[PDF] Top 20 以準分子雷射結晶法製作高載子移動率低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究
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以準分子雷射結晶法製作高載子移動率低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究
... 博 士 論 文 以準分子雷射結晶法製作高載子移動率 低溫複晶矽與矽鍺薄膜電晶體之研究 Study on High-Mobility Low-Temperature Polycrystalline Silicon and Silicon-Germanium Thin Film Transistors Fabricated by Excimer Laser Crystall[r] ... See full document
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利用準分子及連續波雷射退火製作高效能低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來，低溫複晶矽薄膜電晶體是在顯示技術應用中的關鍵元件。雖然透過準分子 ... See full document
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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之多閘極複晶矽薄膜電晶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來，低溫複晶矽薄膜電晶體成為顯示技術應用中的關鍵元件，由於其高 載子遷移率的特性可以應用在系統面板（System on Panel, SOP）上。雖然透過 ... See full document
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以準分子雷射退火製作控制晶界位置之雙閘極複晶矽薄膜電晶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來，複晶矽薄膜電晶體成為顯示技術的關鍵元件，除了可以應用在系統 面板(System on a Panel, SOP)上，於三維積體電路的實現具備相當大的應用潛 ... See full document
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以準分子雷射結晶與非晶矽間隙壁結構製作高遷移率複晶矽薄膜電晶體之研究
... A Thesis Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fu[r] ... See full document
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以準分子雷射退火技術製作低溫複（單）晶矽薄膜電晶體元件
... 具簡化製程的高性能低溫複晶矽薄膜電晶 體，是故研究內容與原計畫十分相符，且 亦達成預期之目標。研究之成果十分具有 學術㆖及應用㆖之價值，可推廣研究成果 至 TFT-LCD ... See full document
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低溫快速金屬誘發非晶矽結晶化製作複晶矽薄膜電晶體
... 在較低的退火溫度及退火時間所做出的薄膜電晶體其元件特性優良已能取代 SPC 所製作出之薄膜電晶體元件。[7-9] 而 MIC/MILC 有其缺點，針對此一缺點 2001 年 Murley [10]等人提出利用準 ... See full document
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具有超薄非晶矽層之高效能雷射退火複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究
... 非 晶 矽 層 之 準 分 子 雷 射 退 火 （ excimer laser-annealed）低溫複晶矽薄膜電晶體之特性做了一系列的研究與比較，在不需 ... See full document
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高性能多用途之新結構低溫複晶矽薄膜電晶體之製作
... 高性能低溫複晶矽薄膜電晶體已藉由 準分子雷射再結晶方式配合凹槽式之元件 通道結構製作出。由於其在元件通道內擁 有縱向成長的晶粒及在源/汲極接面附近 ... See full document
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複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III：MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究
... 驗結果顯示此元件的電特性，可藉由載 子遷移率的提昇以及較佳的閘極控制能 力，而大幅的改善。由實驗可知遷移率 是與元件的多條通道寬度相依。對同樣 閘極長度為 5 um 的元件而言，遷移率隨 著通道寬度的縮減而提昇，這是由於窄 ... See full document
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具有副閘極結構之雷射退火複晶矽薄膜電晶體製作與特性研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 複晶矽薄膜電晶體已經廣泛的使用在液晶顯示器的畫素控制元件。而為了達 到將週邊驅動電路與畫素控制元件整合在同一大面積玻璃基板的目標，低溫多晶 ... See full document
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鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體
... 有鈍化效果外，同時會增加原子間的撞擊機會來提高鈍化的離子數目和減少熱載 子(hot carrier)的影響，提高高的崩潰電壓和降低漏電流[25],[26]。 ...後退火(post-annealing) ... See full document
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新型低溫複晶矽(矽鍺)電晶體及奈米碳管場發射元件---子計畫II：低溫快速金屬誘發之結晶層製作薄膜電晶體(I)
... Poly-Silicon；LTPS）是新一代薄膜 電晶體液晶顯示器（TFT LCD）的製造流程。poly-Si TFTs 則具有高移動率、 自我對準(Self-alignment)、以及與 CMOS 製程相容等優點，因此可以將元件體 ... See full document
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以新穎降電場結構改善低溫複晶矽薄膜電晶體特性研究
... 效改善以上的情形，近來有學找提出，不用額外加一道離子佈植及微 影製程，此方法達到目的是藉由著伴隨著準分子雷射技術 ( Excimer Laser Irradiation )，此方法的概念是建築在閘極電極旁的 Source / Drain 空間定義端，藉由準分子雷射同一時間去活化且擴散原先重摻 ... See full document
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固態連續波雷射結晶於主動驅動有機電激發光顯示器低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
... Laser) 取代現有的準分子雷射 (Excimer Laser) 來研製低溫複晶矽薄膜電晶體。從微調雷射參 數出發，並以材料分析驗証其薄膜結晶品質， 然 後 使 用 最 佳 化 的 雷 ... See full document
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高性能低溫多晶矽薄膜電晶體之製程技術與特性研究
... 的元件為例，以此結晶方法做出的低溫多晶矽薄膜電晶體其 載子移動率可以到達 288 cm 2 /V-s，而傳統的元件的載子移動率只有 129 cm 2 ... See full document
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高均勻載子移動率之低溫複晶矽薄膜電晶體研製
... 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ ※ ※ 高均勻載子移動率之低溫複晶矽薄膜電晶體研製 ※ ... See full document
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