[PDF] Top 20 非結晶碳於複晶矽雷射再結晶之應用
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非結晶碳於複晶矽雷射再結晶之應用
... 摘要 複晶矽薄膜電晶體的效能受到元件通道中的晶粒邊界（Grain Boundaries, GBs）劇烈影響，這些晶粒邊界會降低載子遷移率並增加元件關閉狀態下的漏電 流。為了降低以上的效應，我們利用外加的熱儲存層（H-REC），來加大雷射退 ... See full document
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應用雷射、電子束再結晶非晶矽太陽能電池薄膜之研究
... 為多晶矽薄膜。藉由改變準分子雷射的能量密度與雷射發數，分析這兩個實驗參數對多晶 矽薄膜的影響，以及確定多晶矽薄膜剖面爆炸結晶與超級側向生長的機制，最後再討論實 ... See full document
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應用於系統面板之連續波雷射結晶多晶矽薄膜電晶體之研究
... 粒，將明顯地降低多晶矽薄膜電晶體的效能，而在雷射光束中間區域所成長的 晶粒其機制是全熔融之液相沿著縱向固化的超大晶粒之成長方式。其次，我們 也提出多次掃描的方式達成大面積縱向結晶成長，實驗結果顯示晶粒大小可達 數十微米、表面粗糙度介於 ... See full document
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鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體
... 一般的研究目標以如何在低溫中加快結晶速率、改善結晶品質及增大晶粒尺寸與 減少第三類過渡金屬原子(如鎳、鉬、鐵、銅等)污染來降低漏電流的目標進行， 而漏電流的產生經常是過渡金屬原子在矽材料中都是屬於快速擴散源容易造成 金屬原子殘留而產生減損元件特性，發生機率最高會在 TFT 結構的絕緣層中金屬 ... See full document
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非晶/結晶矽量子點埋入式氧化鋅薄膜之開發與於光伏元件應用
... 國立交通大學光電工程學系碩士班 摘要 近年來，由於矽量子點薄膜具有可大範圍調控能隙與獨特的光學特性，故已 被廣泛研究並應用於多種熱門光電元件，其中於光伏元件之應用亦被視為相當具 有潛力的研究之一，因其將可解決目前全矽基組成太陽能電池於短波長波段具有 ... See full document
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壓應力對鎳片在非晶矽薄膜誘發側向結晶之影響
... 分析。A至F試片之計算結果如表4-4所示。 4.4.2 Etching pits比較 Etching pits主要產生於兩側向成長之交界區。NiSi 2 側向成長 主要是利用NiSi 2 /a-Si與NiSi 2 /c-Si兩種介面之自由能不同，因為自 由能差而側向成長。但是當碰到另外一邊側向成長過來之NiSi 2 ，則 ... See full document
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金屬誘發側向結晶複晶矽P型多晶矽薄膜電晶體的元件特性及熱載子效應研究
... 型金屬誘發側向結 晶複晶矽薄膜電晶體(MILC-TFT)的通道結晶品質、以及可靠度問題。藉由量測 此獨特電晶體的基本電性，我們便可以了解通道中特定位置的結晶品質對電性的 直接關聯。藉由此結構，我們能夠很容易地分析元件的對稱(SSW)、非對稱引洞 ... See full document
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以鋁誘導非晶矽低溫結晶及側向結晶之研究
... 所分配到的驅動時間將被縮短，造成顯示對比的降低甚至造成殘影的 現象。 為改善此一問題，可利用主動矩陣的驅動方式。主動矩陣驅動是 運用薄膜電晶體( TFT , Thin film transistor )來控制每個像素的 開關動作，且可將外加的電壓儲存直到下一個訊號輸入。在主動矩陣 驅動的液晶顯示器中，每一個 X 軸掃描線跟 Y 軸資料線的交點上都設 有一個薄膜電晶體，如圖 ... See full document
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複晶矽之藍光飛秒雷射退火
... nm)藉由掃描的方式對 非晶矽進行藍光飛秒雷射退火結晶。由於超短脈衝雷射導致材料的非 線性吸收效應在材料表面產生緻密的電漿，使得非晶矽發生非線性熔 ... See full document
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低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究
... 的電特性改善，這是因為我們使用的結晶成核機制不同於傳統，使得結晶顆粒變 大且缺陷變少，因此我們得到一個高品質的通道層而這種新式結構非常適合應用 在未來高性能大面積元件製程中。 最後，我們研究利用間隙壁(spacer)技術來做 複 晶矽薄膜電晶體的奈米線通 ... See full document
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鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究
... 發非晶矽薄膜側向結晶與準分子雷射退火來製作高效能低溫複晶矽薄膜電 晶體。此外，為了解決對於鎳金屬誘發複晶矽薄膜來說，非常重要的鎳金 ... See full document
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氧對鎳誘導非晶矽結晶的影響
... 致謝 時光荏苒，又到了鳳凰花開的時節。記得在甄試過後，吳耀銓教授便對我說： 從現在開始你的身份是研究生，已經跟大學生不同了，要認真做研究。希望這幾 年來沒有讓老師失望。這些日子以來，老師不僅擴展了我知識上的視野，更讓我 瞭解到成為一個研究人員在專業領域上的熱情和應該要有的態度。這篇論文的完 成，最感謝老師的身教以及言教。 ... See full document
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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之多閘極複晶矽薄膜電晶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來，低溫複晶矽薄膜電晶體成為顯示技術應用中的關鍵元件，由於其高 載子遷移率的特性可以應用在系統面板（System on Panel, SOP）上。雖然透過 ... See full document
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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之雙閘極複晶矽薄膜電晶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來，複晶矽薄膜電晶體成為顯示技術的關鍵元件，除了可以應用在系統 面板(System on a Panel, SOP)上，於三維積體電路的實現具備相當大的應用潛 ... See full document
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鎳金屬矽化物誘導橫向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
... 因此能以限有的微影機器，做出原本微影限制之下的線寬，而源極和汲極定義的 位置與原本頂部閘極結構的複晶矽薄膜電晶體一樣，是在閘極的兩端，因此在離 子佈值時，除了源極和汲極兩端之外，在閘極氧化物的頂部的複晶矽薄膜也是有 摻雜雜質的區域，此區域在傳統的底部閘極結構原本是通道區域，是由於本研究 ... See full document
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鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶－成長機制、金屬捉聚與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究
... 為複雜。因此此類型的顯示器要達到高解析度、高畫質與全彩的目標便十分困難。但由 於製造成本低廉因此部分低階的顯示器如手機上的面板便常用此技術。而目前被廣泛研 究的薄膜電晶體（TFT, Thin Film Transistor）是屬於主動矩陣式，此種技術由於利用薄 ... See full document
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以準分子雷射結晶與非晶矽間隙壁結構製作高遷移率複晶矽薄膜電晶體之研究
... A Thesis Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fu[r] ... See full document
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固態晶體Nd:YAG雷射結晶之複晶矽薄膜電晶體結晶機制分析與載子傳輸模型建立
... A Thesis Submitted to Department of Photonics Institute of Display College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Req[r] ... See full document
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提升式通道結構及鍺引致再結晶複晶矽薄膜電晶體之研製
... A Thesis Submitted to Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University In Partial Fulfillment of the Requirements For the De[r] ... See full document
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應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究
... 誌謝 誌謝 誌謝 誌謝 首先我要感謝我的指導教授雷添福博士並致上最高的敬意，感謝老師在研究 與學業上給我的指導和鼓勵，老師的包容寬大、泱泱風範、學術成就是我學習的 模範，在這五年的博士生涯中，讓我學習到待人處世與研究的態度，對於學生的 諄諄教誨我會銘記在心。此外，我要感謝趙天生教授，老師的無私奉獻、致力研 究、不爭功利的風骨，實在非常值得效法，有老師的開放創新，讓我能發揮我的 ... See full document
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