[PDF] Top 20 a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析
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a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析
... 還記得第一年的 meeting 幾乎每次都會犯錯被老師念，到後來被念的次數漸漸的減少， 這應該表示著自己或多或少有點成長吧。實驗的過程中也遇到許多挫折，還記得有陣子 我的 devices 怎麼作怎麼死，但也都一一克服了。 很感謝這兩年裡，林鴻志老師和黃調元老師的指導，大概我們從碩一開始的不成熟 ... See full document
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a-IGZO 薄膜電晶體的製作與特性分析
... ADTL 的所有夥伴，包含林哲民學長、蔡子儀學長、林政頤學長、郭嘉 豪學長、李克慧學姐，感謝你們在實驗上和元件分析上對我所有的指導與幫忙! 還有同屆 的夥伴們，歷樺、宇賢、嘉文、段凱、崇名、孝雄，還有 my lover 俊鵬，有實驗室大家的 陪伴、玩鬧和閒聊，讓我更加了解大家並且紓解自己做實驗的壓力，雖然我愛人先跑去 tsmc ... See full document
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未摻雜之氧化鋅薄膜電晶體的製作與特性分析
... 接下來我要感謝實驗室的成員，因為他們的協助，讓我可以順利的完成實驗。第一 次做實驗帶領我的郭嘉豪和呂榮哲學長，無論是機台或觀念有不懂都會不厭其煩地主動 指導我，還有在討論實驗遇到的問題和現象，總是可以提出精闢的看法。此外，其他學 長姐，蔡子儀學長、林政頤學長、鐘嘉文學長、謝博璿學長以及李克慧學姊在我實驗遇 ... See full document
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具有昇起式源/汲極之多晶鍺薄膜電晶體的元件製作與特性分析
... 於實驗上我所遭遇的問題幾乎都可迎刃而解。另外要感謝張佑寧學長，教導我鍺 元件的製作與實驗上的幫助。 感謝簡博於實驗及修課中的支援，使得你那俊俏的cos照更加帥氣；感謝家 維兄，總在我最難過時伸出援手，我不會忘記馬偕的那個夜晚；感謝正瑋兄，不 ... See full document
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多晶鍺奈米線薄膜電晶體與無接面多晶矽奈米線場效電晶體製作與特性分析
... Ge 的世界載浮載沉。謝謝簡敏峰，你渾然天成的宅氣與資深酸民功力真的 讓我開了眼界，很有趣。真的很感謝同屆的同學，讓我覺得 631 是一個開心的地 方，與你們相處真的很快樂也學了很多，謝謝你們畢業之後還是關心我的進度與 ... See full document
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多重通道及多重閘極的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體的製作與特性分析
... Fabrication and Characterization of Metal-induced Lateral Crystallization Polysilicon Thin-film Transistor with Multi-channel and Multi-gate.[r] ... See full document
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非對稱蕭特基能障薄膜電晶體與浮停閘極記憶體元件之製作與特性分析
... 能給予希望，讓我知道我們的努力不會是白費的，真的很謝謝你。再來，實驗室 的學姊李克慧會與我分享生活的點滴，聊聊女生的話題，分享好看的電影跟韓 劇，生活中多了樂趣。蔡子儀學長在無塵室的許多幫忙，還有製程上的指導，讓 ... See full document
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具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析
... 誌 謝 首先要感謝的是我的指導教授，黃調元博士與林鴻志博士。黃老 師寬廣的眼界與嚴謹的態度使我獲益匪淺，而林老師對研究的熱忱與 對觀念的重視更是鼓舞我積極向前。老師們的所有建議與話語我都將 銘記在心，品味再三。接下來要感謝的是所有曾為實驗室付出過的學 ... See full document
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一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體製作與特性之研究
... 誌 謝 首先我要感謝的是指導教授 趙天生博士、 林鴻志博士與 黃調元博 士，在碩士班兩年的時間裡給我研究的方向並讓我了解如何做研究，如何 去分析問題，並且感謝他們無論在生活上、學業上給我的關心、鼓勵與鞭 策。接著特別感謝實驗室帶我的李明賢學長、蘇俊榮學長，從實驗儀器的 ... See full document
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熱退火條件之於IGZO金屬氧化物薄膜電晶體特性影響之研究
... 察 a-IGZO 薄膜電晶體的電性分析。在量測時，觀察到 a-IGZO 薄膜電晶體在真 空環境熱退火與在大氣環境熱退火會有截然不同的現象。在真空環境底下熱退火 ... See full document
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N型多晶矽薄膜電晶體元件製作與高頻特性分析
... 在 ADTL 這個實驗室，認識了很多人，不管是在研究上、生活上，都給我 莫大的幫助。蔡老大總是很用心的帶我做研究，不厭其煩的回答我一些蠢問題， 在製程上的經驗非常老到，幫我避開了很多會在製程上遇到的問題，省了很多時 間，雖然隨著我們越來越熟，你充滿色彩的笑話也常讓我無法接話，不過衷心覺 ... See full document
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InGaZnO4 非晶透明導電薄膜的物性研究與以其製備的薄膜電晶體特性
... ETA-SL 的示意圖；它 原本是拿來做薄膜厚度量測的；實務上量測前要先建立一個資料庫， 把各種厚度的穿透率都先建好檔；以後欲知同一種材料的待測物厚度 時，即可把量到的穿透率和資料庫中的值做比較，即得知樣品的厚 度。我們則是利用此機器來直接量測樣品的穿透率；而此機器最重要 ... See full document
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多晶薄膜電晶體通道層缺陷分布分析與多晶鍺薄膜電晶體之研製
... 極之蕭特基複晶矽膜薄電晶體。僅需要單一個電晶體和兩條在室溫之下的次臨界電流- 電壓量測即可萃取出全能障區缺陷密度。不同製程處理的影響可以用這個方法清楚地 ... See full document
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以金屬誘發側向結晶之多晶矽薄膜電晶體的製作與分析
... 再來要感謝的則是學長們，對一個八竿子打不著的電信系畢業的我來說，沒 有學長們的指導我大概無法適應與磨合電子所應具備的基礎知識。特別是阿賢學 長以及 Benson 學長，常常大半夜的陪我 training 機台、陪我做實驗、以及幫我 分析 ... See full document
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具有新式副閘極結構的低溫複晶矽薄膜電晶體的製作與分析
... 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ ※ ※ 具有新式副閘極結構的低溫複晶矽薄膜電晶體 ※ ... See full document
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結構化高分子薄膜電晶體之製程開發與電特性分析之研究
... 結構化高分子薄膜電晶體之製程開發與電特性分析之研究 Study on the Process Development and Electrical Characterization of the Patterned Polymer Thin-Film Transistors 研 究 生：王祐圻 Yu-Chi ... See full document
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新穎三閘極電晶體與薄膜電晶體之製程技術與特性研究
... Then, some twenty-five years latter, it became the predominant technology in very large scale integrated circuits. To approach the benefits such as high performance, high operation speed, high device density, low power ... See full document
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元件圖案相依的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 中文摘要 在此論文中，我們首先提出一個以標準四道光罩，所製作之元件 圖案相依的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體。根據實驗結果顯 ... See full document
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P型有機薄膜電晶體之製備與特性研究
... 每種分子原始的結構而不考慮其他特殊的衍生物。較早之前有關於這方面 的研究提供了某些元件的載子移動速率以及開/關電流比，然而這些元件 在大氣中並不穩定，有些材料可以提供元件在大氣中有限的穩定度，但是 其電荷傳輸的性質非常差，而且這些材料在製程中沒有適當的溶劑能溶 ... See full document
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具有副閘極結構之雷射退火複晶矽薄膜電晶體製作與特性研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 複晶矽薄膜電晶體已經廣泛的使用在液晶顯示器的畫素控制元件。而為了達 到將週邊驅動電路與畫素控制元件整合在同一大面積玻璃基板的目標，低溫多晶 ... See full document
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