[PDF] Top 20 鍺離子佈植對矽化鎳及其接面之影響

... P 接面， 我們都可以發現有打 Ge 的接面漏電較大一些，猜測是與 SIMS 觀察到有做 Ge 佈植的試片 Ni 訊號拖曳的現象有關，我們推測這是因為 Ge 佈植所造成 的缺陷無法完全由 1050℃的瞬時退火所消除，故形成 NiSi 時，Ni 便沿著缺 ... See full document

... 共同指導教授 : 林炯源 國立交通大學電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 近年來隨著傳統的矽金氧半場效電晶體技術已經逐漸到達其微縮的極 限。為了能夠持續追求元件性能的提升，鍺因為它的載子擁有優越的本質 遷移率，被認為在不久的將來可以取代矽作為通道的材料而受到廣泛的研 ... See full document

... Bias Dependence and Geometry Effect of SiGe HBTs Equivalent Circuit Elements Using Direct. Parameter-Extraction Method[r] ... See full document

... P 接面的漏電 並沒有明顯增加，此結果減少了我們對 CPIII 可能傷害 N + P 接面的疑慮。在經過 一分鐘能量 5keV 的 CPIII 製程之後，未經砷參雜的 NiSi 薄膜之結塊溫度可以上 升到 800℃，但經過砷參雜之後的試片， CPIII 並沒有增加熱穩定性的效果。我 們也發現 CPIII ... See full document

... + 植入矽化鎳，再經由快速升溫退火裝置製成陡峭接面。 在這篇論文中，主要探討的是在矽化鎳與矽介面間形成陡峭接面的熱穩定度相關研究。 我們利用額外的退火步驟，研究當陡峭接面形成後，再經類似溫度的熱製程，對電性有 ... See full document

... 但在只經過形成鍺化物之後打入參雜的製程後，由於離析出來的接面深度太 淺，受到鎳擴散的影響而造成大量的漏電流。因此結合以上這兩種製程，先做形 成鍺化物之前打入參雜的製程然後再打入參雜後退火，能觀察到好的鎳鍺接面特 ... See full document

... P-N 接面的接面底部(圖 4-5)，而決定發生方式的主因仍與漂移區的濃度有關。從表中可發現， 如前所述崩潰電壓將隨著植入能量的增加或者劑量的減少而提高，此 時，發生崩潰之處以 P-N 接面崩潰為主，原因在於植入的離子濃度高 峰(Peak)將因此較深(參考圖 ... See full document

... 在現今微縮驅使下，矽化鎳是最常用在先進製程中的金屬矽化物。在矽化鎳熱穩 定性及接面特性之研究方面，本論文提出利用高劑量鍺離子佈值來改善其熱穩定性。 ... See full document

... 其中以退火 500 度的堆積結構最高，退火 400 度較低，實驗結果推測差排 結構的形成會影響結構表面因壓痕造成的堆積現象。 4.5.2 四次負載下不同力道之奈米壓痕AFM分析圖 本實驗設置四次負載模式目的是為了觀察 Si 0.8 Ge 0.2 /Si 異質接面結構 在經由退火處理後，整體結構之機械可靠度，從相關文獻中可以得知，半 ... See full document

... )來完成連 接，然而過洞的大小將影響內部金屬連線 積集度[7]。本研究將利用電子束微影應用 於縮洞技術將過洞、栓塞之接觸窗口縮小 提高積體電路的積集度。過洞、栓塞之接 觸窗口縮小後，視窗比勢必跟著變大，物 理氣相沈積法將漸漸不敷使用。這是由於 ... See full document

... 國 立 交 通 大 學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 在先進互補式金氧半導體元件裡，當接觸尺寸縮小至奈米等級，源極及汲極 的接觸電阻也會隨之增加。因此，金屬矽化物的技術應用在源極及汲極已經被開 發用來同時降低接觸電阻及接面寄生電阻。在奈米金氧半場效電晶體的製造中， ... See full document

... 回憶兩年來在交大電子的學習生活，首先感謝指導教授張國明教授與桂正楣 教授，老師的開明態度跟指導教誨讓我的研究生涯受益匪淺，而每次謝師宴上老 師的信心喊話更讓我們覺得我們生活在一個感情融洽的大家庭裡，謝謝老師。 同時也要感謝許許多多的博士班學長、同學及學弟。另外特別感謝一直指導 我的林建宏學長，不論是在實驗上，最後論文的修訂，準備口試時提供的建議及 幫助，使我論文能夠盡善盡美。還有感謝交大奈米中心、國家奈米實驗室提供各 ... See full document

... 上了博士班後，尋找屬於自己能發揮的一小塊立足點，謝謝孫成業、楊志祥、 林勝軍、林詩帆和張庭嘉幾位學弟，一同在實驗上的幫忙，讓我的論文和實驗可 以順利的進行和完成。學弟，謝謝你們。 當我由學弟的角色，逐漸的變成博士班高年級的學長，也開始常常會聽到實 驗室不同研究領域的學弟，問起各式不同的問題。除了拓展了我的視野外，幾年 下來，面對不同研究的問題，只能在基本的原理原則下，嘗試的去解構不同情境 ... See full document

... 經過這些日子也深刻體認到，單靠我一人之力是絕對無法完成這份論文 的，幸運的是我得到了許多人的幫助。感謝吳杼樺學姊、鄧至剛學長在我 還很菜的時候帶領我做實驗及教我操作機台；感謝章緯學長在我實驗遇到 困難時給我的大力協助，並且耐心解答我不懂的許多問題；感謝國家奈米 元件實驗室各位工程師與操作員的幫忙，讓我的實驗能順利進行；感謝我 的好同學民尚、東翰、哲瑋、俊良對我的關心與幫助，還有難忘的那段充 ... See full document

... Acknowledgement 僅以此篇論文獻給我親愛的父母，感謝他們多年來的支持與鼓 勵，讓我能無後顧之憂的從事實驗研究，順利完成我的學業。 在交大求學的這兩年中，要特別感謝我的兩位指導教授，張俊彥 教授是一位名滿中外的學者，他在學術研究的精神和追求卓越創新的 勇氣值得我多加學習。另外，也感謝張鼎張教授的殷勤指導，在我遇 到困難時指點我新的想法、鼓勵我、支持我。有機會能接受這兩位老 ... See full document

... 感謝你們的大力幫忙。感謝我的家人對我無微不至的照顧，因為有你 們的一路上的支持，我才有繼續努力與前進的動力，你們的身教與言 教是我學習的好榜樣，我會努力並期許能發揚光大。 感謝我的指導教授 劉祥麟老師，看見您在教學及研究上不遺餘 力的全心投入，看見您對每位學生視如己出的毫不保留，我立志要向 老師學習，能加入您的研究室真的倍感榮幸，今後我會更加用心在任 何事情，效法老師嚴格要求自己並給學生一個良好的楷模。 ... See full document

... 矽離子佈植二氧化矽中雜質與奈米矽晶特性分析 Characteristics of Defects and Naoncrystallite Silicon in Silicon Implanted Silicon Dioxide 研 究 生：余國正 Student：Kuo-Cheng Yu 指導教授：林恭如 Advisor：Gong-Ru ... See full document

... 和矽接面的二階段金屬快速退火60秒而言，磷離子植入的試片顯現出會比硼離子 植入更像是歐姆接觸。基於固態磊晶再成長摻雜物推積在介面處和離子植入矽化 物技術，我們的實驗將可以達到高劑量的活化和使用低溫退火，並且結合了電流 ... See full document

... A Thesis Submitted to Institute of Nanotechnology College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Nanotechnol[r] ... See full document

... 最後，我們比較低溫成長砷化鎵與多重氧離子佈植砷化鎵偶極天線在輻射兆赫波上 的差異性。在相同的光激發能量及電場下，我們發現後者可發射出較高的兆赫波訊號， 強度(~ )約比低溫成長砷化鎵(~ 0.09 )大上近一倍。雖然在頻寬上多重氧離子 ... See full document