[PDF] Top 20 氮化鎵面射型發光元件之研究
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氮化鎵面射型發光元件之研究
... P 型電極採用 N 型電極且減少元件串聯電阻值，然 而採用此結構會使得元件的起始電壓增加約 1 V 左右，以供電子克 服穿透能障。 ...基板 面出光，以這樣的結構當然需要對 Sapphire 基板做刨亮的動作，如 此便可以在現有的技術之上再提升共振腔的 Q 值。至於元件 P 型氮 ... See full document
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氮化鎵面射型發光元件的製造與光學特性
... 製程上的複雜度與成本。第三點為元件的測試方面，往往要到晶圓切割好且元件 鍍完反射鏡後，才能做元件的測試，無法直接在晶圓上做元件測試。 垂直共振腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser-VCSEL) 與結 構是垂直於晶圓表面的，1977 年由日本的 K.Iga 教授 2 所提出，其元件擁有 ... See full document
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奈米製程技術在氮化鎵相關發光元件之研究
... 摘 要 本論文旨在於探討氮化鎵族奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四 個部分，第一部份為研究氮化鎵銦表面奈米粗化發光二極體之光輸出特性，其包含了元件的製作、 ... See full document
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次世代高效率氮化鎵發光二極體之奈米製程與元件特性之研究
... 本論文主要在於開發製作氮化鎵奈米結構並應用奈米結構於氮化鎵發光二極體元 件上，同時研究奈米發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四個部 ... See full document
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利用有機金屬氣相沈積法成長氮化鎵量子侷限發光元件之研究
... 這些年來跟著實驗室一起成長，感謝實驗室學長姐和學弟妹的幫忙與討論，也感謝 郭浩中老師的指導，提升了我的研究的廣度;盧廷昌學長在成果發表的幫助，不厭其煩 的幫我修改論文，特此感謝。研究過程中，要感謝佳鋒學長的提攜與機台的教導，讓我 能夠順利進入氮化鎵長晶的研究領域;哲偉能夠在微共振腔元件草創時期勇敢扛下製成 ... See full document
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氮化鎵面射型雷射及微共振腔元件之研究
... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document
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低維度氮化鎵族發光元件之研究
... Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國九十四年六月 研 究 生：薛道鴻 指導教授：王興宗 博士 郭浩中 博士 Mr. Tao-Hung Hsueh Dr[r] ... See full document
2
氮化鎵奈微米共振腔發光元件研究
... p 型氮化鎵上做絕緣層的 方法，以期達到更加的電流侷限效果以及側向的光學侷限。更設計了環型的透明 導電層取代原先的圓型透明導電層，希望能減少共振腔內部的損耗。接著，由於 考慮到了藍寶石基板本身的電導率和熱傳導率不佳，以及氮化鎵-氮化鋁布拉格 ... See full document
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氮化鎵光致氧化膜MOS元件之研究
... 推廣及運用的價值： 藍光氮化物元件的研發，自從日本 Nichia 公司於 1995 年成功量產高亮度的 藍綠光 LED，與 2000 年量產紫光雷射後，已造成光電半導體業界的另一項革新。 實際上，氮化鎵元件比起三十年前砷化鎵元件出道時所備受的禮遇與重視，簡直 ... See full document
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非極性氮化鎵量子井結構與發光二極體元件特性研究
... 在室溫PL實驗中，顯示了非極性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的內建電場並 不影響其位能，且其發光強度隨著量子井厚度由3奈米增加到12奈米而減弱。除 此之外，變溫PL實驗顯示了一個較明顯的載子侷限效應(localization effect) 存 在 於 量 子 井 較 厚 的 樣 品 中 。 成 長 非 極 性 結 構 的 另 一 優 勢 在 於 極 化 ... See full document
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氮化鎵族面射型垂直共振腔發光元件之開發
... (二) 研究目的 本計畫預計完成之工作為建立最佳的磊晶條件及製作高反射率的短波長 DBR 結 構、建立元件製作技術以及氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件製作及元件特性量測技 ... See full document
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具氮化鎵與氮化鋁布拉格反射鏡之氮化鎵面射型雷射之研究
... 國立交通大學光電工程研究所 摘要 過去幾十年來，由於氮化鎵材料具有直接能隙與强鍵結力等優點，因此吸引許 多學界與業界的目光並且廣泛的製作成各種光電元件，如發光二極體、雷射二極體 與光偵測器等，並且應用於日常生活中的照明、光儲存、平面顯示及生物科技中。 ... See full document
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氮化鎵材料發光二極體與面射型雷射之製作與特性研究
... 國立交通大學光電工程研究所 摘要 由於氮化鎵基材發光元件可廣泛的應用於如指示燈、各種照明、光儲存等領 域，因此自 1960 年代以來氮化鎵相關材料成為世界上各研發團體的重要研究課 ... See full document
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氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性之研究
... 摘 要 本篇論文研究探討氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性及回饋式理論。根據 理論，在光子晶體周期結構中雷射出射必須滿足布拉格繞射條件。因此，考慮光 致發光光譜中心波長 425 奈米，而設計光子晶體元件之晶格常數範圍 190 到 ... See full document
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具有局部缺陷氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性之研究
... 國立交通大學 光電工程研究所 摘 要 本篇論文研究具有局部缺陷氮化鎵二維光子晶體面射型雷射光學特性以及 局部缺陷對雷射共振造成的影響。根據理論，在光子晶體周期結構中，雷射出射 ... See full document
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氮化鎵面射型雷射與極激子在多模氮化鎵微共振腔內色散的光學特性研究
... 國立交通大學光電工程研究所 摘要 由於,以氮化鎵所混合而成的半導體基材具有從0.7到6.2電子伏特的寬廣能隙和 其直接能隙的特性，使其發光波長範圍能從紅外光到紫外光並且發光效率也比較 高。因其以上特性，使得氮化鎵基材發光元件可廣泛應用，故其成為世界上各研發 ... See full document
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氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之電流侷限研究
... 雷射行為也從自激發發光輻射轉變為受激發發光輻射。自激發光耦合因子及雷 射發散角分別為 5*10 -3 及 8 度左右。 為了更進一步能夠降低閥值電流並將注入電流作有效利用，我們使用了相較於 ... See full document
86
氮化鎵二維光子晶體面射型雷射之雷射行為研究
... 本篇論文旨在探討不同的光子晶體週期造成不同特性的氮化鎵二維光子晶體面 射型雷射。根據光子晶體週期性結構的布拉格理論，光子晶體的雷射出射必須滿 足特定的布拉格繞射條件。因此我們利用平面波展開法模擬 TE 能帶圖設計光子 晶體元件之晶格常數範圍從 190 到 230 ... See full document
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氮化鎵二維面射型光子晶體分散回饋式雷射之研究
... 本論文主要是探討氮化鎵二維面射型光子晶體分散回饋式雷射之製做與研究。在模 擬方面，我們是利用平面波展開法來計算元件的光能帶圖。在製作方面，我們利用電子 束微影技術，製作了不同晶格常數的元件(晶格常數從 190 到 300 奈米)。在量測方面， ... See full document
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不同氧化銦錫結構應用於氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之研究
... 本篇論文是在電機發混合式氮化鎵垂直共振腔雷射結構中，以30奈米厚度取代 舊有一光學波長厚度的氧化銦錫層並探討其光性與電性的改善。首先，我們使用 模擬軟體模擬不同厚度的氧化銦錫層對共振腔Q值的影響，由模擬的結果可知在 沒有氧化銦錫層和有210奈米的氧化銦錫層的共振腔中Q值分別為3300及700；若 ... See full document
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