[PDF] Top 20 應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究
Has 10000 "應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究".
應用鎳矽化物與鍺於新穎結構複晶矽薄膜電晶體之研究
... 余明爵、羅文呈、王智盟、王冠迪、江宗育、顏榮嘉、林威良、吳翊鴻、張子恆、 張婷，有你們的陪伴、幫忙和討論，使我研究更順利，生活充滿歡樂。感謝一路 走來始終陪伴在我身旁的好朋友，顏碩廷、陳建豪、陳漢譽、鄧至剛、林宏年， 以及多年好友蔡猛麒、傅士卿、潘祥斌、劉鶴軒、李翔任、劉力仁、王東鉑，在 研究上與生活上有你們的幫忙和鼓勵，使我得到繼續向前進的推力。感謝曾經在 ... See full document
186
矽鍺與矽碳薄膜應用於金氧半場效電晶體和複晶矽鍺與多通道薄膜電晶體之研究
... )磊晶薄膜中使用化學機械研磨方式來降低 晶格不匹配所造成粗糙的表面，我們將全面的研究研磨墊和研磨液對平坦度的影 響，接著使用一種新穎的研磨後清洗液應用於表面的清潔，經由加入表面清潔劑 (surfactant, TMAH)和螯合劑(chelating agent, ... See full document
132
先進材料應用於複晶矽薄膜電晶體之研究
... 型通道複晶矽電晶體作一系列的 研究和探討。我們發現因為高介電薄膜具有較大的閘極電容密度，因此以其作為 閘極介電層的薄膜電晶體都展現出比使用傳統沉積氧化層的元件較佳的特性，例 ... See full document
219
新式結構與四氟化碳電漿處理在複晶矽薄膜電晶體應用之研究
... (F) 與矽（Si）的鍵結能 因為比氫的鍵結能大，因此被認為可應用於 複晶矽薄膜電晶體的缺陷鈍化，很多報告都 ... See full document
7
先進材料應用於低溫複晶矽薄膜電晶體和金氧半場效電晶體之研究
... 晶體。擁有高效能 N 型通道薄膜電晶體以不同的高介電常數介電層材料：包括二氧化鉿 （HfO 2 ）、矽酸鉿（Hf-silicate）、氧化鋁鉿（Hf-aluminum oxide）被提出，以有機 ... See full document
119
超大橫向長晶應用於多晶矽鍺薄膜電晶體之研究
... 矽原子與鍺原子具有不同的溶點以及4%差異的晶格常數。這結果會造成鍺原 子的偏析和矽鍺薄膜的應力。這兩者可借由拉曼頻譜來決定晶粒中合金的組合成 ... See full document
73
複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---子計畫III：MILC低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究
... 道光罩，元件製作之圖案相依的金屬誘 化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體。由實 驗結果顯示此元件的電特性，可藉由載 子遷移率的提昇以及較佳的閘極控制能 力，而大幅的改善。由實驗可知遷移率 是與元件的多條通道寬度相依。對同樣 閘極長度為 5 ... See full document
5
複晶矽薄膜電晶體的充放電機制用於記憶應用之研究
... 林哲民、徐博、蔡子儀、阿森等實驗室學長，在實驗中對我的幫忙與電性 的討論，讓我在實驗上可以少走許多冤枉路。再來要感謝我們這批同梯碩 二戰友們，劉大偉、江忠祐、陳玲、洪文強、林漢仲、李冠樟、陳威臣， 跟你們一起做實驗真的很快樂，讓深夜作實驗時感覺不那麼可憐,我會永 遠記住你們的。也要感謝實驗室裡的碩一學弟妹，有了你們，讓實驗注入 新的活力也帶來更多的歡樂。另外謝謝生科所蕭程允、林志衡學長，跟你 ... See full document
102
具輕摻雜汲極結構之複晶矽薄膜電晶體之通道延伸效應研究
... Acknowledgment 時間過的很快，兩年的碩士生涯就這樣過去了，對我而言，這是個完整，但 不太完美的求學過程，但不論如何，最後還是完成了。在這段期間，首先由衷的 感謝我的指導老師 冉曉雯老師。謝謝老師這段時間的栽培，讓我能經歷一個完 整的訓練，從初期的 OTFT 製程實作，中期安排至友達光電暑期產學合作，後期 的 Poly-Si TFT ... See full document
67
鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體－垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體
... 一般的研究目標以如何在低溫中加快結晶速率、改善結晶品質及增大晶粒尺寸與 減少第三類過渡金屬原子(如鎳、鉬、鐵、銅等)污染來降低漏電流的目標進行， 而漏電流的產生經常是過渡金屬原子在矽材料中都是屬於快速擴散源容易造成 金屬原子殘留而產生減損元件特性，發生機率最高會在 TFT ... See full document
53
低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究
... 的電特性改善，這是因為我們使用的結晶成核機制不同於傳統，使得結晶顆粒變 大且缺陷變少，因此我們得到一個高品質的通道層而這種新式結構非常適合應用 在未來高性能大面積元件製程中。 最後，我們研究利用間隙壁(spacer)技術來做 複 ... See full document
80
新穎製程及新穎結構的複晶矽薄膜電晶體之可靠度研究
... 此外，在外加直流與交流的劣化條件下，其也在臨界電壓、驅動電流以及傳導 電導方面有著優越的表現。其原因可能是由於多重通道結構具有優越的三面閘極 (tri-gate)控制能力，而能減低橫向電場所導致降低通道間的位障能而使得汲極電流 ... See full document
73
鎳金屬矽化物誘導橫向結晶垂直通道低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
... 因此能以限有的微影機器，做出原本微影限制之下的線寬，而源極和汲極定義的 位置與原本頂部閘極結構的複晶矽薄膜電晶體一樣，是在閘極的兩端，因此在離 子佈值時，除了源極和汲極兩端之外，在閘極氧化物的頂部的複晶矽薄膜也是有 ... See full document
74
複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用---子計畫I:複晶矽鍺在新穎結構低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(II)Poly-SiGe Technology and Novel Structure for Low Temperature TFT Application (II)
... 本計畫將以三年時間，研究探討複晶矽鍺（poly-SiGe）在低溫 ... See full document
10
複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用---子計畫I：複晶矽鍺在新穎結構低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)Poly-SiGe Technology and Novel Structure for Low Temperature TFT Application(III)
... 本計畫以三年時間，研究探討複晶 矽鍺（poly-SiGe）在低溫複晶矽薄膜電 晶體上的應用，並做成新結構複晶矽薄 ... See full document
5
以新穎降電場結構改善低溫複晶矽薄膜電晶體特性研究
... 閘極( double gate )結構等。無疑都是為了元件可以達到良好可靠度。 1-1-1 offset gate 傳統 MOSFET 在進行開關或是驅動的過程裡；載子的傳輸往往 是由源極往汲極流動，因此，汲極區也就等同於載子流動的目的地。也 由於如此，在汲極區的電場效應往往較源極區來得強烈許多；當 元件 ... See full document
61
高介電常數氧化鐠閘極介電層與新穎結構於複晶矽薄膜電晶體之研究
... 閘極介電極/複晶矽通道界面處來修補晶粒邊界缺陷態位。因此，藉著摻雜氟原子進入 複晶矽薄膜中，複晶矽氧化鐠閘極介電層薄膜電晶體的元件電性以及臨界電壓下降特 ... See full document
182
複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用(III)---總計畫
... MILC 與無電鍍 MILC 等方式來製作複晶矽薄膜電晶體，主要重點在於 改善複晶矽電晶體長久以來的致命傷─漏電流 及 kink-effect 並提高其導通電流，嘗試做成小尺 ... See full document
5
鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶-成長機制與低溫複晶矽薄膜電晶體效能之研究
... 討拉伸應力對於鎳金屬誘發非晶矽薄膜側向結晶成長機制之影響以及利用 鎳金屬壓印誘發結晶方法來製作低溫複晶矽薄膜電晶體。並結合鎳金屬誘 ... See full document
128
相關主題