[PDF] Top 20 摻雜對量子點發光二極體之影響

... PVK 之間，摻雜後能使電洞注入時必須克服 的能障降低，就像在階梯中間多了一層輔助梯，使載子更容易注入，因此從數據 上電流密度的部分來看是隨著摻雜規律提升的，但是幅度不大，從大方向量子效 率的部分來看，在 PVK 中摻雜 TAPC 是有讓效率值往上提升的。知道了各自摻 ... See full document

... 摘要 本論文主旨為探討與增進氮化鎵發光二極體（ GaN-Based Light-Emitting Diode， GaN-LED）表現相關的議題，包括了鏡面在元件中的位置對於發光功率的影響、n型氮化鎵 ... See full document

... 厚度的氧化銦錫薄膜，並且製造成傳統的發光二極體，用以研究氧化銦錫薄膜和 發光二極體元件的光電特性。我們發現氧化銦錫薄膜的片電阻值會隨著其厚度增 加而降低，並影響到電流擴散能力和動態串接電阻值，氧化銦錫晶粒尺寸也和其 ... See full document

... 18 三、雷射剝離能量對長在圖形化藍寶石基板發光二極體的影響 3.1 研究動機 雷射剝離雖可增加 LED 的效率及應用性，但其逆偏壓漏電流相對 於傳統 LED 較大的問題一直為人所詬病，其原因包括了接合時所造成的 缺陷以及雷射剝離對磊晶層造成的損傷，如 Hsu[24][25]等人曾提到雷射剝 ... See full document

... 本研究之目的在探討以白光 LED 為室內照明光源時，其所含不同波長光線對 於視網膜的潛在影響。有別於前人研究多以短時間（數秒至數天）的方式進行，本 研究針對白光 LED 作為室內照明光源之波長與頻譜分佈進行長期低暴露分析，透 過大鼠動物實驗，以視網膜電波圖 (electroretinogram , ERG) ... See full document

... Solvent Effect on the Triplet Energy Transfer in Polymer Light-Emitting Diodes. 研究生：丁浩偉[r] ... See full document

... OLED 發展的主要因素，除了製程良率不高尚需改善，另一 個則是元件的操作壽命的加強，目前 OLED 面板主要使用在如手機、MP4 player 這類非長時間使用、短時間內因有新型產品問市就可能更換的電子商 品，而操作壽命的加強，能幫助 OLED 朝大尺寸裝置如電視這類人們會長 時間使用且不常更換的產品上推廣。影響元件壽命的因子很多，例如元件 ... See full document

... II 然而因為閘極與通道的距離使得閘極控制量子井的載子能力並不是非常有 效率。導致兩個在絕緣層上的上層閘極不能彼此靠得太近。這直接影響到在 i 區域 的載子複合。另外這個限制讓元件的發展上更加受限，例如表面聲波驅動的單光子 ... See full document

... 至於光致發光光譜的光學測量研究材料的特性，首先，當我們 分析一個新的化合物半導體，我們可以利用光致發光測量知道新材 料的能帶間隙。其次，光致發光強度的信號有助於計算材料中輻射 複合的數量。因此，光致發光測量可用於了解材料的品質和復合的 ... See full document

... 台大電子所熱影像實驗室 http://cc.ee.ntu.edu.tw/~kuanlab/ 在本研究中，報告了室溫操作且發光波長在 1.3-1.5 微米之多層鍺量子點發光二極體。 ... See full document

... 即使孔洞內填充 SiO 介電值會增加金屬損耗，仍可藉由傳播模態 2 提升穿透率以及散射機率的提升來增加元件外部量子效率。研究中發 現孔洞與週期長度 A/a 比例必須控制恰當，在固定週期長度 A=0.35 μ m 下，過小的孔洞長度 a 0.31 m ≤ μ 會有較低的穿透率及較高的金屬 損耗導致外部量子效率下降。過大的孔洞長度就算有較高的穿透率及 較低的金屬損耗，卻因為布拉格散射機制的降低使得外部量子效率下 ... See full document

... 因此在氮化銦鎵上高溫成長氮化鎵會產生不平坦的接面及銦的聚 集，導致新缺陷及無序位能 (Random local potential fluctuation) 的產 生。發光元件的發光特性與半導體材料的接面品質與缺陷密度有 關。接面平坦可降低載子移動時受到散射的影響，缺陷密度低，電 ... See full document

... 數目對於InGaN-GaN多重量子井藍光與綠光發光二極體之影響。應力釋放對於發光二極體特性之效應與影 ... See full document

... 從 0 度增加到 1 度時，光譜半高寬有先減少再增加之趨勢。µ-PL 掃描影像顯示氮化銦鎵 量子井發光能量之均勻性會受到基板角度之影響，而在變溫 PL 實驗中，我們觀察到明 顯的載子侷限效應 (carrier localization effect)，光譜隨溫度增加而呈現紅移-藍移-紅移之 ... See full document

... 我們可以看出陰極的厚度會影響上下發 光的比例，銀的厚度越厚，會使得光無法從上方的透明陰極出來，而被金屬反射回 下方的透明陽極，造成上方出光效率降低，下方出光效率提升。由圖 3-4 可以看到 ... See full document

... 二極體有機材料和電極金屬的選擇，元件結構的組成及特性有一連串的說明。藉此可歸納 出影響有機發光二極體光電特性的原因，和提升元件效率及色純度的方向。此外，主動及 被動 OLED 的應用和驅動方式、OLED 全彩化的方法及優缺點，亦是本章節探討的範疇。 當 ... See full document

... 在室溫PL實驗中，顯示了非極性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的內建電場並 不影響其位能，且其發光強度隨著量子井厚度由3奈米增加到12奈米而減弱。除 此之外，變溫PL實驗顯示了一個較明顯的載子侷限效應(localization effect) 存 在 於 量 子 井 較 厚 的 樣 品 中 。 成 長 非 極 性 結 ... See full document

... 在我遇到問題時不吝幫我解答，使我可以順利的完成我的碩士學位。 首先，我由衷的感謝王興宗老師的指導，老師做學問認真的態度深深地影響 我，而在每次報告時老師的殷切叮嚀，我都有牢記在腦海裡；感謝郭浩中老師在 我實驗上遭遇困難時，給予我幫助，以及感謝老師平時對我的鼓勵，使我遇到挫 折時能更勇敢的面對；感謝盧廷昌老師的指導，使我能夠有許多想法去解決實驗 上所遇到的問題。 ... See full document

... 間而改變，因此，在3um~6um的粗化點大小範圍內對晶粒亮度的 影響並無明顯的規則性，但考量相位移現象破壞光阻的保護效果 使得蝕刻結果受到影響，因此，粗化點間的距離不宜太小，且須 配合蝕刻後使粗化點側面的面積與表面粗糙度能夠達到最大，對 ... See full document

... 將會遇到一些困難。解決三色發光的缺點，近年來開發的新方法有濾 光法和色變換法，這兩種方法無須使用光罩，精細度也可以大幅提 高。濾光法的原理為發光層部分塗滿白光材料，利用液晶顯示器用的 彩色濾光片產生紅、綠、藍三種顏色，不過也由於使用彩色濾光片的 ... See full document