[PDF] Top 20 利用特性要因分析法改善場擴散金氧半場效電晶體製程

... 壓能力。而垂直式功率元件的優點則是源極可利用的面積增加，和 在閘極聚積的電場被減低，因此可達到較高的功率，但卻無法與現 今的半導體技術整合。 現階段功率元件電路的設計大多以雙擴散金氧半電晶體(Double diffused ... See full document

... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 在本篇論文中，我們利用先前所開發的一種雙重微影成像技術，以 I 射線光學 步進機，成功製作出 80 奈米閘極線寬的 P 型金氧半場效電晶體。這方法使用了兩 ... See full document

... 在本篇論文中，我們發展出一種新穎的雙重微影成像技術，利用 I 射線光學步 進機，成功製作出 100 奈米閘極圖形的 N 型金氧半場效電晶體。這方法包含了兩 次光學微影，以及蝕刻製程來形成閘極圖形。雖然製程較傳統標準作法複雜，但 ... See full document

... 誌 謝 本論文承蒙指導教授吳耀銓老師悉心的指導並指點我正確的方 向 ，始能 順利完成，於此至上最誠摯的謝意。 又公司老闆容忍在下偶而將重心放在課業，半導體在職專班同學兼同 事鍾逸夫先生在課業上的討論，讓學業得以順利完成，以及公司的擴散工 程部門及製程整合部門同仁均熱心提供諸多寶貴的意見及實驗上的幫忙， ... See full document

... 在本篇論文中，我們首先藉由模擬的方式去探討離子的植入條件 對雙擴散汲極金氧半場效電晶體在電性上的影響，藉此去了解其發生 的物理機制，並將由模擬出的結果及趨勢，選擇最適當的條件以改善 元件的特性。從過程中，我們發現將植入能量提高，可以提升元件的 ... See full document

... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 隨著實驗進度和成果一天一天的完成，也代表在交大校園的碩士生涯將慢慢 地告一段落，雖然在實驗、生活和各方面上協助過我的人許多為一面之緣，但是 你們的熱忱和愛心讓小弟不得不先和你們致上深深的敬意。再來，能順利完成這 個學位，當然要非常地感謝我的兩位指導教授-羅正忠博士及邱碧秀博士，他們 在實驗研究與論文上不但給予充分詳實的指導與鼓勵外，也讓我從他們身上學到 ... See full document

... 摘要 本論文系統化地探討了三種重要的本質參數變異：隨機參雜濃度變動 (Random Dopant Fluctuation)、線邊緣的粗糙程度 (Line Edge Roughness) 以及 等效氧化層厚度變異 (Equivalent Oxide Thickness Variation) 對於多重閘極金氧 ... See full document

... 的低電阻值。元件是 利用電晶體中電荷補償的觀念。因此跨在外加的 p-column 及 n 型磊晶接面上的最大電場 將會減小，如此一來，元件的耐壓就可以提升。藉由提高 n 型磊晶區域的濃度，將會得 到一個低電阻值而可以有效降低元件的導通電阻將近 22 %。另一方面，對 ... See full document

... 感謝小我一屆的三位學弟：凱勛、鈞皓及柏廷；感謝在工作態度上與我最相 近的凱勛，你接下我的報賬業務，交接上因為你的一點就通，使我毋須多耗費精 力在雜務上，讓我能專心於研究，完成畢業論文，相信你也能順利完成碩士學位； 感謝處理了實驗室許多雜務的鈞皓，有你處理這些業務，相信這些任務都能順利 完成；感謝陪我打球的柏廷，因為有你，使我碩二的生活增加了許多打網球的樂 ... See full document

... 圖七、汲源極電壓為 10V 時，元件互導值 的特性曲線圖 四、 結論 在本年度的計畫中，我們利用光電化 學氧化法完成了氮化鎵材料的 MOS 元 件，更在成長後的氧化層進行高溫熱處理 使其更加緻密化，進一步的降低漏電流並 增加崩潰電場。MOSFETs 元件操作在 10V 順向偏壓下其漏電流為 50pA，而在逆向偏 ... See full document

... 本計畫第二年度研究重點是金屬閘極穩定性分析、高介電常數介電層電特性 分析、金屬閘極與高介電常數材料接觸之穩定性分析。在金屬閘極方面，延續第 一年開發的 Ta-Pt 二元相合金，我們發現利用摻雜氧成份可以提高熱穩定性，在 700℃以下無晶相變化，在 800℃才會有 Ta 2 ... See full document

... 國立交通大學 電子物理學系 摘 要 在本論文中，我們利用傳統 I-line 步進機發展一新穎雙重微影技術，可將閘極 長度微縮至 80 奈米；而後改良此雙重微影製程可進一步縮小其線寬以製作出次 60 奈米線寬圖形，並將之用於 45 奈米 n ... See full document

... 誌 謝 學期結束，代表青澀的學生時代劃下了完美的句點，歷經了兩年 碩士班的努力和奮鬥，終於得到了豐碩的成果，也留下了滿滿的回 憶。這一路來要感謝許多人，首要是我的指導教授張俊彥院士，老師 對於學術的熱忱及分析事物的觀點都深深的影響我做研究的態度。感 謝國家奈米元件實驗室研究員陳坤明博士和黃國威博士在研究上經 驗的傳承以及提供完善的實驗設備與資源，並給予我最完善的建議。 ... See full document

... 低。為了能更進一步了解元件參數對高頻特性的影響，我們以小訊號等效 電路將其參數萃出作為分析比較。實驗結果顯示，ring 結構之所以有較佳的 特性是由於其寄生的汲極電阻比 fishbone 來的小。在 ring 結構中，汲極擺 在閘極外側能有效的增加汲極面積，降低汲極電阻，進而達到降低元件開 啟態電阻的目的。我們所設計的 ring ... See full document

... 一字一句皆對日後有著深深的啟發，研究的日子中，偶有迷途之意，所幸老師拉 了學生一把，讓學生有更廣的視野。 實驗室中的謝振宇學長，給予意見並相互 討論，對晚生有著前人經驗引之為鑑； 另外，李韋漢學長是研究此領域的先驅， 建立在其經驗上，使實驗進行的更順利； 而許智育學長則給予很多建議，這二 年在實驗室的日子中，或有挫折困頓之時，許學長總耐心聆聽著，也從中給予意 ... See full document

... 國立交通大學 電機學院 電子與光電學程碩士班 摘 要 橫向擴散金氧半場效電晶體(LDMOS)已被廣泛應用於無線基地台的應用，因為其優 ... See full document

... 本節最後對各個製程參數漂移及隨機掺雜濃度變動，所引起之起始 電壓變量做加總並比較，藉以瞭解那一種長寬比元件具有較小的起始電 壓變化。圖 3-11 為不同長寬比的厚絕緣層多重閘極電晶體的起始電壓變 量總和比較圖，由圖中可看出，對低掺雜通道元件而言，鰭式場效電晶 ... See full document

... 工作也十年，全心全意投入在先進元件的研發，感謝台積電給我這個在職進修 的機會，讓我得以在有經濟支援的前提之下，完成這個學位。在這個大家庭中， 我見識到許多典範。藉由模仿他們，我能不斷進步。感謝王世維，王美勻，朱哲 民，吳啟明，李宗鴻，林彥君，林憲信，林獻欽，林躍任，唐永渝，張勝傑，梁 英強，許義明，陳建良，彭遠清，程冠倫，黃志翔，楊士洪，詹前泰，蔡俊雄， ... See full document

... 謹記在心並奉為圭臬。 感謝在我博士求學生涯帶我、指導我的張勝傑學長與李耀仁學長。在學校求學以及 在台積電工作的期間，因為有張勝傑學長對我的許多指導與幫助，讓我學到很多，也讓 我人生規劃明確的多。李耀仁學長在學術實驗上嚴謹的態度是我最推崇的，在我畢業前 這一年，也給予我很多課業上的討論與想法。在此也感謝在台積電工作期間一起工作的 ... See full document

... 誌 謝 特別感謝指導教授謝宗雍教授歷年來在學業的指導及生活上的 關心,成大材料所劉全璞教授和 TSMC 王英郎博士在實驗及論文上的 指導協助,暨南大學吳幼麟教授在電性測試及研討會論文寫作上的指 導,TSMC 長官游友仁先生的支持,讓我得以繼續學業。另外感謝成大 材料所陳世偉同學在部分實驗上的共同合作,激發出了許多新的觀念 及想法,尤其在氧化介層矽化法及錐狀物的研究上,陸續發表了幾篇 論文。還有感謝 TSMC ... See full document