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摻雜對量子點發光二極體之影響

摻雜對量子點發光二極體之影響

55 Chapter5 結論 利用 CdSe 當作層的量子正廣泛被學術界開。而本實驗 是利用全溶液旋塗製作有機量子平面元件,利用大家首選的電洞注 入層 PEDOT:PSS 以及電洞傳輸層 PVK,以及小分子 ZnO 作為電子傳輸層。在 這樣的結構下電洞傳輸一側做,幫助載子注入提高效率,後的效率 確明提高,同時電流密度整下降,輝度也下降,得到的量子效率明顯提高。從 實驗數據來推斷, PEDOT:PSS 部分的 P105 的貢獻為會使電流密度下降,材 料表面粗糙度降低;而 PVK:TAPC 的貢獻為,本身 TAPC 的 HOMO(最高佔 據分子軌域)就介於 PEDOT:PSS 與 PVK 間,後能使電洞注入時必須克服 的能障降低,就像在階梯中間多了一層輔助梯,使載子更容易注入,因此從數據 上電流密度的部分來看是隨著規律提升的,但是幅度不大,從大方向量子效 率的部分來看,在 PVK 中 TAPC 是有讓效率值往上提升的。知道了各自 都帶來正向的效果後,我們將電洞注入層以及電洞傳輸層都做來分析元 件效果,而疊加後效果也是正向的,電流密度降低,量子效率 EQE 大幅提升,
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表面微結構對氮化鎵發光二極體光電特性之影響

表面微結構對氮化鎵發光二極體光電特性之影響

摘要 本論文主旨為探討與增進氮化鎵( GaN-Based Light-Emitting Diode, GaN-LED)表現相關的議題,包括了鏡面在元件中的位置功率的、n型氮化鎵 碗狀結構與鏡面的結合在調變角度過程中所扮演的角色,以及利用自然微方式氧 化銦錫透光層做表面粗化的結果探討。

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氧化銦錫擴散電流層厚度對氮化鎵發光二極體光電特性的影響

氧化銦錫擴散電流層厚度對氮化鎵發光二極體光電特性的影響

國立交通大學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 近年來,隨著氮化鎵展,高透明度且電阻率小的氧化銦錫已 經被廣泛的用作為透明電流擴散層。在此篇研究中,於 P 型氮化鎵上蒸鍍了不同 厚度的氧化銦錫薄膜,並且製造成傳統的,用以研究氧化銦錫薄膜和 元件的電特性。我們現氧化銦錫薄膜的片電阻值會隨著其厚度增 加而降低,並到電流擴散能力和動態串接電阻值,氧化銦錫晶粒尺寸也和其 厚度有關。另外,接觸電阻係數也受到在氧化銦錫和氮化鎵界面間氧含量的支 配。然而,電流擴散長度或氧化銦錫厚度似乎都和量測到的元件亮度沒有關連,
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雷射剝離對發光二極體中圖形化藍寶石基板的影響

雷射剝離對發光二極體中圖形化藍寶石基板的影響

18 三、雷射剝離能量長在圖形化藍寶石基板 3.1 研究動機 雷射剝離雖可增加 LED 的效率及應用性,但其逆偏壓漏電流相 於傳統 LED 較大的問題一直為人所詬病,其原因包括了接合時所造成的 缺陷以及雷射剝離磊晶層造成的損傷,如 Hsu[24][25]等人曾提到雷射剝 離後會增加磊晶層內部螺旋差排的數量,因而成為非輻射復合的中心。我 們也現在經過雷射剝離後,在 PSS 上的元件漏電流往往較在平片藍寶石 上的元件大上許多。以同樣以 45mil 的元件為例,平片藍寶石與 PSS 製作 的元件在偏壓為-5V 下漏電流分別為 0.08 μA 以及 0.23 μA,若換算成單位 面積的電流可得到其電流密度分別為 6.123 x 10 -5 nA/μm 2 與 1.760 x 10 -4 nA/μm 2 ,可現 PSS 上元件的漏電流相較於平片上元件的漏電流大了六倍 多,因此我們希望藉由利用不同能量的 KrF 雷射來討論漏電流大小的原 因,也藉此機會觀察其經過雷射剝離後的表面形貌。
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發光二極體做為室內照明光源對視網膜影響之大鼠研究

發光二極體做為室內照明光源對視網膜影響之大鼠研究

本研究目的在探討以白 LED 為室內照明光源時,其所含不同波長 於視網膜的潛在。有別於前人研究多以短時間(數秒至數天)的方式進行,本 研究針 LED 作為室內照明光源波長與頻譜分佈進行長期低暴露分析,透 過大鼠動物實驗,以視網膜電波圖 (electroretinogram , ERG) 檢查視網膜功能上所受 的衝擊,同時以多種組織切片觀察感光細胞形貌上的改變,以及透過生化分析觀察 細胞受到氧化壓力而引的凋亡和壞死狀況,探討視網膜傷害的機轉,研析白 LED 照明使用者視網膜生理結構的。為達成此研究目的,整研究架構以 階段實驗方式進行。
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溶劑於高分子發光二極體元件的三重態能量轉移之影響

溶劑於高分子發光二極體元件的三重態能量轉移之影響

Solvent Effect on the Triplet Energy Transfer in Polymer Light-Emitting Diodes. 研究生:丁浩偉[r]

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摻雜型漸進式發光層於有機發光二極體之研究

摻雜型漸進式發光層於有機發光二極體之研究

1.3 元件壽命因子 現今限制 OLED 展的主要因素,除了製程良率不高尚需改善,另一 個則是元件的操作壽命的加強,目前 OLED 面板主要使用在如手機、MP4 player 這類非長時間使用、短時間內因有新型產品問市就可能更換的電子商 品,而操作壽命的加強,能幫助 OLED 朝大尺寸裝置如電視這類人們會長 時間使用且不常更換的產品上推廣。元件壽命的因子很多,例如元件 的封裝、基板的污染、可移動的離子質等,其中有些因子是可以透 過元件結構改善而能避免的。
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無摻雜GaAs/AlGaAs量子井之橫向p-i-n二極體

無摻雜GaAs/AlGaAs量子井之橫向p-i-n二極體

II 然而因為閘與通道的距離使得閘控制量子井的載子能力並不是非常有 效率。導致兩個在絕緣層上的上層閘不能彼此靠得太近。這直接到在 i 區域 的載子複合。另外這個限制讓元件的展上更加受限,例如表面聲波驅動的單光子 源。因此我更展了兩個通道同時有表面閘與上層閘的雙閘結構。這個表面 的蕭基閘提供了一個通道中載子很好的控制能力下同時可以彼此靠近。跨越源 與汲在絕緣層這上的上層閘,可以在歐姆接觸與閘間,沒有漏電路徑下控制 著源與汲間的通道載子。雙閘元件表現出較穩定的電性與清楚的學頻譜。
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藍光發光二極體不同量子井厚度的內部量子效率之研究

藍光發光二極體不同量子井厚度的內部量子效率之研究

至於光光譜的學測量研究材料的特性,首先,當我們 分析一個新的化合物半導,我們可以利用測量知道新材 料的能帶間隙。其次,強度的信號有助於計算材料中輻射 複合的數量。因此,測量可用於了解材料的品質和復合的 機制。而載子復合過程大致生在兩方面,分別為輻射複合和非輻 射復合。我們可以認同輻射復合較易在低溫下用測量,因 為它不會受外加電流而加熱的。如果有一些缺陷存在於半導 能帶間隙中,他們還可能有助於輻射復合進程。因此,我們可以觀 察多個的 PL 譜峰值和強度與貢獻於輻射復合相關聯。
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鍺量子點1.3-1.5 微米發光波長之發光二極體

鍺量子點1.3-1.5 微米發光波長之發光二極體

台大電子所熱影像實驗室 http://cc.ee.ntu.edu.tw/~kuanlab/ 在本研究中,報告了室溫操作且光波長在 1.3-1.5 微米多層鍺量子。 本論文主要包含了兩個系列的實驗,一者在探討鍺量子層數多層鍺量子特性 的,另一個則在探討由熱所引起的材料混效應於鍺量子特性的,特別 是在頻譜的變化,因為我們利用此一來微調鍺量子光波長。
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利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

即使孔洞內填充 SiO 介電值會增加金屬損耗,仍可藉由傳播模態 2 提升穿透率以及散射機率的提升來增加元件外部量子效率。研究中 現孔洞與週期長度 A/a 比例必須控制恰當,在固定週期長度 A=0.35 μ m 下,過小的孔洞長度 a 0.31 m ≤ μ 會有較低的穿透率及較高的金屬 損耗導致外部量子效率下降。過大的孔洞長度就算有較高的穿透率及 較低的金屬損耗,卻因為布拉格散射機制的降低使得外部量子效率下 降。針不同的孔洞長度 a 其電厚度也會,必須將電厚度設 計在第一階 Fabry-Perot 干涉的位置才能有最好的外部量子效率。此 外 觀 察 現 孔 洞 的 長 度 越 小 則 電 厚 度 需 較 厚 才 能 達 到 第 一 階 Fabry-Perot 干涉。
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熱製程對氮化銦鎵薄膜及量子井發光二極體光學特性之研究

熱製程對氮化銦鎵薄膜及量子井發光二極體光學特性之研究

因此在氮化銦鎵上高溫成長氮化鎵會產生不平坦的接面及銦的聚 集,導致新缺陷及無序位能 (Random local potential fluctuation) 的產 生。元件的特性與半導材料的接面品質與缺陷密度有 關。接面平坦可降低載子移動時受到散射的,缺陷密度低,電 子電洞結合效率高,效率好。異質接面銦含量組成差異大載子 集成效應好,穩定的組成及低的缺陷密度是研究ㄧ重要 課題。氮化銦鎵中銦含量的改變,製程溫度效應是最大的考量,製 程溫度的提高會引起原子間的互擴散及銦含量改變,組成的改變會 光波長的飄移。
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氮化銦鎵-氮化鎵之多重量子井藍光與綠光發光二極體

氮化銦鎵-氮化鎵之多重量子井藍光與綠光發光二極體

應(Stark effect)亦會三五族氮化物藍與綠特性。本研究中,主要探討不同量子井 數目於InGaN-GaN多重量子井藍與綠。應力釋放特性效應與 亦將於內文中做更深入詳細探討。 本研究使用有機金屬氣相磊晶法於(0001)面藍寶石基板上成長磊晶結構。使
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氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之光學特性與內部量子效率研究

氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之光學特性與內部量子效率研究

從 0 度增加到 1 度時,譜半高寬有先減少再增加趨勢。µ-PL 掃描影像顯示氮化銦鎵 量子井光能量均勻性會受到基板角度,而在變溫 PL 實驗中,我們觀察到明 顯的載子侷限效應 (carrier localization effect),譜隨溫度增加而呈現紅移-藍移-紅移 變化,並隨著基板角度的改變而呈現不同趨勢,透過定量分析,我們得知載子侷限程度

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透明電極對透明有機發光二極體之效應

透明電極對透明有機發光二極體之效應

3.2 氧化銦錫陽透明元件模擬與分析 我們模擬的透明有機元件結構 3A 為 Glass / ITO (y nm) / HATCN (5 nm) / TAPC(60 nm) / CBP: 8wt% Ir(ppy) 2 (acac) (20 nm) / B3PYMPM (50nm) / LiF (0.6 nm) /Al (1 nm) /Ag (x nm) /NPB(70 nm)。ITO 陽與電洞注入層的折射率與消係數 如圖 3-1 所示,電洞傳輸層、電子傳輸層及覆蓋層的厚度則是依據學而選擇較 佳的參數。在此結構下,變化 ITO 陽模擬的厚度為 10 奈米至 150 奈米,間隔 為 10 奈米,銀陰厚度為 6 奈米至 20 奈米,間隔為 2 奈米。元件出效率模擬 結果如圖 3-2 至 3-4 所示。由圖 3-2 及 3-3 我們可以看出陰的厚度會上下 的比例,銀的厚度越厚,會使得無法從上方的透明陰出來,而被金屬反射回 下方的透明陽,造成上方出效率降低,下方出效率提升。由圖 3-4 可以看到 元件的總和效率,並不會受到陰厚度太大的,這是因為陰厚度是改變上 下出的比例,但能出到元件外的,主要是受到透明陽厚度,考慮元件 的微共振腔效應,在 ITO 厚度為 70 至 80 奈米間,其總效率最佳。
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藉由三層電洞阻擋層及摻雜客體材料製備高穩定度白光有機發光二極體之研究

藉由三層電洞阻擋層及摻雜客體材料製備高穩定度白光有機發光二極體之研究

有機材料和電金屬的選擇,元件結構的組成及特性有一連串的說明。藉此可歸納 出有機電特性的原因,和提升元件效率及色純度的方向。此外,主動及 被動 OLED 的應用和驅動方式、OLED 全彩化的方法及優缺,亦是本章節探討的範疇。 當 OLED 受到外加電場作用,電子及電洞分別由陽及陰注入有機層,並在有機材

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非極性氮化鎵量子井結構與發光二極體元件特性研究

非極性氮化鎵量子井結構與發光二極體元件特性研究

在室溫PL實驗中,顯示了非性氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的內建電場並 不其位能,且其強度隨著量子井厚度由3奈米增加到12奈米而減弱。除 此之外,變溫PL實驗顯示了一個較明顯的載子侷限效應(localization effect) 存 在 於 量 子 井 較 厚 的 樣 品 中 。 成 長 非 性 結 構 的 另 一 優 勢 在 於 (polarized light emission)的價值,我們所測得的化率大約在60%左右。
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氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之特性與內部量子效率研究

氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體之特性與內部量子效率研究

在我遇到問題時不吝幫我解答,使我可以順利的完成我的碩士學位。 首先,我由衷的感謝王興宗老師的指導,老師做學問認真的態度深深地 我,而在每次報告時老師的殷切叮嚀,我都有牢記在腦海裡;感謝郭浩中老師在 我實驗上遭遇困難時,給予我幫助,以及感謝老師平時我的鼓勵,使我遇到挫 折時能更勇敢的面;感謝盧廷昌老師的指導,使我能夠有許多想法去解決實驗 上所遇到的問題。

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以規則性粗化點改善發光二極體光取出效率之研究

以規則性粗化點改善發光二極體光取出效率之研究

33 5.4 粗化大小晶粒亮度的 由於濕式蝕刻的等向性蝕刻特性使粗化的形狀會隨著蝕刻時 間而改變,因此,在3um~6um的粗化大小範圍內晶粒亮度的 並無明顯的規則性,但考量相位移現象破壞阻的保護效果 使得蝕刻結果受到,因此,粗化間的距離不宜太小,且須 配合蝕刻後使粗化側面的面積與表面粗糙度能夠達到最大, 取出效率的提升才能有顯著幫助。就本實驗結果而言,相亮 度 I的提升與粗化大小 a 及粗化蝕刻時間 t無關,如下式:
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A) 非摻雜型高效率藍光之蒽衍生物發光材料, B) 高效率之白光高分子發光二極體

A) 非摻雜型高效率藍光之蒽衍生物發光材料, B) 高效率之白光高分子發光二極體

隨著OLED技術逐漸成熟,逐漸邁向全彩化展。在全彩色化方 面,一般說來有三種方式:三色法、濾法與色變換法。層 使用紅、綠、藍三種材料分開塗佈配置。優是充分利用三種顏 色的材料,但缺則是當三種材料壽命不同時,則整的壽命受 制於較短壽命的材料。另外在製程中採用罩分開塗佈時,全罩 將由於受熱而引起熱膨脹問題,控制頗為困難,此在追求高精細化時 將會遇到一些困難。解決三色的缺,近年來開的新方法有濾 法和色變換法,這兩種方法無須使用罩,精細度也可以大幅提 高。濾法的原理為層部分塗滿白材料,利用液晶顯示器用的 彩色濾片產生紅、綠、藍三種顏色,不過也由於使用彩色濾片的 緣故使得效率減低,因此如何開高效率白材料就是重要課 題。另外一種色變換法則是與濾法類似,只是將層的白材料 改為藍材料,彩色濾片改為螢膜。
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