[PDF] Top 20 高功函數銥金屬奈米晶體於非揮發性記憶體之應用
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高功函數銥金屬奈米晶體於非揮發性記憶體之應用
... 氣 體流量、QCM 不能專一偵測同種靶材等因素產生實際膜厚的差異。因此在展開奈米晶 體的研究的時候，薄膜真實的厚度在研究過程裡扮演了十分關鍵的參數之ㄧ，所以本研 究必須去做 TEM 橫剖面圖並且予以校正。採用的作法為 Si 晶片上成長一層 7nm 的 thermal oxide ... See full document
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金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究
... 電壓也無法降低，讀取速度也跟著無法增快，這些問題也深深影響著 非揮發性記憶體的應用性。但若以奈米點取代浮停閘結構可以解決上 述問題，因為電荷僅儲存於分離的奈米點中，若穿隧氧化層存在局部 ... See full document
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鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 在本文中，一個簡單的製程方法用來形成鉬(Molybdenum)奈米點，並應用 於非揮發性記憶體。室溫下，共蒸鍍(co-evaporating)鈀材 Mo 和介電質(如:SiO x 、 SiN x 、AlO x ... See full document
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單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究
... 分析結果，可推測碳管經由高速旋轉後留在 晶片表面主要是受到表面高低差的影響。因此儘管增加碳管塗佈次數有促 進碳管分佈均勻的效果，但對於通道長度大於 4μm 的元件，碳管仍有明顯 分布不均勻的情形。元件尺寸的影響部分發現通道長度越小、導通電流越 大、但電流開關比例無法拉開；而通道長度較長的元件雖然開關比例可拉 ... See full document
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過渡金屬氧化物薄膜於非揮發性記憶體之應用研究(I)
... 在 Forming Process 完成後，當施加正方向 或負方向偏壓時，可以發現電流切換曲線以非 線性、非對稱與可重複切換現象存在著。當以 正方向偏壓掃描，電流會從高電流(即低電阻 狀態)切換到極低電流狀態(即高電阻狀態)，此 動作稱之為 RESET；相反地，以負方向偏壓 掃描，電流會從極低電流狀態切換到高電流狀 ... See full document
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奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究
... gate)記憶體為基本元件之非揮發性固態半導 體記憶體已被廣泛的應用於各種電子產品。為獲得更高密度、低功率損耗與快速 ... See full document
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鈦奈米晶體應用於非揮發性記憶體
... 在新竹兩年的研究生涯裡，非常感謝和我朝夕相處的學長、同學、學弟們； 感謝奈米組的峻豪、緯仁、世青、立偉學長，以及昭正學長，尤其謝謝立偉學長 在實驗上給我很多寶貴的意見，不管是研究上的精神以及做人做事應有的態度， 在你們學長們的身上使我學習到很多；還要感謝我的同學們，貴宇、方方土、大 頭、狗哥、Joner、師父陪伴與鼓勵，和你們在無塵室裡一起奮鬥是我一生最難 ... See full document
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高介電常數材料的特性分析及其在多晶矽奈米線非揮發性記憶體之應用
... Acknowledgement 首先我要感謝我的指導教授， 林鴻志 教授與 黃調元 教授，感謝林老師， 讓我學習到做學問該有的嚴謹態度，使我能建立起良好的觀念。感謝黃老師，在 半導體領域豐富的專業知識以及超卓的文學造詣，使我獲益良多。感謝蘇俊榮博 士，從碩一起就常常受到你的指導，謝謝你每次都不厭其煩的與我討論數據，糾 正我的觀念，並且提醒我做實驗該注意的事項，在忙碌的工作之外還能抽空幫我 ... See full document
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錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating gate)記憶體在操作過程中如果穿隧氧化層產生漏電路徑會造成所有儲 ... See full document
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鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生：葉睿龍 Student：Jui-Lung Yeh[r] ... See full document
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氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究
... 根據實驗結果，確實驗證四氟化碳電漿處理，確實地改善了以二 氧化鉿作為儲存層的非揮發性記憶體，在資料保存時間上的不足，此 外，在製程中加上四氟化碳電漿處理，合用於傳統 SONOS 記憶體製程， ... See full document
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利用矽鍺氧與矽鍺氮薄膜形成鍺奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 在新竹兩年的研究生涯裡，非常感謝和我朝夕相處的學長、同學、學弟們；感 謝奈米組的峻豪、緯仁、世青、富明、致宏、大山、立偉、昭正、星舟、佳州學長， 感謝你們在實驗上給我許多寶貴的意見，在你們身上我學習到許多專業的學識及實 驗的技巧。同時，也要感謝快速電子實驗室的宗霖、宗熺、漢譽、聖懿、心卉、怡 誠、兆欽、弘斌學長姊們，除了平時對我的照顧及關心之外，也從你們身上學到許 多研究的精神。 ... See full document
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含鍺摻雜氮化矽薄膜在非揮發性記憶體應用之研究
... 再者，要感謝交大奈米中心及國家奈米元件實驗室提供良好的實驗設備及環 境以及在實驗上一起奮鬥的學長及伙伴們：小鳴、炳宏、陳董、土撥、世青、國 王、大山、眾神、阿飛、緯仁、佳州、林博、阿貴、淵州以及所以 TCC group 的 成員，有你們的一起奮鬥與幫助，令我的實驗之路走的並不孤單。還有常常在路 邊攤把酒言歡的學長朋友們：國旭、小明、阿寬、紀文、小正、小杰、豬頭、元 ... See full document
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氧化鋁/二氧化鉿交錯層應用於非揮發性記憶體特性研究
... 電荷保持力的量測方法是先給予元件一個寫入電壓，使元件進入 寫入態，接著從+5V 掃描到-5 得到電壓-電容曲線，因此可以得到寫 入態的平帶電壓的數值，由圖 3-2 可以得知+5V 到-5V 的掃描範圍並 不會造成平帶電壓的平移，相同方法可以得到抹除態的平帶電壓的數 值，再將平帶電壓對所經過的時間作圖。圖 3-9 為試片 A-E 在攝氏 25 度的電荷保持力，在經過 10 5 秒後，試片 A 仍有百分之 83 ... See full document
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利用高介電長數HfAlO之元素含量做為阻擋層應用在非揮發性記憶體上之研究
... SONOS 非揮發性記憶體。雖然氧化鋁一直是一個做為阻擋層的很好的材 料，但是由於他的 k 值不夠高，所以寫入以及抹除的速度不是非常明顯的快速。 所以我們增加一些 Hf 的材質進入氧化鋁裡面，以期望能提高 k 值。從上面的第 ... See full document
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金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究
... 2.1.5 金屬奈米晶粒 金屬奈米晶粒（Metal nanocrystal）為目前克服傳統記憶體漏電 流問題所廣泛應用的材料，優良特性在於由金屬奈米晶粒捕捉穿隧注 ... See full document
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環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體於非揮發性記憶體研究
... 32 3.2 元件電場模擬 之前的章節已經探討 Corner Effect 對於轉換特性的影響，例如可以降低次臨界 斜率、增加驅動電流、抑制短通道效應.…等優點，本節將繼續討論 Corner Effect 對於 FNT 的影響。首先利用 ISE TCAD 模擬環繞式閘極元件的電場分布，並把模 擬出來的角落電場代入 FNT 的公式，加以探討穿隧電流大小。模擬的元件依照實 ... See full document
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鈷矽氧化奈米點在非揮發性憶體應用之研究
... 個人式電子產品的發展則基於非揮發性記憶體元件的低功率消耗和可攜式。傳統的 非揮發性記憶體是利用複晶矽浮停閘(floating gate)作為載子儲存的單元，而在元 ... See full document
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新穎環繞式閘極複晶矽奈米線於薄膜電晶體非揮發性記憶體之特性分析
... 本文主軸探討新穎環繞式閘極複晶矽奈米線應用薄膜電晶體非揮發性記憶 體之特性。藉由現今天廣泛研究的具氮化矽儲存層快閃記憶體結構為根基，整合 ... See full document
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具矽奈米晶體捕捉層之底部閘極多晶矽薄膜非揮發性記憶體元件
... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 時間過得很快，兩年的研究所生涯將在此告一段落，在此，僅以 此論文做個結尾。本論文可以順利的完成，首先要感謝我的家人，沒 有家人在背後默默的支持與鼓勵，就不會有今天的我，感謝我的父親 廖炯輝先生與我的母親林鳳娣女士，從小我就看著我的父母親為了讓 我們這群小孩衣食無缺，一直勤奮努力的工作著，也一直鼓勵著我們 無論在學生時期或是出了社會工作，都應該好好把握學習進修的機 ... See full document
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