第六章 台灣實證研究
6.3 個案(二)：台灣經濟部「兩兆雙星」政策之 IC 產業案例(2005 年)
6.3.2 IC 產業的前瞻類型與前瞻結果
圖 30 IC 產業前瞻的領域選擇類型
B. 前瞻領域選擇的方法
在數據資料有限且並不易以模型預測長期發展下，本個案採用德菲法 進行 IC 產業前瞻。該問卷的設計形式以台灣的需求角度出發，從質性問 卷到量化問卷針對主要四項(未來十年的)議題進行設計及調查。
C. 前瞻領域選擇的假設
核心技術將包括：低於 0.1µm 的奈米技術、CMOS、銅製程技術、SIP、
內嵌式技術等。到了 2015 年，核心技術將包括：CMOS、銅製程技術、
低於 0.1µm 的奈米技術、High K 等技術並列第一，內嵌技術、3D 封裝技 術等次之。圖 31 依據專家回卷的意見整理，以重要性(Importance degree) 及可行性(Availablility degree)將 17 項技術指標分布於圖形中。所謂的可 行性係將台灣廠商的全球市場掌握度、技術水準、產品水準、產業結構等 CNT -FET
Si-Ge SoC testing
SoC integrated 3D package
MRAM OUM
BIST /DFT
3D
圖 31 技術的重要性(Importance)及可行性(Availability)矩陣
部份專家認為台灣在 SIP，WLP，3D 封裝，3D 製程及內嵌技術具有 全球性優勢，但是德菲問卷共識的程度僅達到 25%。而在 CMOS，銅製程，
低於 0.1µm 的奈米級製程技術及 SIP 方面，過半數(50%)以上的專家呈現 出共識。
♦ 具吸引力的新技術方面：銅製程、奈米碳管顯示、High K 技術為未來 可以進行技術移轉重點。
針對台灣所欠缺的技術，部份可以採取技術引進方式引進技術。專家 同意可以引進的技術包括有：低於 0.1µm 的奈米級製程技術、高頻製程、
低 伏 特 數 的 CMOS 及 矽 智 財 等 。 具 備 產 業 結 構 優 勢 的 技 術 項 目 僅 有 BIST/DFT 一項。產品面上，矽鍺技術、內嵌式技術、高頻製程、低伏特 CMOS 等有最高的共識。一般而言，低伏特 CMOS、高頻製程、內嵌式技 術、SIP、低於 0.1µm 的奈米級製程技術等在四項指標上有相對較高的共 識形成。
♦ 企業策略方面：國際化級策略聯盟至為關鍵
台灣 IC 代工、光罩在全球名列第一，IC 設計名列第二，DRAM 名列 第三的主要競爭優勢來源是優質人力及成本管控等。但是技術的趨勢是全 化的、標準化的，未來若要在 IC 產業方面維持全球領先的競爭優勢，與 特定技術領先廠商的聯盟、合作、技術引進等將是重要的觀察指標。2005 年台灣 IC 產業的人力缺口約為 6,600 人，如何補足這一些人才也是重要 的課題，可以採取的策略，如：吸引國外人才(大陸、印度)，或是利用台 灣資本及知識密集的優勢進行跨業合作等，如：華邦、茂矽、南亞等成立 DRAM 聯盟等。
♦ 產業結構方面：不在是整合模式(No More Integarated Model)
12 位專家當中的 11 位認為 IC 產業邁向 2015 年的過程中，產業的結 構將不會是以整合策略作為主軸。主要的因素是為了降低營運成本及風險 等考量，尤其在利潤率持續下降、設備投資越來越高的情形下，產業整合 將會帶來提高成本、風險的負面效果。認為未來五年台灣將維持相同競爭 優勢(信心度)的專家約佔一半，部份認為台積電、聯電仍保相當的競爭優
勢；另部份認為大陸廠商應會在不久的未來產生商場上的威脅。以下將台
108,820 (100%) 的複合平均成長率(Compounded Annual Growth Rate；CAGR)為 20.6%，
2005 年至 2010 年為 16.4%，2010 年至 2015 年為 15.0%。
個案結論：(a) 2015 以前產業全球化仍將持續進行，主要的因應策略 是引進新技術、吸引國外優秀人才及策略聯盟等。(b) 台灣到了 2015 年 是否仍可以保持 IC 產業的競爭優勢方面，有 58.3%的專家對表示負面態
度，有 41.7%的專家對表示正面態度，但認為產業結構與發展重點將有必 要進行調整。(c) 2015 年主要的核心技術將為：CMOS、High K、低於 0.1µm 的奈米級製程技術、銅製程技術。(d)台灣 IC 產值可望於 2015 年佔世界 總產值的三分之一。
但是面對不確定的未來，依據專家具有共識的意見中，有以下四項策 略可以思考：
策略一：持續依照技術地圖發展新技術—依據專家共識的 2010 年、2015 年新一代明星產品及技術進行研發工作。2005 年以進行 CMOS、
SIP、低於 0.1µm 的奈米級製程技術、嵌入式技術及銅製程技術 開發為主軸。2005 年至 2010 年之間，應以發展出 High k 技術(重 要程度增加 2.9)、低於 0.1µm 的奈米級製程技術、銅製程技術高 頻通訊元件技術及 WLP 等為重點。2005 年至 2010 年之間，開 發出 MRAM、3D 封裝、SoC 整合技術、SoC 測試技術及 BIST/DFT 等新技術。政府方面則應該鼓勵廠商進行技術或研發的策略聯 盟、設置研發中心等活動。
策略二：強化人才的引進與培訓—面對 6,600 的人力缺口，政府考量採去 以下措施：(a)建置產業技術訓練學院；(b) 吸引海外、大陸、印 度的優秀技術人才來台；(c) 促成更實用的產學研技術項目。
策略三：調整成具備創新能量產業結構—強化產業創新能量的措施有以下 建議：(a) 鼓勵國外研發中心來台並與本地之上、中、下游廠商 聯盟，開發新一代技術、標準或營運模式的可能；(b) 租稅減免 的項目依據新一代技術項目進行調整； (c) 針對次世代技術投 資(12 吋晶圓廠以後)方面，政府可以鼓勵廠商以聯盟方式獲得政 府的補助；(d) 有鑑於本土設備開發率過低，新一代設備投資建 議以與國外大廠合作為優先補助項目。
策略四：朝向高附加價值產品進行研究發展—(a) 台灣 IC 設計業具有成 本及彈性的優勢，國外領導型的 IC 設計公司則擁有先進技術並 可以主導標準，台灣的 IC 設計廠商應思索如何與之合作或競 爭；(b) 台灣製程廠商具有規模經濟優勢與成本優勢，依據施振 榮(C. Z. Shieh, the founder of Acer)建議朝向以微笑曲線的兩端 移動，並建立自有品牌形象 (c) 未來市場方面，在新一代技術
開發完成後，將對通訊市場及消費性電子市場產生影響，應當可 以及早配合佈局；(d) 與大陸的競爭及合作關係可以透過協商避 免相互侵蝕彼此的競爭力。
本案例屬於很標準的類型 2 前瞻，類似的案例還有國科會每一年的領 域技術預測(如：材料、生技、奈米等)，類型 2 是目前台灣技術前瞻領域 中最多的類型。