• 沒有找到結果。

[PDF] Top 20 奈米點非揮發性記憶體元件之研究

Has 10000 "奈米點非揮發性記憶體元件之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "奈米點非揮發性記憶體元件之研究".

奈米點非揮發性記憶體元件之研究

奈米點非揮發性記憶體元件之研究

... 同時我也要感謝羅正忠教授, 曾俊元教授, 劉柏村博士參與指導我的碩士論 文口試, 泩宏非常榮幸也由衷的祝福及感謝。 終於, 到了最末, 大家各奔東西, 以往與大家相處的各種時光也許不在, 不 知以後各位仍能得? 顏碩廷學長帶領了我完成實驗及碩士論文, 沒有碩廷學 長也沒有這篇論文, 泩宏非常感謝。 蔡宗鳴, 陳紀文學長在我疑惑的時候幫我解 惑; 葉炳宏學長提供 TEM 的協助; 楊富民, 陳世璋, 王敏全, ... See full document

71

鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

... 摘要 (NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度單元、 低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極(floating ... See full document

86

具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究

具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究

... 電材料。相比之下,我們亦將直接以同時濺鍍鎢及介電材料如二氧化矽(SiO 2 )或 氮化矽(Si 3 N 4 )沉積載子儲存層的方式來形成鎢包圍在介電層中的結構做 論述。再者,為調變鎢及矽兩者成份含量比例而直接由同時濺鍍沉積的製作也將 於此論文中加以研究。此外,我們也針對鍺成份加入矽化鎢薄膜,對後續鎢金屬 ... See full document

160

前瞻非揮發性奈米點記憶體元件之製作與特性研究

前瞻非揮發性奈米點記憶體元件之製作與特性研究

... 協助我能一步步的將這個學位完成,在此再次用感恩的心感謝所有指導過我的老 師以及所有提供我研究資源的機構。 研究所生涯有許多滴滴,這些也是助我成長的原動力,首要感謝伴我度 過研究所生活的學長們,有紀文、炳宏、宗熺、峻豪與世青學長,有你們的無私 的經驗傳授,我才能開拓知識,感謝清大的俊文與偉鑫學長,沒有你們的 TEM 幫助,這本博士論文將會難產,感謝 418 的兆欽、怡誠學長與心卉學姐,有你們 ... See full document

204

氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究

氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究

... 博士論文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Parti[r] ... See full document

2

錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

... 摘要 (NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating gate)在操作過程中如果穿隧氧化層產生漏電路徑會造成所有儲 ... See full document

91

前瞻非揮發性記憶體元件之研究

前瞻非揮發性記憶體元件之研究

... 誌謝 執筆至此,表示論文寫作已告一段落,在寫作的過程中,一直在思索該如 何寫致謝這一部分,偏偏到了現在開始動筆了,卻不知道如何用文字表達我的 感謝意。我一直覺得生命中充滿貴人,來到交大後,師承的兩位師長也就 是我的貴人。施敏教授給學生很自由的空間,言談之中處處充滿啟,讓 我在做研究時,找到方向,更常藉著一些小故事,鼓勵我應該更努力;在待人 ... See full document

148

金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究

金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究

... 此外要特別感謝炳宏學長,他亦師亦友的指導,讓我在學習上完全沒有壓力,並且 給予我極大的實驗自由展空間,讓我能徹底了解,親身參與整個實驗,這是我在碩士 班期間最大的收穫。還有紀文、土撥、敏全、興華、永俊、世青、致宏、富眀、大山諸 位學長,謝謝你們在我實驗上遭遇難題時給予適時的建議與鼓勵,沒有你們的幫助這篇 論文是無法順利完成的。同時也要特別感謝一起努力的同學雁雅,她總是不厭其煩的教 ... See full document

94

鈷矽氧化奈米點在非揮發性憶體應用之研究

鈷矽氧化奈米點在非揮發性憶體應用之研究

... 個人式電子產品的展則基於元件的低功率消耗和可攜式。傳統的 是利用複晶矽浮停閘(floating gate)作為載子儲存的單元,而在元 ... See full document

105

新式非揮發性記憶體元件之研究(I)

新式非揮發性記憶體元件之研究(I)

... □出席國際學術會議心得報告及論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式:除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外,得立即公開查詢 ... See full document

7

鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生:葉睿龍 Student:Jui-Lung Yeh[r] ... See full document

2

新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與研究

新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與研究

... 一、中文摘要 近年來,薄膜電晶(TFT)與奈 (nanocrystal)的應用技術展受到相當大 的矚目,薄膜電晶目前廣為液晶顯示器 (LCD)產業所大量使用,而奈則是可以 運用於在儲存上,因其可 ... See full document

5

奈米點記憶體元件之製作及其電性特性研究

奈米點記憶體元件之製作及其電性特性研究

... nitric acid oxidized ZrO 2 film as tunneling oxide shows a 10V memory window and.. 2.1V of memory window in the retention measurement.[r] ... See full document

176

矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究

矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究

... 士、護理師 碩三、我再度回到熟析的 U 新竹 U ,感謝崔秉鉞老師實驗的 U 振欽、振銘、 U 曉萱 U 、 U 雨蓁及一些學弟妹們的幫忙,使我機台複習與實驗的規劃才能夠順利進行,也讓 研究所的日子能夠在這個像大家庭的環境裡生活。吳耀銓老師則鼓勵我。受到大 家許多的照顧。同學、學長、學弟妹們, U 貴宇 U 、 U 成能 U 、 U 培堃 U 、 U 聖杰 U 、 U 述潁 U 、 U 凱 庭 U 、 U 派璿 U 、 U 佑書 U 、 ... See full document

134

利用矽鍺氧與矽鍺氮薄膜形成鍺奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

利用矽鍺氧與矽鍺氮薄膜形成鍺奈米點在非揮發性記憶體應用之研究

... 在新竹兩年的研究生涯裡,非常感謝和我朝夕相處的學長、同學、學弟們;感 謝奈組的峻豪、緯仁、世青、富明、致宏、大山、立偉、昭正、星舟、佳州學長, 感謝你們在實驗上給我許多寶貴的意見,在你們身上我學習到許多專業的學識及實 驗的技巧。同時,也要感謝快速電子實驗室的宗霖、宗熺、漢譽、聖懿、心卉、怡 誠、兆欽、弘斌學長姊們,除了平時對我的照顧及關心之外,也從你們身上學到許 多研究的精神。 ... See full document

116

懸浮閘和SONOS非揮發性記憶體元件特性及可靠度分析之研究

懸浮閘和SONOS非揮發性記憶體元件特性及可靠度分析之研究

... 誌謝 時間很快就過去了,轉眼間又要到畢業的日子,在研究所這幾年來學到許多正確 學習觀念和課本學不到的一些元件物理概念與想法,而這些都要感謝指導教授黃調元博 士和林鴻志博士細心和嚴格的教導,讓我在研究的過程更加嚴謹以致掘更多想法與觀 念,每次都能突破一些瓶頸與困難,使得論文更加完整。林博常說要有正確的觀念與想 ... See full document

72

奈米點記憶體元件之製作與物理機制研究(II)

奈米點記憶體元件之製作與物理機制研究(II)

... 用半導相關的低溫製程以形成奈 ,以期能應用於薄膜電晶顯示器產 品。後處理製程如氫電漿、氨電漿與超 臨界處理等將研究以改善奈本身的 穩定度與可靠度。第二年將針對元件結 構改進製作研究,並將驗證奈 ... See full document

20

多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究

多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究

... (TiN) 晶粒 的捕陷電荷層設計。採用 P 型参雜的多晶矽閘極和高 K 值的阻隔介電層 分別是為了降低抹除時的背向注入漏電流與較低的操作電壓。氮化鈦晶粒的形成是 利用將原子層沉積裝置多次循環層積所得的氮化矽與氧化鋁層退火所得到的。此多閘極 ... See full document

82

具矽奈米晶體捕捉層之底部閘極多晶矽薄膜非揮發性記憶體元件

具矽奈米晶體捕捉層之底部閘極多晶矽薄膜非揮發性記憶體元件

... 也希望老師能夠永保安康、事事順心。 再來就要感謝帶領我做實驗研究的吳翊鴻學長,感謝學長在我初 接觸此研究領域的時候,耐心的解答我的問題,總是不厭其煩一直糾 正我錯誤的地方,不管是製程觀念、流程以及儀器訓練上面都給予我 最大的支持與協助。在論文方面也給予我很大的建議與協助,沒有吳 翊鴻學長的真心相挺,我相信我的研究以及論文絕對無法這麼順利的 ... See full document

79

前瞻非揮發性奈米晶體記憶體元件之製作與特性研究

前瞻非揮發性奈米晶體記憶體元件之製作與特性研究

... 挑戰他,也是我從老師平時的教導中領悟到的。張鼎張教授對於我的 研究方面的指導更是不遺餘力,在研究的過程當中碰到困難時,都會 給予適當協助,並排除問題,在平時老師也會很親切的關心學生的生 活以及近況,造就學長與學弟間相處融洽的氣氛以及充滿歡笑聲的 環境,這些都是令我難以忘懷的。非常感謝兩位老師在我博士求學的 ... See full document

119

Show all 10000 documents...