[PDF] Top 20 利用原子層沉積系統成長氧化鋁閘極介電層於砷化鎵基板之研究
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利用原子層沉積系統成長氧化鋁閘極介電層於砷化鎵基板之研究
... 謝謝我的實驗伙伴曾治國，總是不厭其煩的提醒我，並給我實驗支援，讓 我不致於顧此失彼；也要感謝其他要一起畢業的實驗室同學以及學弟，還有我 的大學同學，有你們的陪伴，為煩悶的生活裡注入了更多快樂的元素。 除此之外，更要感謝我的父母，將我栽培長大，雖然曾經讓你們失望，但 是沒有你們一路的支持，也沒有今天的我；我的阿公，電話裡有你的聲音，讓 ... See full document
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利用原子層沉積技術成長氮化鈦金屬閘極之金屬氧化物半導體電容元件之研究
... 但是在有問題需要討論時一定會幫我，施奐宇和小蔡學長，也給我很多研究方面 的意見，蔡姐、謝忠諺、莊詠荃和我同屆的好戰友們，我們的研究雖然都很不一 樣，但是我們都一起努力，彼此討論互相給意見，最後一起順利畢業，真的很開 心。還有學弟們，鄭柏賢、林益平、林玉書，在適時的時候都有給我幫助，也讓 ... See full document
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利用有機金屬化學氣相沉積法 研究砷化鎵於矽基板上成核成長之技術
... 本研究論文主要探討，以適當的成長條件，利用有機金屬化學氣相沉積法，直接成長砷 化鎵於矽基板上。於實驗起初，我們將對矽基板進行仔細的化學與熱處理，並適度調控 ... See full document
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利用介面鈍化與電漿處理對原子層沉積二氧化鉿/砷化銦金氧半電容之研究
... 但與學長相處下來學習到從實驗不順利的可能發生原因去作探討，一一將問題列 出去找出答案，嚴謹性不在話下，這才是做研究嘛!還有總是具有過目不忘的能 力實在是令我佩服得五體投地，改天一定要和學長請教請教。 再來想感謝的是哲偉學長，常常關心我實驗的進度，和我聊他念碩士時的心 路歷程，總是能被學長開導，我們一起互相 cover 實驗的日子我會記得的。政廷 ... See full document
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利用原子層沉積與陽極氧化鋁膜製備一維二氧化鈦奈米結構陣列及其光學特性研究
... /AAO奈米管的量子效率分別由0.014、0.018提升至0.210。由 於再結合效應(如同前節所述)，相較於TiO 2 /AAO奈米管，TiO 2 奈米管 有 較 優 異 的 光 電 轉 換 表 現 。 而 當 達 到 空 間 電 荷 限 制 電 流 效 應 ... See full document
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利用電漿輔助原子層沉積法沉積之氮化鉭擴散阻障層及其與銅金屬之附著性研究
... 積 極 在 研 究 取 代 的 方 案 ， 其 中 又 以 使 用 原 子 層 沉 積 法(Atomic Layer Deposition, ALD)最受矚目且被看好，相關的研究也早已如火如荼地展開 [5] 。 如前所述，目前半導體業界是以雙鑲嵌製程製作銅金屬導線，並以 Ta-N ... See full document
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原子層沉積氧化鋁閘極介電層之砷化鎵通道元件電性研究
... 。首先，我們先探討利用原子層 沉積氧化鋁做為閘極氧化層的電容電性，使用 Berlund 積分公式求出半導體表面費米能 階與閘極電壓關係，並且比較不同 D it ... See full document
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原子層沉積三氧化二鋁介電層於砷化銦鎵金氧半電容之電性與化性的研究
... 哲鎮、就舉哥，跟你們住在一起的三個月多，一起吃飯，一起互嗆，尤其是 即將離別的惡靈之夜，不亦樂乎！小林，從大學到研究所的夥伴，咱們的活計算 機，同為三重埔人的驕傲！從你們身上學習不少特質，也認識到更多的朋友，一 同努力的甘苦實驗人生，一同歡笑，難以忘懷！也祝你們在未來的道路上一切順 利，成功的話，請多多提拔小弟我！也感謝邦聖和主元的機台供應，讓你們做了 不少白工，真不好意思！小弟才疏學淺，實驗沒幫你們太多，請見諒！小龜和純 ... See full document
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以超高真空化學氣相沉積系統成長鍺磊晶層於磷化銦鎵/砷化鎵基板之研究
... 為了解決矽半導體元件在線寬持續縮小的趨勢下所遇到的問題，以鍺磊晶薄 膜作為通道材料因應其高電動遷移率(1900 cm 2 /V-s)的特性被視為一種可行的解決方 案。本篇論文首度利用超高真空化學氣相沉積系統(UHVCVD)成長鍺磊晶層於磷化銦 ... See full document
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原子層沉積二氧化鋯/三氧化二鋁於砷化銦鎵金氧半電容之電性與表面化性分析的研究
... 最帥的哲偉學 長啦，平常哈啦歸哈啦，但做起事來一點也不馬虎，看到你對實驗的熱誠，我只 能說認真的男人最帥了!很感謝你這位 FIB 神手，讓我能在實驗上有所進展，也 謝謝你常常關心我的實驗進度，希望你明年 IEDM 發出去時嚇死評委、打趴所有 人!偉大的 NFC 扛霸子，宏基學長，奈中的機台應該沒有你不會的吧!每當機台 ... See full document
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利用電漿輔助原子層沉積系統成長白金奈米顆粒於二氧化鈦基材─直接甲醇燃料電池陽極觸媒之應用
... 13nm 之間。 利用循環伏安法和一氧化碳氧化移除法來研究白金/二氧化鈦電極在酸 性溶液中對甲醇氧化反應之電催化活性。電極的 MOR 電催化活性和一氧化 ... See full document
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具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究
... 也因為這些令人難忘的點點滴滴，豐富了我的碩士班生涯。首先我要感謝我的啟 蒙老師同時也是我的指導老師的荊鳳德教授，有幸進入荊老師的研究團隊確實改 變了我的一生。荊老師不但毫無保留的教導我專業知識外還讓我學習到了為人處 世該有的涵養與態度；此外，也因為荊老師積極的與學界、業界合作，讓在學的 我更能了解業界，做好了邁向職場的準備，順利接軌，不僅僅順利讓我畢業同時 ... See full document
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在氮化鎵上利用液相沉積法成長氧化鋁薄膜
... (atomic layer deposition, ALD) 。但是上述方法都需要高的基板溫度(>750℃)，這會導致在氧化層和半導 體表面之間產生熱變形以及缺陷，因而使得元件的特性下降。本研究著重在使用低溫液相沉積法成長三氧 ... See full document
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利用氮處理改善鈷鈦酸高介電閘極氧化層
... 明顯的幫助。 4.4 結論 本章首先利用 N + 佈植處理，對鈷鈦酸閘極電容結構，進行各種電性研究。 結果顯示，適當劑量的 N + 佈植，有助於電容值的提升，且有減少介電氧化層中 固定電荷的趨勢。不過當 N + 佈植劑量大到 2E15 cm -3 ... See full document
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原子層沉積法成長單晶氧化鋅薄膜之光學與晶體結構特性研究
... 我們成功地利用原子層沉積法成長纖維鋅礦結構單晶氧化鋅薄膜於 c-plane 與 m-plane 藍 寶石碁板，並且利用 X-ray 繞射與穿遂式電子顯微鏡研究其晶體結構特性。 經過高溫退 ... See full document
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在鍺通道金氧半場效電晶體上使用後沉積氧化製造二氧化鉿/三氧化二鋁/氧化鍺/鍺之閘極介電層堆疊結構的研究
... 政庭學長，感謝你在這兩年來的幫忙與指導，一直幫我解決實驗上遇到的問 題，沒有你的幫忙，這些電容、元件是不可能做出來的，在這裡衷心的感謝你， 也希望你接下來的實驗一切順利。哲偉學長，總是拿一些奇怪的東西問你，你也 都不厭其煩的一一回答我，真的很謝謝你，畢業之後聽不到你打嘴砲了該怎麼辦 啊。信淵學長，每次量測時都要麻煩你來解決各式各樣的怪問題，沒有你我的量 ... See full document
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鋯掺入極薄氧化釔高介電係數閘極介電層之效應
... 元件物理、半導體製程、統計學等課，老師以深入淺出的方式將艱深的理論 化做簡單的話語且有系統的教導我，讓我每每在上完課，都意猶未盡。老師 除了教導我課程上的專業知識外，我還從老師身上學到許多待人處世的哲學 和如何有效的利用時間，並且在我方向錯誤的時候，老師會語重心長的跟我 說哪裡錯了？讓我知道自己什麼地方需要改進，我想老師會是我永遠學習的 ... See full document
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利用原子層化學氣相法在TiO2電極上沉積Al2O3覆層以改進染料敏化太陽能電池之光電效能
... 使學生得以完成博士論文及學業。 此外，感謝工研院王麗萍博士對本研究之啟發，使本人得以完成本論文。 感謝台灣大學材料系蔡豐羽教授、林倞同學提供鍍膜儀器與技術。 感謝工研院同仁李佳樺、陳淑貞、陳湘芸提供太電製作與分析技術。 ... See full document
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閘極介電層之原子尺度模式與模擬(1/3)
... 隨金屬氧化半導體技術進步，尺度愈來愈小，使閘極氧化絕緣層的厚度小於 2.0-nm，若製程 進入 70-nm 則以氧化矽之閘極氧化層的厚度，將無法適用，所以需尋找另一種具有較高介電常 ... See full document
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閘極介電層氧化釓於硫鈍化後砷化鎵基板之電物性研究
... 特別感謝鄭兆欽學長，給予我們極大的鼓勵和幫忙，從學長的做實驗 細心態度下學習很多做事情的精神和經驗，相信可以對自己以後有幫助， 也祝他在未來人生能一切順利平安。另外，包括楊紹明學長、陳世璋學長 以及沈志彥學長，感謝他們不僅解答實驗上的疑問，在日常生活中亦不斷 地鼓勵我上進。也謝謝實驗室的其他同學:家豪、熊哥、石頭、小劉、阿壘、 ... See full document
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