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[PDF] Top 20 雷射共振腔V型模態偏振特性之研究

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雷射共振腔V型模態偏振特性之研究

雷射共振腔V型模態偏振特性之研究

... 簡併共振時,橫向會落在幾何光束 V mode 軌跡之上。在實驗結果中發現 可以產生 V mode 的長範圍並非一個連續的區間而是有兩個特殊的簡併共振 ... See full document

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西格馬型環型共振腔半導體雷射輸出特性之研究

西格馬型環型共振腔半導體雷射輸出特性之研究

... 到製程參數的影響而造成環形兩端輸出光特性的不穩定,因此本論文主要針對環 共振結構上的改良得到穩定的輸出,實驗中利用一西格馬波導將環共振之 一方向光能量引導到另一方向,選擇性地達到環形輸出端的控制,實驗中使用光度 ... See full document

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深蝕刻分布式布拉格反射鏡之微共振腔邊射型雷射之研究

深蝕刻分布式布拉格反射鏡之微共振腔邊射型雷射之研究

... LIV 特性中觀察出臨界電流的 L110 以及 L90 元件以外,我們對其餘元件做變溫 LIV 量測,量測溫度範圍由 10℃到 40℃,以 5℃為間距,各元件變溫特性如圖 ...DBR 元件的特徵溫度都介於 80-100 K 間,L150 元件的臨界電流與溫度關係並非 直線,而是緩慢變化的曲線,隨著溫度的升高,L150 元件的特徵溫度約由 50K 漸漸縮減至 ... See full document

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垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(I)

垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(I)

... 本計劃主要目的是研究垂直共振(VCSEL)所形成圖案。第 一年工作主要是 VCSEL 製作及光學量測系統建立,特別是低溫 光學量測系統,以下就針對第一年已完成工作做一簡單報告說 明。 ... See full document

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垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(II)

垂直共振腔雷射橫模之光學圖案形成研究(II)

... 極為接近,而有些則顯示了古典軌跡圖案,我們將方形彈子球檯 四個頂角圓滑化後計算其高階本徵函數,證實圓滑方形結構對 稱性已被破壞,促成 x,y 波函數混成,形成複雜圖案,其中有部 份顯示出古典軌跡,與實驗極為吻合,此部份結果已發表於 ... See full document

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多次再入射之雙鏡式環形共振腔雷射的研究

多次再入射之雙鏡式環形共振腔雷射的研究

... 中文摘要 由於半導體幫浦的固同時具有半導體體積小、輕巧的特 性和固高峰值功率以及高品質的輸出優點,近年來此種 廣泛地應用於電子、通信和醫療各業。本研究的目的是研發出一兼具小 ... See full document

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半導體環形雷射二極體共軛光共振腔輸出特性研究

半導體環形雷射二極體共軛光共振腔輸出特性研究

... 年,貝爾實驗室為其設計的光學 放大器提出了專利申請。同時在哥倫比亞大學的研究生 Gordon Gould 也正在 研究激發鉈元素的能階理論。當 Gordon Gould 和 Charles Hard Townes 相遇的 時候,談論了有關受激輻的主題。後再 1957 年的 11 月,Gordon Gould 紀錄 了有關 LASER ... See full document

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半導體環形雷射二極體共軛光共振腔輸出特性研究

半導體環形雷射二極體共軛光共振腔輸出特性研究

... 年,貝爾實驗室為其設計的光學 放大器提出了專利申請。同時在哥倫比亞大學的研究生 Gordon Gould 也正在 研究激發鉈元素的能階理論。當 Gordon Gould 和 Charles Hard Townes 相遇的 時候,談論了有關受激輻的主題。後再 1957 年的 11 月,Gordon Gould 紀錄 了有關 LASER ... See full document

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環型半導體雷射混成共振及其輸出特性研究

環型半導體雷射混成共振及其輸出特性研究

... 這一年是一個在物理學界偉大的一年與變革的一年,就在那一年普朗克(Planck) 為了克服體輻的困難,第一個提出了原子子及能量不連續的概念。愛因斯 坦在 1930 年首先描述了原子的受激輻。在此後人們很長時間都在猜測,這 個現象可否被用來加強光場,因為前提是介質必須存在著居量反轉的狀。人們 ... See full document

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具混合式反射鏡共振腔面射型雷射之研究

具混合式反射鏡共振腔面射型雷射之研究

... 敏瑛、文登、瑞溢、潤琪、昀恬、意偵、皇伸、柏傑等學弟妹,也很感謝你們參 與了我求學路,陪我做實驗、討論、去阿里山、去充電旅、車上熱烈八卦、吃 吃喝喝、慶生、酒醉等說也說不盡的趣事,我的博士生活靠你們把它填上了色彩; 然而,我最感謝的人應該是小朱,我們一同出國、一同擔事、一同出遊、一同為 雷努力,我們一同約定一起讀博士一起努力,我最希望與你一同畢業,雖然陰 錯陽差遇上了 ... See full document

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在簡併雷射共振腔中產生Herriott-type模態之研究

在簡併雷射共振腔中產生Herriott-type模態之研究

... 感謝指導教授陸亭樺老師,早在大學時期,實驗物理課程的光學實驗操作就 被老師親自指導過,並且不吝嗇地給予我許多稱讚,加上經歷了老師的光電工程 導論課程,更是讓我對光學這個領域改觀,從原本的應付式學習,到產生興趣並 主動了解其中物理,這都要感謝老師細心的指導與啟蒙,這也是使得我在考上研 究所時,優先考慮研究光學領域的主要原因。謝謝老師在我過去兩年就讀研究 ... See full document

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氮化鎵面射型雷射及微共振腔元件之研究

氮化鎵面射型雷射及微共振腔元件之研究

... A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Require[r] ... See full document

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利用雷射剝離技術製作光激發氮化鎵族垂直共振腔面射型雷射之特性研究

利用雷射剝離技術製作光激發氮化鎵族垂直共振腔面射型雷射之特性研究

... 在求學的過程中,感謝姚忻宏學長、朱榮堂學長和高志強學長,在實驗上的 教導及提供寶貴的意見。其中,特別感謝朱榮堂學長這二年的細心指導。另外, 若沒有朱甫博士和蔡睿彥學長在製程上的協助,以及張亞銜學長在光學量測上 的指導,實驗是無法完成,在此謝謝學長們的幫忙。還有感謝實驗室的所有學長 姊們,如學長道鴻、泓文、詒安、學姊芳儀等等,當我有實驗上的困難時,給予 適當的建議。碩二的同學,裕鈞、永昌、薏婷、敏瑛、瑞溢、國峰、傳煜等,使 ... See full document

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氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之電流侷限研究

氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之電流侷限研究

... 行為也從自激發發光輻轉變為受激發發光輻。自激發光耦合因子及 發散角分別為 5*10 -3 及 8 度左右。 為了更進一步能夠降低閥值電流並將注入電流作有效利用,我們使用了相較於 氮化鎵高能隙的氮化鋁(6.2eV)成長在量子井上方,如此的設計可以使電流完全注 ... See full document

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氮化鎵面射型雷射與極激子在多模氮化鎵微共振腔內色散的光學特性研究

氮化鎵面射型雷射與極激子在多模氮化鎵微共振腔內色散的光學特性研究

... 還要感謝當初在我剛進實驗室,就開始帶領我學習儀器和有關研究方面的基本觀 念的小朱學長,雖然我升碩二時,學長就畢業了,但其還會時常關心我的進度,甚 至有問題時,學長還會說明給我聽;也要感謝明華學長帶領我架設量測系統並教導 我如何從零到完整的系統出來,一個多月以來,每天架到凌晨三點的辛勞,令人難 以忘懷;還有俊榮學長在我研究上的幫助,學長時常幫助我分析數據、檢查每次咪 ... See full document

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雙球面鏡之多次再入射環型共振腔雷射之研究及應用

雙球面鏡之多次再入射環型共振腔雷射之研究及應用

... 我真的非常感謝黃老師。 在中山六年要謝謝的人非常多,光電所的鄭木海、陳永光及朱安國教 授,碩士班時的學長、同學,博士班後的學弟妹們;不只是研究方面的, 更重要的是我可以從不同的人身上試著以他們的角度看事情,學會體諒與 包容。蘇景弘同學在程式上幫了我許多忙,康志聰、莊泰斌及葉靜宜小姐 也都對我非常照顧;鄭慧如博士不僅在研究上多次啟發我,在生活哲學上 ... See full document

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不同氧化銦錫結構應用於氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之研究

不同氧化銦錫結構應用於氮化鎵垂直共振腔面射型雷射之研究

... 誌謝 歲月如梭,很快地碩班的兩年就這樣過去了。想當初在大學時由於修了郭 老師的課,才開始對光電顯示的領域產生了興趣,也因此後來才會選擇申請顯示 所並有幸加入半導體雷實驗室這個大家庭。實驗室的三位老師,王老師雖然跟 我們碩士班的學生接觸較少,不過王老師對於學術的熱忱與活力以及待人的赤子 之心,都相當的值得我們這些晚輩去效法。而郭老師除了是介紹我進入實驗室的 ... See full document

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研究在大面積氧化侷限型之面射型雷射之橫向模態

研究在大面積氧化侷限型之面射型雷射之橫向模態

... 我們量測了孔徑尺寸為 20 µm 的氧化侷限的 橫 向 。 量測項目則有橫向的近場、遠場分佈圖。由於 磊晶片的品質十分優良,使我們可以在連續波(CW)的狀下, 當注入電流由臨界電流(threshold ... See full document

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面射型雷射高頻特性之研究

面射型雷射高頻特性之研究

... 電容。我們使用離子佈植(H + )方法成功阻斷了元件的特性電容使小信號頻寬由 2.3 GHz增 加到 9 GHz,其 10 Gb/s的眼圖也大幅改善,可通過 802.3ae所規範的遮罩。為了精確得知 元件在離子佈植前後的電容與阻抗,我們建立了面的等效電路,使用Agilent ADS 軟體從元件量測到的阻抗係數(S11)抽取元件的接面電容,結果證明離子佈植技術能有效 ... See full document

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光子晶體面射型雷射特性之研究

光子晶體面射型雷射特性之研究

... 本論文主旨在研究高輸出功率的單一光子晶體面。因面 具有圓形輸出光束、低製作成本、單一縱操作、以及整合二維陣列的潛在特性, 因此在光纖通信及中、短距離數據通信上,成為極具潛力的發光源,另外亦可應用 ... See full document

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