計畫採用之研究方法與原因。 研究方法與原因： 為了達到非晶矽薄膜電晶體的 Sensing System on Panel 的未來展望，在本計畫中規劃以二年 ... See full document
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高性能低溫多晶矽薄膜電晶體之製程技術與特性研究
... 在局部微小區域產生兩種厚度不同的非晶矽薄膜，當準分子雷射照射在此一結構上，使 較薄的區域完全熔融時，而間隙壁較厚的區域部分熔解，晶粒便會以這些非晶矽間隙壁 為結晶起始點，做橫向成長，再藉由適當的安排間隙壁與元件通道的相關位置，我們將 ... See full document
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多晶鍺奈米線薄膜電晶體與無接面多晶矽奈米線場效電晶體製作與特性分析
... 謝謝你的關心與照顧，每天的生活都很充實。感謝林哲民學長，暑假陪我做了一 批五味雜陳的貨，也謝謝你在我論文上給我點子與觀念，幫助我畢業。感謝郭嘉 豪學長，感謝李克慧學姊，你們都很有博士班學長姊的風範，謝謝你們。 還要感謝同屆的同學，謝謝許家維、羅正瑋、林庭輔、陳冠宇、簡敏峰、張 ... See full document
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具有奈米線通道的多晶矽薄膜電晶體之特性改善
... 電子工程學系 電子研究所 摘 要 在本論文中，我們研製一種新型奈米線薄膜電晶體，並使用兩種方法來 降低在該新型奈米線薄膜電晶體的漏電流。第一種方法是在頂部的閘極 ... See full document
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低溫多晶矽技術對多晶矽奈米線薄膜電晶體通道結晶特性影響之研究
... 誌 謝 碩士班兩年的求學過程中，由衷感謝林鴻志教授與黃調元教授的指 導，培養了我做研究應有的正確態度與追求知識的執著。每天進進出出 NDL做實驗的日子令我難忘，感謝蘇俊榮、盧景森、張凱翔、徐行徽、蔡 子儀、林哲民等學長的提攜，帶領我完成實驗，也鉅細靡遺的與我分享你 們豐富的經驗；謝謝好同學們，陳威臣、劉大偉、洪政雄、洪文強、李冠 ... See full document
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矽奈米線場效電晶體偵測活體細胞研究
... 擊已逐漸對人們造成身體上的傷害，如癌症與眾多慢性病的產生，所以對於疾病的檢 測必須要做的更精良、更靈敏[1]。生物分子感測是生物醫學研究與應用的基礎，如 果可以準確的量測與分析標示人體內重要的生物分子，我們就可以明確地判斷一個人 ... See full document
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非對稱Ω式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體之特性
... 完成實驗。 感謝實驗室的學長、同學與學弟妹，振嘉、柏鈞、皓恆、建穎，東育、 振翔、珊聿、明莉、子瑄、新怡、俊良、承樺、于聖。這些日子以來，很 開心認識你們，不論是在實驗室或是在日常生活中，有你們在的地方就有 歡笑，在生活上遇到挫折也不時地給我鼓舞和建議，並在閒暇之餘給我歡 樂，讓忙碌的生活增添了許多活力和色彩，更有原動力可以完成實驗。雖 ... See full document
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低溫多晶矽薄膜電晶體元件特性應用於光感測器之研究
... vi 誌謝 執筆至此，求學之路即將抵達一個終站，回顧求學歷程的點滴，心中真的是 百感交集。在交大博士班修業的這些年裡，首先我想感謝我的指導教授戴亞翔博 士。由於老師的用心指導與耐心協助，讓我受益良多並且不斷成長，在研究路上 因而走得更平穩踏實，進而順利完成論文。除此之外，也感謝老師在生活上的貼 ... See full document
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碳摻雜製程與高性能多晶矽奈米線薄膜電晶體之研究
... 能解決極薄的全矽化鎳源汲極區域發生的結塊現象。我們也探討短通道效應、窄 線寬效應及氨氣電漿處理對於元件直流特性之影響。當進一步採用高介電常數二 ... See full document
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矽奈米線場效電晶體之研究
... Id-Vd 電性量測時，我們也藉由調變閘極偏壓，進一步研究閘 極偏壓對其元件電性造成之影響。結果指出當閘極負偏壓越大時，元 件有趨於越早被驅動之趨勢；反之，當閘極正偏壓越大時，元件有趨 於越晚被驅動之趨勢。由此關係趨勢可判斷出本元件呈現出半導體 p-type ... See full document
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多重奈米通道複晶矽薄膜電晶體之製造與特性研究
... 多重奈米通道複晶矽薄膜電晶體之製造與特性研 究 Fabrication and Characterization of Polysilicon Thin Film Transistors with Multiple Nano-wire Channels.[r] ... See full document
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