[PDF] Top 20 先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究
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先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究
... 謹記在心並奉為圭臬。 感謝在我博士求學生涯帶我、指導我的張勝傑學長與李耀仁學長。在學校求學以及 在台積電工作的期間，因為有張勝傑學長對我的許多指導與幫助，讓我學到很多，也讓 我人生規劃明確的多。李耀仁學長在學術實驗上嚴謹的態度是我最推崇的，在我畢業前 這一年，也給予我很多課業上的討論與想法。在此也感謝在台積電工作期間一起工作的 ... See full document
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利用雙重微影成像法製作P型金氧半場效電晶體之元件特性和可靠度研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 在本篇論文中，我們利用先前所開發的一種雙重微影成像技術，以 I 射線光學 步進機，成功製作出 80 奈米閘極線寬的 P 型金氧半場效電晶體。這方法使用了兩 ... See full document
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具有超薄N2O退火氮化物閘極介電層與矽鍺通道之金氧半場效電晶體可靠度及通道厚度效應研究
... 誌 謝 在短短兩年的碩士班研究生涯，首先感謝指導教授 張俊彥校長，在 繁忙的校務工作之餘仍耐心地給予實驗室學生們學術上的指導與勉勵，而 老師寬懷的胸襟與遠見更是我們應當學習的目標。其次感謝國家奈米實驗 室之研究員 簡昭新博士，其認真的研究態度與豐富的知識，令學生受益 匪淺。也感謝國家奈米實驗室裡的工程師與實驗群，由於他們在實驗上的 ... See full document
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不同尺寸之P型先進鰭式場效電晶體可靠度之研究
... 造體積小、密度高、功能強與價格便宜的電子元件。對積體電路而言，矽金氧半 場效電晶體是最重要的主動元件，其主要原因在於金氧半電晶體尺寸不斷的縮小 ... See full document
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高介電係數閘極介電層在金氧半電晶體中之電特性及其可靠度研究
... 的電特性及可靠度仍有顯著的影響。 在第六章中，我們仔細地分析高介電係數閘極介電層元件在動態的連續操作電 ... See full document
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先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中電壓溫度引致不穩定性之研究
... 先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中 電壓溫度引致不穩定性之研究 Bias Temperature Instability in CMOSFETs with Advanced Gate Dielectrics 研 究 生：詹前泰.[r] ... See full document
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離子感測場效電晶體對於溫度及閘極電壓應力調變之可靠度研究
... 值測其汲極電流與閘極電壓的曲線，藉由不同的汲極電流與閘極 電壓曲線來定義靈敏度。為了尋求最佳的穩定條件，使用閘極電壓調變量來找出可靠度 ... See full document
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應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究
... 來越多元化，工業界為求減少製造成本，除了不斷的擴大晶圓的面積外，並且微縮電機 體的尺寸，以求能在相同的晶圓面積下有更大的積體電路密度。目前晶圓尺寸以從早期 的 2 吋發展到至今的 12 吋，而元件尺寸也從 1965 年的 100 微米(um)逐漸微縮至今日的 45 ... See full document
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具應變技術之90奈米SOI互補式金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究
... 金 氧 半 場 效 電 晶 體 驅 動 電 流 的 方 法 之 一 ， 尤 其 是 在 90奈 米 技 術 以 下 的 製 程。本 篇 論 文 中，我 們 運 用 了 幾 項 新 穎 與 低 成 本 技 術 來 同 時 提 升 N、PMOSFET的 特 性，包 含 SOI、FUSI、 CESL等 方 法 。 我 ... See full document
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溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體Qgd特性改善研究
... RF 電磁波產生電漿，使其 為輔助能量，使得化學沉積之反應溫度得以降低。將反應腔(chamber)中的 氣體解離產生電漿，電漿使氣體分子變成較具反應性的化學物種而於基材 表面反應，產生固相生成物而沉積成薄膜，且電漿增強化學氣相沈積中用 ... See full document
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先進砷化銦量子井金氧半場效電晶體：元件能隙工程與遲滯效應
... 首先感謝張翼教授提供充足的實驗設備與研究資源，讓我在半導體元件領域 中得以成長。我由衷感謝郭建億博士、涂永義博士、邱昱盛學長、Luc Quang Ho (陸廣湖)學長、徐慶議學長，特別是夥伴徐偉庭同學在研究與繁雜事務上的討論、 支持、分擔，讓我們得以度過 Panasonic MMIC 計畫和 Quinstar RF Device 計畫。 ... See full document
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先進金氧半場效電晶體考慮溫度相依之高頻小訊號及雜訊特性分析
... 雜訊來得大，我們發現其等效熱雜訊電阻 R 將具有負的溫度係數。進一步的研究發現， n 基底的連接電阻 R 所產成的雜訊會不利於最低雜訊指數 b NF min ，且低 VDD 偏壓下的較大 R 對於 b NF min 的溫度相依情形反而影響不大。 舒張形變 n 型 MOSFET(tensile-strained nMOSFET)因為擁有較大載子移動率及和傳 ... See full document
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閘極介電層於矽通道與鍺通道金氧半場效電晶體之研究
... 誌謝 在此篇論文完成之際，我開始回想所經歷過的研究生涯。回想當初繼續攻讀博士學 位的原因，只是一個簡單的理由:因為我還有許多不懂，想再多了解一些。而在經過這些 年後，再度檢驗自己，覺得自己好像多懂了一些，但是好像又發掘更多不明瞭之處，這 才知道原來科學是這麼深奧與廣大，而自己的研究只是眾多領域中之小小一處，更體悟 ... See full document
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金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(II)
... 一、中文摘要 本計畫第二年度研究重點是金屬閘極穩定性分析、高介電常數介電層電特性 分析、金屬閘極與高介電常數材料接觸之穩定性分析。在金屬閘極方面，延續第 一年開發的 Ta-Pt ... See full document
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金屬閘極金氧半場效電晶體關鍵技術(III)
... 常數介電層技術、製程整合技術。 金屬閘極部分，本計畫提出以具有高、低功函數之金屬形成合金，藉由元素比例調 變功函數的技術，以 Ta-Pt 以及 Ti-Pt 為實例，功函數調變幅度可達 1 電子伏特以上，符 ... See full document
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先進材料應用於低溫複晶矽薄膜電晶體和金氧半場效電晶體之研究
... 嚴重漏電流現象。我們認為高介電薄膜所產生的較高電場是引發嚴重的閘極誘發汲集漏 電流(GIDL)的原因，而場發射電流為其主要的漏電流機制。不同介電層的複晶矽薄膜電 ... See full document
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三閘極金氧半場效電晶體利用基極偏壓調變臨界電壓
... III 誌 謝 隨著這本碩士論文的完成，我短暫而充實的兩年碩士班生活也將畫下句點。 在研究上，最要感謝的是我的指導教授 蘇彬老師。老師在專業知識的博學 多聞和謹慎的研究態度，都令我印象深刻；尤其是老師在我研究上的耐心指導和 建議，更令我受益良多。此外，我要感謝 vita 學姊在我還是專題生時對我的幫助 ... See full document
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金屬閘高介電n型金氧半場效電晶體及鰭式電晶體閘極電子穿隧電流的精確模擬
... 在實驗室中，博士班李建志、許智育、李韋漢與張立鳴學長們對於我課業上、 生活上各種問題提供了解決方法，而許智育學長在這段期間，有他的指導與幫助， 使我的研究能夠順利進行。 感謝實驗室的研究夥伴們，與光心君、彭霖祥一起互相鼓勵與討論，學弟妹 們在課業上以及準備口試上也給予我極大的幫助，跟大家一起度過在實驗室的時 間，是這兩年讓我很開心的事。 ... See full document
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具有氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之性能及可靠度
... 使我能夠在研究上能有成果，並且獲益匪淺。在此我要向黃教授和林 教授致上最誠摰的敬意及謝意。 接下來要感謝的是實驗室的學長、同學們，不論是在學術上的討 論，或是一起做實驗的經驗分享，以及在實驗室生活的點點滴滴，都 ... See full document
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鉿金屬高介電值閘極絕緣層之金氧半場效電晶體中本體缺陷增強閘極引發汲極漏電流之研究
... 近 年來，以鉿(Hf)金屬為基底之高介電係數材料取代傳統二氧化矽作 為介電層來降低閘極漏電流已被廣泛研究。然而，大量存在於高介電係數 材料中的本體缺陷將同時降低載子遷移率並劣化元件之可靠度。根據研究 ... See full document
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