[PDF] Top 20 新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
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新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 研究上或平日會議時給我的非常多地指導與幫助，令我獲益良多。 感謝眾學長們帶我進入半導體領域，包括李名鎮、張子云、俞正明、李介文、 王哲麒、以及李宗霖學長對我的照顧及協助。特別要感謝我所帶過的兩位學弟棟 煥、宗元與錦石，此論文是我們一齊努力出來的成果。此外，已畢業的李美錡及 謝德慶同學，謝謝你們陪我度過漫長的實驗時間。也感謝實驗室裡一起研究的夥 ... See full document
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奈米點非揮發性記憶體元件之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 傳統的非揮發性記憶體是利用複晶矽浮停閘(floating gate)做為載子儲存的 單元,當浮停閘儲存由通道注入的電子之後,元件的起始電壓就會發生改變,利用 ... See full document
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鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單元、 低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極(floating ... See full document
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錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating ... See full document
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金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究
... 元件微縮的重要關鍵之一。再者由於穿隧氧化層無法薄化，於是操作 電壓也無法降低，讀取速度也跟著無法增快，這些問題也深深影響著 非揮發性記憶體的應用性。但若以奈米點取代浮停閘結構可以解決上 述問題，因為電荷僅儲存於分離的奈米點中，若穿隧氧化層存在局部 ... See full document
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具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 多晶矽薄膜電晶體在過去已經廣泛地被使用在顯示面板上。為了未來更進一 步系統面板的整合應用，在資料儲存、訊號處理以及可攜帶式系統的減少功率方 ... See full document
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環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體於非揮發性記憶體研究
... 性。而本研究建立於之前的基礎上，將環繞式閘極結構的多晶矽奈米線電晶體與非揮發 性記憶體結合，除了利用環繞式閘極結構提昇電晶體轉換特性，同時也利用其包覆奈米 ... See full document
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前瞻非揮發性記憶體元件之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 首先，在 SONOS 非揮發性記憶體的研究方面，本論文利用高密度電漿化學 氣相沈積製作含有多能阱(trap)之載子儲存氮化矽層或其他介電質。由於高密度 ... See full document
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分離式閘極非揮發性記憶體技術及新穎多晶矽電子抹除式唯讀記憶體之研究
... 誌謝 首先我要向我的指導教授雷添福博士致上最高的敬意。感謝他在學業研究與 生涯規劃上給我的指導與鼓勵。此外，我要感謝台積電的王中樞資深處長和林詠 濤處長的栽培和幫助、以及非揮發性記憶體部門同仁在技術方面的討論和建議， ... See full document
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氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究
... 博士論文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Parti[r] ... See full document
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電偶極工程與高介電係數阻絕層於氮化矽與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 真的很開心能夠加入老師帶領的實驗室。 接下來就是要感謝實驗室的各位學長，同學以及學弟們。振華學長，感謝你對我問 題上的指導以及關心。豪育學長，有問題向你請教時，你也都會很耐心的為我們解答， 謝謝學長。明瑞學長，感謝學長在旺宏的計畫時給我很多指導與幫助，學長在我們升碩 二時就回宜蘭了真是太可惜拉!志彥學長，真的很感謝學長實驗上給我的幫助，如果沒 有學長我大概實驗會有很多問題不能解決吧，謝謝學長常常抽出時間幫助我。兆欽學 ... See full document
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多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究
... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 隨著論文的完成，忙碌的碩士生活即將劃上句點。首先要感謝我的指 導教授 崔秉鉞老師在論文和研究上的指導，讓學生在兩年中培養了獨立思 考和研究的能力，受益匪淺。老師花了很多時間和精力與學生討論實驗上 的問題並給予指導，從中我學會了縝密有條理的邏輯思考與分析方式。老 師對研究上秉持著正派原則更是值得學生效法。額外一提的是，崔老師不 ... See full document
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金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究
... 時，會容易因氧化層的缺陷導致漏電流以致於儲存在複晶矽的 電荷有漏電流的問題 [3][5][13]，為了解決這樣的問題， 分離的電 儲存單元被發展，第一種是 SONOS 結構，藉由 Si3N4 材料的分離電荷 儲存單元特性，將電子保存在 Si3N4 中，第二種是 SO-Nc-OS ... See full document
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高介電材料結合SONOS 之新穎非揮發性記憶體元件製作與物理特性研究(II)
... 近年來，傳統的浮動閘極非揮發性記 憶體結構，在隨著元件微縮化、穿隧 氧化層隨縮， 勢必面臨到資料保存上 的挑戰。因而透過氧化矽-氮化矽- 氧 化 矽 (oxide-nitride-oxide,ONO) 及 利用量子奈米點作為儲存層相繼被提 ... See full document
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奈米金屬鎳/鎳矽化物晶粒之非揮發性記憶體製程與研究
... 2-1 The C-V hysteresis of Ni nanocrystals memory with Metal RTA 400 process after forward (from inversion to accumulation region) and reverse (from accumulation to inversi[r] ... See full document
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具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究
... 誌 謝 當著手於致謝的此時，畢業論文也將近完成的階段，研究所的生涯在這裡也 將告結束。一路走來，要感謝的人很多，首先感謝我的指導教授 張鼎張老師， 研究所這兩年，在老師身上學到的不僅是專業的學問知識，在研究上獨到的見解 及教學的熱忱，為了實驗室學生花費的精神心力更是令人敬佩；也感謝老師在研 究指導之餘，總是不厭其煩的提醒教導我們待人處事及日後工作上應有的態度。 ... See full document
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矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究
... 士、護理師 碩三、我再度回到熟析的 U 新竹 U ，感謝崔秉鉞老師實驗的 U 振欽、振銘、 U 曉萱 U 、 U 雨蓁及一些學弟妹們的幫忙，使我機台複習與實驗的規劃才能夠順利進行，也讓 研究所的日子能夠在這個像大家庭的環境裡生活。吳耀銓老師則鼓勵我。受到大 家許多的照顧。同學、學長、學弟妹們， U 貴宇 U 、 U 成能 U 、 U 培堃 U 、 U 聖杰 U 、 U 述潁 U 、 U 凱 庭 U 、 U 派璿 U 、 U ... See full document
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單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究
... 本論文使用多次旋塗碳管的方式製作碳管網絡，並探討其應用於薄膜 電晶體和非揮發性記憶體之性能。在薄膜電晶體方面，分別探討碳管塗佈 次數與元件尺寸對元件特性的影響，發現碳管塗佈次數增加，元件導通電 ... See full document
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新穎低溫複晶矽薄膜電晶體與前瞻非揮發性記憶體元件之製作與特性研究
... 我感謝博士論文口試當天的口試委員：施敏院士、陳力俊院士、雷 添福教授、龔正教授、以及崔秉鉞教授。在您們的指導下，讓我對研 究有了更進一步的想法，同時也對做研究的態度有更進一步的啟發。 同時，我也要感謝我十年的好友：世青、大山、富明、星舟以及敏 全讓我在研究的路上走的不孤單。另外，我要感謝大同光電所的堡 安、智超、建鋒、家齊、聖琦以及易良等諸位學弟，對於實驗機台上 ... See full document
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鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生：葉睿龍 Student：Jui-Lung Yeh[r] ... See full document
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