[PDF] Top 20 氟離子佈植對低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
Has 10000 "氟離子佈植對低溫多晶矽薄膜電晶體之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "氟離子佈植對低溫多晶矽薄膜電晶體之研究".
氟離子佈植對低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
... Acknowledgement 僅以此篇論文獻給我親愛的父母，感謝他們多年來的支持與鼓 勵，讓我能無後顧之憂的從事實驗研究，順利完成我的學業。 在交大求學的這兩年中，要特別感謝我的兩位指導教授，張俊彥 教授是一位名滿中外的學者，他在學術研究的精神和追求卓越創新的 勇氣值得我多加學習。另外，也感謝張鼎張教授的殷勤指導，在我遇 ... See full document
90
低溫多晶矽薄膜電晶體光漏電流的研究
... 低溫多晶矽薄膜電晶體光漏電流之研究 Study on Photo Leakage Current of Low Temperature poly Silicon Thin Film Transistors 研 究 生：胡晉瑋 Student：Chin-Wei Hu ... See full document
10
低溫多晶矽薄膜電晶體變動性之可靠度的研究
... 低溫多晶矽薄膜電晶體變動性 之可靠度研究 Study of Reliability Variation for Low Temperature Polysilicon Thin Film Transistors.[r] ... See full document
2
低溫多晶矽薄膜電晶體直流偏壓下電容-電壓特性之研究
... 摘要 複晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFT)最近幾年在液晶顯示器(AMLCD)及有機發光二極體 (AMOLED)顯示器應用中，由於其優異的元件特性，而成為眾所注目的焦點。與非晶矽薄 膜電晶體(a-si ... See full document
62
低溫多晶矽薄膜電晶體元件特性應用於光感測器之研究
... ii 作複合的動作。我們研究直流偏壓狀態下多晶矽薄膜電晶體主要的兩大劣化機 制，熱載子效應與自發熱效應，這樣的劣化所導致的光漏電流亦會嚴重影響我們 在設計感測電路時的困難度。當光照在經過熱載子劣化後的元件，在空乏區域裡 ... See full document
166
低溫複晶矽薄膜電晶體之遷移率與可靠度之研究
... 式結構。我們發現與傳統複晶矽薄膜電晶體相較之下，有著氮化矽覆蓋層的複晶 矽薄膜電晶體有較好的電特性。我們提高了導通電流及場效遷移率，這是因為氮 ... See full document
91
具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
... scattering）。另外，氮氣和氨氣 電漿表面處理可個別地明顯地增加二氧化鉿之低溫薄膜電晶體的載子遷移率約 ...來增加在高的閘極偏壓下之載子遷移率，可個別地提升二氧化鉿之低溫薄膜電晶 ... See full document
156
低溫複晶矽薄膜電晶體其結晶方式與新穎結構之研究
... 的電特性改善，這是因為我們使用的結晶成核機制不同於傳統，使得結晶顆粒變 大且缺陷變少，因此我們得到一個高品質的通道層而這種新式結構非常適合應用 在未來高性能大面積元件製程中。 最後，我們研究利用間隙壁(spacer)技術來做 複 晶矽薄膜電晶體的奈米線通 ... See full document
80
主動顯示器用低溫多晶矽薄膜電晶體之元件特性與補償電路研究
... 增加的物理機制，首先將緩衝層利用氬離子(Argon)佈植進行表面轟擊，使多晶 矽薄膜與緩衝層介面產生許多缺陷密度，我們發現經由緩衝層表面轟擊之元件， 其光漏電與照光下次臨界擺幅特性具有顯著的改善，由於多晶矽薄膜吸收被光後 ... See full document
165
具有氟、氮離子摻雜源/汲極低溫複晶矽薄膜電晶體之特性研究
... 在此一併表達深摯的感謝。 啟銘與唐豪，很開心這兩年有你們一路相伴與相挺，不論是感情上或實驗上，在我 人生最低潮的時候，適時给予關懷與協助，這份革命情感我畢生永難忘懷。當然還要感 謝逸哲、建文、昇翰學長們、子怡學姐、柏宇同學、誼明與逸侑學弟，有了你們，讓我 的生活著實多了一份精采。同時，感謝一德、弘根、千睿學長、秀娟、宛芳、建民、志 晟、任偉、立夫、亞諭、原園…等等諸事幫忙。 ... See full document
77
低溫多晶矽薄膜電晶體非匹配效應之研究
... 感謝，士哲學長、皓彥學長與彥甫學長，謝謝你們不厭其煩的解 決我許多課業上的問題，適時的督促我讓我往前邁進。 感謝，實驗室的同學們，可青、皓麟、建焜、國烽、以及婉萍， 和你們的相處是我兩年來最快樂的時光，一起走過一起奮鬥的足跡我 ... See full document
73
高性能金屬閘極低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
... In chapter 3, it shows the experimental data and the detail discussions of characteristics of high dielectric constant TFTs with metal gate includes high drive c[r] ... See full document
58
低溫多晶矽薄膜電晶體溫度效應統計性研究
... 光電工程研究所碩士班 碩 士 論 文 A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfill[r] ... See full document
2
低溫複晶矽薄膜電晶體之氟鈍化製程與可靠度的研究
... 國誠、余俊、伯浩、宗元、梓翔、源俊、俊嘉、統億、錦石、子恆、張婷以及李 耀仁、林家彬學長，有你們的陪伴與討論，實驗過程不再枯燥乏味而是充滿著歡 樂。因為有你們的幫忙與笑聲，讓我能以快樂的心情面對實驗上與生活上的挑戰。 由衷地感激在實驗中曾給我幫助的朋友們，特別是計測實驗室的彭作煌先 生、教學實驗室的彭兆光先生，與奈米中心的徐秀鑾、林素珠、黃月美、楊月嬌、 ... See full document
153
高性能低溫多晶矽薄膜電晶體之製程技術與特性研究
... 制來達成晶粒橫向成長的目的，首先利用傳統間隙壁法製作出 50 奈米大小的晶種，並 在局部微小區域產生兩種厚度不同的非晶矽薄膜，當準分子雷射照射在此一結構上，使 較薄的區域完全熔融時，而間隙壁較厚的區域部分熔解，晶粒便會以這些非晶矽間隙壁 為結晶起始點，做橫向成長，再藉由適當的安排間隙壁與元件通道的相關位置，我們將 ... See full document
296
對應低溫多晶矽薄膜電晶體變動性之電路模擬技術之研究
... 根據提出的函數式，建立一個考慮元件參數變異的新描述模式，並將其應用在電路 模擬，以差動對與環形震盪器為例，比較其電路中元件參數用新提出方法與傳統高斯分 配所產生後模擬電路的輸出結果。模擬結果顯示出，用提出的新方法模擬電路與實際量 測到的元件參數直接帶入模擬的結果非常相像，這足以反應所提出模式的正確性。 ... See full document
66
低溫多晶矽薄膜電晶體的均勻度統計性研究
... 光電工程系 光電工程所碩士班 碩 士 論 文 A Thesis Submitted to Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Ful[r] ... See full document
2
低溫多晶矽薄膜電晶體元件特性分布於用電路模擬之研究
... 間的變異性對電路性能產生之影響。而從模擬結果，我們發現電晶體變異性行 為，也可以藉由定義原始資料的四分位差值來描述，與函數並無絕對相關，並且 也可以得到一個與真實分布類似的分布。因此我們在一般商用模擬軟體中，仍然 可以採用高斯分布來進行電路模擬，並可以得到比過去更加精準的模擬結果。 ... See full document
69
低溫多晶矽薄膜電晶體數位電路變動性之模擬研究
... The maximum clock frequency of a shift register defined as the maximum frequency for bit error-free operation depends on the register’s propagation delay and, as such, is a function of d[r] ... See full document
55
相關主題