[PDF] Top 20 一維氧化鋅奈米結構之製備及其應用

... 要 一維奈米材料由於其卓越的物理與化學特性使其成為近幾年重要之研究領 域，在許多一維材料中，氧化鋅由於獨特的光、電及壓電特性而具有廣泛的應用 性，成為近年來受矚目的研究方向，於本論文中，我們加入新的製程方法或技術 ... See full document

... 本研究主要分為兩部分，第一部分為利 用噴霧裂解法成長氧化鋅種晶層，再藉由水 熱法製備氧化鋅奈米桿，將其做為氣體感測 元件，應用於檢測乙醇氣體。第二部分主要 藉由材料的改質以提升感測效能。本研究著 重於氧化鋅晶格中的缺陷組成，對於感測特 ... See full document

... 後之結構及光學特性。氧化鋅奈米柱經過後熱處理均可大幅增加光學品質，且在高溫下 氧化鋅奈米柱的晶體結構也有明顯改變。氧化鎂包覆氧化鋅奈米柱後經熱處理後在化學 ... See full document

... 表面缺陷與氧空缺之表面特性，使其廣泛被應用於太陽能電池、發光二極體、感測器、 奈米發電機與光催化。 本研究利用直接加熱法在大氣壓下於黃銅基材 (如黃銅片或黃銅網) 表面成長銅 摻雜之氧化鋅奈米線。此製備方法具備多項優點，如大規模、快速成長、不需催化劑及 ... See full document

... Title）： 應用於太陽能轉換之新穎氮化銦/二氧化鈦奈米結構薄膜之製備及其電 子移轉研究 Preparation and Interfacial Electron Transfer of Novel InN/TiO2 Nanocrystalline Thin Films ... See full document

... Fabrication of Superhydrophobic Zinc Oxide Inverse Opals for Electrowetting Applications. 研 究 生︰陳儷尹 Student: Li-Yin Chen 指導教授︰吳樸偉 博士 Advisor: Dr[r] ... See full document

... 1953 年 P.B. Weisz 發現半導體材料會因為吸附氣體而造成電阻的改 變。隨後在 1962 年 Seiyama 首先利用半導體材料的吸附效應來偵測空氣 中的氣體組成，此後這種檢知方式漸漸地被廣泛地應用。而近年來之研究以 金屬氧化物半導體(metal oxide semiconductor, 簡稱MOS)之感測器最為熱 門，如SnO 2 ... See full document

... 1-3 太陽能電池簡介 隨著時代的進步，在科學的發展下人們的生活水準提高，能源的 依賴與日俱增。目前全球國家與台灣仍舊高度仰賴核能發電，惟近半 世紀以來全球氣候變異頻傳，西元 2011 年 3 月 11 日，日本福島縣遭 逢芮氏規模 9.0 強震，造成核電廠爆炸與輻射外洩。這股警示使世界 各國力推再生能源的布局，其中又以太陽能光電產業為科技與經濟發 展的重點而被寄予厚望。太陽能電池種類繁多，依 Fig. 1-6 美國國家 ... See full document

... 論文付梓的此時，首先最感謝的是指導教授 張豐志老師兩年來對於我在學 業上諄諄教誨與細心指導，使得我在專業領域的知識上獲益良多，在此獻上我最 誠摯的敬意與謝意。 在實驗上我要感謝郭紹偉學長，感謝學長引領我進入奈米複合材料這個迷人 的領域，並細心的教導我直至完成本論文，以及一開始願意從頭教我的杜成偉和 呂居樺學長，若不是有學長們的幫助，我想我在研究的這條路上會走的極為辛 ... See full document

... )，二氧化鈦奈 米粒子由於其表面積大的緣故，因此奈米粒子的表面能相當高，一般須在低溫下 保存使奈米粒子比較不容易快速縮合，當我們如實驗步驟中所述的方法配置四氯 化鈦溶液並加熱後，溶液中的 Ti(OH) 4 會開始快速縮合形成 TiO 2 ，TiO 2 由於表面 能過高而開始互相聚集以降低表面能，此時可藉由數種方法抑制縮合速度：例如 ... See full document

... D8 與 D9。由 Fig. 4-4 可看出於低溫 5℃與沉積時間 3 hrs 的條件下，試 片編號 A7 ~ A9，經 X 光鑑定與 JCPDS 卡比對後，無論是否有添加 SDS，其結果皆無氧化鋅繞射峰出現，只有鋅與鋁的繞射峰產生，其中 鋁訊號為基材訊號，其原因推估可能是因為溫度太低，雖然添加 SDS ... See full document

... 微米時代逐步進入所謂的奈米時代。就奈米技術而言， 一維的奈米結構因其不僅可做為材料的光、電、磁及機 械等物性之於orderliness、dimensionality及size的基 礎理論研究；並具有很大的潛力做為奈米光電元件(如低 能消耗nanowire LED、超薄全彩LED顯示器及全彩影印設 ... See full document

... 4-10-5不同偏壓下之光電轉換效率 在不同正偏壓施加於ITO電極下，經過紫外光開關照射，便可量 測得到TiO 2 奈米管與TiO 2 /AAO奈米管的量子效率曲線圖形，如圖4.62 所示。對ITO/TiO 2 /Si試片而言，ITO/TiO 2 接面和TiO 2 /Si異質接面二個 介面空乏區的延伸和壓縮決定整體光電特性。如同4-7-3節與4-7-4節 所敘述，處於逆向偏壓下的TiO 2 ... See full document

... 2. 以熱溶劑法所製備之 CdS 奈米線，其表面所具有之官能基(乙二胺)可被用於還原金屬離 子，並成長金屬奈米顆粒於奈米線表面，以形成金屬/半導體奈米線之異質結構，此異質 ... See full document

... （大於5.3 eV）與良好的表面平整度（小於2 nm）等。目前應用在OLED顯示器 的透明電極仍以ITO為主，因其性質可符合上述要求；在已被發展的TCO系統 中，以AZO最有可能取代ITO運用在OLED顯示技術上，因在功函數方面，ITO 為4.8 eV，而AZO為4.6 eV，相差不遠，AZO在電性方面的性質，在前人努力研 究改善後，亦與ITO差異不大，然而，在表面平整度的改善方面，卻鮮少有人研 ... See full document

... (1)界面控制元件(Interface-controlled devices)：將目標物吸附在表 面上從而改變元件狀態，(2)整體控制元件(Bulk-controlled devices)： 依靠目標物在元件內的擴散而改變元 件狀態 [9] 。 以最常被使用的蕭基特 二極體來說，其介面採用一些可催化氣體的金屬作為金屬接觸端，最 常設計用來偵測氫氣，這種蕭基特二極體氣體感測器具有非常高的靈 ... See full document

... 分子具有規則性之排列，可減少分子間之糾纏，故液晶高分子較一般 高分子材料黏度低，流變性質高有利於模型之製成。 1-2-3-3 液晶相的觀察與鑑定 液晶亦被稱之為異方性液體，具有單一光軸特性。液晶分子之光 軸與分子軸方向一致，其液晶的光學性質為正，如：層列型或向列型 液晶；反之，如膽固醇型液晶之光軸則與螺旋軸方向一致，故其光學 ... See full document

... A Thesis Submitted to Department of Materials Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University In partial Fulfillment of Master of the Requirements For the D[r] ... See full document

... A Thesis Submitted to Department of Materials Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University In Partial Fulfillment of Requirements for the Degree of Maste[r] ... See full document

... This phenomenon implies that the surface band bending of the ZnO nanorods was strongly influenced by NH3 plasma treatment and therefore, the structure morphology of ZnO nanorods would be[r] ... See full document