[PDF] Top 20 電偶極工程與高介電係數阻絕層於氮化矽與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
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電偶極工程與高介電係數阻絕層於氮化矽與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 真的很開心能夠加入老師帶領的實驗室。 接下來就是要感謝實驗室的各位學長，同學以及學弟們。振華學長，感謝你對我問 題上的指導以及關心。豪育學長，有問題向你請教時，你也都會很耐心的為我們解答， 謝謝學長。明瑞學長，感謝學長在旺宏的計畫時給我很多指導與幫助，學長在我們升碩 二時就回宜蘭了真是太可惜拉!志彥學長，真的很感謝學長實驗上給我的幫助，如果沒 有學長我大概實驗會有很多問題不能解決吧，謝謝學長常常抽出時間幫助我。兆欽學 ... See full document
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環繞式閘極多晶矽奈米線薄膜電晶體於非揮發性記憶體研究
... 性。而本研究建立於之前的基礎上，將環繞式閘極結構的多晶矽奈米線電晶體與非揮發 性記憶體結合，除了利用環繞式閘極結構提昇電晶體轉換特性，同時也利用其包覆奈米 ... See full document
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奈米點非揮發性記憶體元件之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 傳統的非揮發性記憶體是利用複晶矽浮停閘(floating gate)做為載子儲存的 單元,當浮停閘儲存由通道注入的電子之後,元件的起始電壓就會發生改變,利用 ... See full document
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具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 多晶矽薄膜電晶體在過去已經廣泛地被使用在顯示面板上。為了未來更進一 步系統面板的整合應用，在資料儲存、訊號處理以及可攜帶式系統的減少功率方 ... See full document
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錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating ... See full document
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金屬奈米點應用於非揮發性記憶體之製造研究
... 縮問題，例如:在經過多次資料讀取與寫入過程中所造成的穿隧氧化 層漏電路徑，將使得儲存單元中的電荷全部流失，造成記憶體元件功 能的失效。因此在元件微縮過程中，穿隧氧化層的厚度將成為限制了 元件微縮的重要關鍵之一。再者由於穿隧氧化層無法薄化，於是操作 ... See full document
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鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單元、 低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極(floating ... See full document
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新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 研究上或平日會議時給我的非常多地指導與幫助，令我獲益良多。 感謝眾學長們帶我進入半導體領域，包括李名鎮、張子云、俞正明、李介文、 王哲麒、以及李宗霖學長對我的照顧及協助。特別要感謝我所帶過的兩位學弟棟 煥、宗元與錦石，此論文是我們一齊努力出來的成果。此外，已畢業的李美錡及 謝德慶同學，謝謝你們陪我度過漫長的實驗時間。也感謝實驗室裡一起研究的夥 ... See full document
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多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究
... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 隨著論文的完成，忙碌的碩士生活即將劃上句點。首先要感謝我的指 導教授 崔秉鉞老師在論文和研究上的指導，讓學生在兩年中培養了獨立思 考和研究的能力，受益匪淺。老師花了很多時間和精力與學生討論實驗上 的問題並給予指導，從中我學會了縝密有條理的邏輯思考與分析方式。老 師對研究上秉持著正派原則更是值得學生效法。額外一提的是，崔老師不 ... See full document
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氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究
... 博士論文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Parti[r] ... See full document
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金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究
... 時，會容易因氧化層的缺陷導致漏電流以致於儲存在複晶矽的 電荷有漏電流的問題 [3][5][13]，為了解決這樣的問題， 分離的電 儲存單元被發展，第一種是 SONOS 結構，藉由 Si3N4 材料的分離電荷 儲存單元特性，將電子保存在 Si3N4 中，第二種是 SO-Nc-OS ... See full document
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奈米金屬鎳/鎳矽化物晶粒之非揮發性記憶體製程與研究
... 2-1 The C-V hysteresis of Ni nanocrystals memory with Metal RTA 400 process after forward (from inversion to accumulation region) and reverse (from accumulation to inversi[r] ... See full document
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矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究
... 士、護理師 碩三、我再度回到熟析的 U 新竹 U ，感謝崔秉鉞老師實驗的 U 振欽、振銘、 U 曉萱 U 、 U 雨蓁及一些學弟妹們的幫忙，使我機台複習與實驗的規劃才能夠順利進行，也讓 研究所的日子能夠在這個像大家庭的環境裡生活。吳耀銓老師則鼓勵我。受到大 家許多的照顧。同學、學長、學弟妹們， U 貴宇 U 、 U 成能 U 、 U 培堃 U 、 U 聖杰 U 、 U 述潁 U 、 U 凱 庭 U 、 U 派璿 U 、 U ... See full document
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利用高介電長數HfAlO之元素含量做為阻擋層應用在非揮發性記憶體上之研究
... 還有氧化鋁作為 阻擋層的 SONOS 非揮發性記憶體。雖然氧化鋁一直是一個做為阻擋層的很好的材 料，但是由於他的 k 值不夠高，所以寫入以及抹除的速度不是非常明顯的快速。 所以我們增加一些 Hf 的材質進入氧化鋁裡面，以期望能提高 k 值。從上面的第 ... See full document
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具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究
... 誌 謝 當著手於致謝的此時，畢業論文也將近完成的階段，研究所的生涯在這裡也 將告結束。一路走來，要感謝的人很多，首先感謝我的指導教授 張鼎張老師， 研究所這兩年，在老師身上學到的不僅是專業的學問知識，在研究上獨到的見解 及教學的熱忱，為了實驗室學生花費的精神心力更是令人敬佩；也感謝老師在研 究指導之餘，總是不厭其煩的提醒教導我們待人處事及日後工作上應有的態度。 ... See full document
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鎳矽氧化物與鎳矽氮化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... Study on the Application of Ni-Si-O and Ni-Si-N Nanocrystal for Nonvolatile Memory. 研 究 生：葉睿龍 Student：Jui-Lung Yeh[r] ... See full document
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單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究
... 本論文使用多次旋塗碳管的方式製作碳管網絡，並探討其應用於薄膜 電晶體和非揮發性記憶體之性能。在薄膜電晶體方面，分別探討碳管塗佈 次數與元件尺寸對元件特性的影響，發現碳管塗佈次數增加，元件導通電 ... See full document
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利用矽鍺氧與矽鍺氮薄膜形成鍺奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 在新竹兩年的研究生涯裡，非常感謝和我朝夕相處的學長、同學、學弟們；感 謝奈米組的峻豪、緯仁、世青、富明、致宏、大山、立偉、昭正、星舟、佳州學長， 感謝你們在實驗上給我許多寶貴的意見，在你們身上我學習到許多專業的學識及實 驗的技巧。同時，也要感謝快速電子實驗室的宗霖、宗熺、漢譽、聖懿、心卉、怡 誠、兆欽、弘斌學長姊們，除了平時對我的照顧及關心之外，也從你們身上學到許 多研究的精神。 ... See full document
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具矽奈米晶體捕捉層之底部閘極多晶矽薄膜非揮發性記憶體元件
... 也希望老師能夠永保安康、事事順心。 再來就要感謝帶領我做實驗研究的吳翊鴻學長，感謝學長在我初 接觸此研究領域的時候，耐心的解答我的問題，總是不厭其煩一直糾 正我錯誤的地方，不管是製程觀念、流程以及儀器訓練上面都給予我 最大的支持與協助。在論文方面也給予我很大的建議與協助，沒有吳 翊鴻學長的真心相挺，我相信我的研究以及論文絕對無法這麼順利的 ... See full document
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新穎環繞式閘極複晶矽奈米線於薄膜電晶體非揮發性記憶體之特性分析
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 中 文 摘 要 本文主軸探討新穎環繞式閘極複晶矽奈米線應用薄膜電晶體非揮發性記憶 ... See full document
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