[PDF] Top 20 多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究
Has 10000 "多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究".
多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究
... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 隨著論文的完成，忙碌的碩士生活即將劃上句點。首先要感謝我的指 導教授 崔秉鉞老師在論文和研究上的指導，讓學生在兩年中培養了獨立思 考和研究的能力，受益匪淺。老師花了很多時間和精力與學生討論實驗上 的問題並給予指導，從中我學會了縝密有條理的邏輯思考與分析方式。老 師對研究上秉持著正派原則更是值得學生效法。額外一提的是，崔老師不 ... See full document
82
環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體於非揮發性記憶體研究
... 性。而本研究建立於之前的基礎上，將環繞式閘極結構的多晶矽奈米線電晶體與非揮發 性記憶體結合，除了利用環繞式閘極結構提昇電晶體轉換特性，同時也利用其包覆奈米 ... See full document
73
奈米點非揮發性記憶體元件之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 傳統的非揮發性記憶體是利用複晶矽浮停閘(floating gate)做為載子儲存的 單元,當浮停閘儲存由通道注入的電子之後,元件的起始電壓就會發生改變,利用 起始電壓的差異作為記憶體 0 和 1 ... See full document
71
鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單元、 低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極(floating ... See full document
86
錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating ... See full document
91
金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究
... 當奈米點運用於非揮發性記憶體時，可以解決傳統上利用複晶矽浮停 閘做為載子儲存單元的非揮發性記憶體(例如，快閃記憶體)之元件微 ... See full document
94
分離式閘極非揮發性記憶體技術及新穎多晶矽電子抹除式唯讀記憶體之研究
... 誌謝 首先我要向我的指導教授雷添福博士致上最高的敬意。感謝他在學業研究與 生涯規劃上給我的指導與鼓勵。此外，我要感謝台積電的王中樞資深處長和林詠 濤處長的栽培和幫助、以及非揮發性記憶體部門同仁在技術方面的討論和建議， ... See full document
113
前瞻非揮發性記憶體元件之研究
... SONOS 非揮發性記憶體的研究方面，本論文利用高密度電漿化學 氣相沈積製作含有多能阱(trap)之載子儲存氮化矽層或其他介電質。由於高密度 電漿化學氣相沈積薄膜，於沈積過程中具有較高的離子轟擊效應，導致形成的薄 ... See full document
148
含鍺摻雜氮化矽薄膜在非揮發性記憶體應用之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 對最廣為使用的非揮發性記憶體 ─ 快閃記憶體而言，通常會遇到兩個瓶 頸：一是在元件尺寸繼續微縮下之瓶頸，由於尺寸微縮後穿隧氧化層(或閘極氧化 ... See full document
100
具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究
... 摘要 多晶矽薄膜電晶體在過去已經廣泛地被使用在顯示面板上。為了未來更進一 步系統面板的整合應用，在資料儲存、訊號處理以及可攜帶式系統的減少功率方 面都必須去研發多晶矽的非揮發性記憶體技術。由於與多晶矽薄膜電晶體製程匹 ... See full document
73
氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究
... 博士論文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Parti[r] ... See full document
2
金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究
... 操作下衍生出元件可靠度的問題。早期的非揮發性記憶體因為 floating gate 是由 Poly-si 所組成，在高電壓操作下，容易對矽和 二氧化矽造成傷害，使元件的可靠度降低，嚴重時將造成元件的損 ... See full document
42
電偶極工程與高介電係數阻絕層於氮化矽與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 真的很開心能夠加入老師帶領的實驗室。 接下來就是要感謝實驗室的各位學長，同學以及學弟們。振華學長，感謝你對我問 題上的指導以及關心。豪育學長，有問題向你請教時，你也都會很耐心的為我們解答， 謝謝學長。明瑞學長，感謝學長在旺宏的計畫時給我很多指導與幫助，學長在我們升碩 二時就回宜蘭了真是太可惜拉!志彥學長，真的很感謝學長實驗上給我的幫助，如果沒 ... See full document
106
以金-硫化鎘殼核奈米粒子為懸浮閘極之非揮發性記憶體研究
... 5. 將第三步驟改為抹除電壓-35 V, 1sec 後，進行量測。 6. 每隔一段次數後，對記憶體進行讀取動作，量測次數通常為 10 4 次。 由圖 4-12 我們發現金‐硫化鎘殼核奈米粒子這組隨著寫入與抹除次數越多，其記憶 窗也越來越大，推測可能是由於元件的寫入電荷大於抹除電荷造成奈米粒子中的電荷並 ... See full document
73
新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 研究上或平日會議時給我的非常多地指導與幫助，令我獲益良多。 感謝眾學長們帶我進入半導體領域，包括李名鎮、張子云、俞正明、李介文、 王哲麒、以及李宗霖學長對我的照顧及協助。特別要感謝我所帶過的兩位學弟棟 煥、宗元與錦石，此論文是我們一齊努力出來的成果。此外，已畢業的李美錡及 謝德慶同學，謝謝你們陪我度過漫長的實驗時間。也感謝實驗室裡一起研究的夥 ... See full document
191
奈米金屬鎳/鎳矽化物晶粒之非揮發性記憶體製程與研究
... 2-1 The C-V hysteresis of Ni nanocrystals memory with Metal RTA 400 process after forward (from inversion to accumulation region) and reverse (from accumulation to inversi[r] ... See full document
60
鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生：葉睿龍 Student：Jui-Lung Yeh[r] ... See full document
2
懸浮閘和SONOS非揮發性記憶體元件特性及可靠度分析之研究
... 誌謝 時間很快就過去了，轉眼間又要到畢業的日子，在研究所這幾年來學到許多正確 學習觀念和課本學不到的一些元件物理概念與想法，而這些都要感謝指導教授黃調元博 士和林鴻志博士細心和嚴格的教導，讓我在研究的過程更加嚴謹以致發掘更多想法與觀 念，每次都能突破一些瓶頸與困難，使得論文更加完整。林博常說要有正確的觀念與想 ... See full document
72
單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究
... 第五章 結論與展望 5-1 結論 本論文使用多次旋塗碳管的方式製作碳管網絡，並探討其應用於薄膜 電晶體和非揮發性記憶體之性能。在薄膜電晶體方面，分別探討碳管塗佈 次數與元件尺寸對元件特性的影響，發現碳管塗佈次數增加，元件導通電 ... See full document
111
新式非揮發性記憶體元件之研究(I)
... □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 ... See full document
7
相關主題