[PDF] Top 20 具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究
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具鎢奈米點埋入之介電層在非揮發性記憶體 元件其製作及研究
... 誌 謝 當著手於致謝的此時，畢業論文也將近完成的階段，研究所的生涯在這裡也 將告結束。一路走來，要感謝的人很多，首先感謝我的指導教授 張鼎張老師， 研究所這兩年，在老師身上學到的不僅是專業的學問知識，在研究上獨到的見解 及教學的熱忱，為了實驗室學生花費的精神心力更是令人敬佩；也感謝老師在研 ... See full document
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高介電材料結合SONOS 之新穎非揮發性記憶體元件製作與物理特性研究(II)
... 近年來，傳統的浮動閘極非揮發性記 憶體結構，在隨著元件微縮化、穿隧 氧化層隨縮， 勢必面臨到資料保存上 的挑戰。因而透過氧化矽-氮化矽- 氧 化 矽 (oxide-nitride-oxide,ONO) 及 ... See full document
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新穎低溫複晶矽薄膜電晶體與前瞻非揮發性記憶體元件之製作與特性研究
... 我感謝博士論文口試當天的口試委員：施敏院士、陳力俊院士、雷 添福教授、龔正教授、以及崔秉鉞教授。在您們的指導下，讓我對研 究有了更進一步的想法，同時也對做研究的態度有更進一步的啟發。 同時，我也要感謝我十年的好友：世青、大山、富明、星舟以及敏 全讓我在研究的路上走的不孤單。另外，我要感謝大同光電所的堡 ... See full document
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前瞻非揮發性奈米點記憶體元件之製作與特性研究
... 藏於不同介電層中的電場結構模擬，與氧化矽包覆的金屬奈米點相較之下，由於 不同介電質中具有不同的電場分佈，氮化矽包覆奈米點作為電荷儲存層有較佳的 ... See full document
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新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與研究
... 一、中文摘要 近年來，薄膜電晶體(TFT)與奈米點 (nanocrystal)的應用技術發展受到相當大 的矚目，薄膜電晶體目前廣為液晶顯示器 (LCD)產業所大量使用，而奈米點則是可以 ... See full document
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前瞻非揮發性記憶體元件之研究
... Ta 2 O 5 等，本論文更進一步地在其它的介電材料中探索，預期找到一種適合的載 子儲存單元絕緣層，例如含氧碳化矽(SiC:O)薄膜，並最佳化之。利用高密度電 漿薄膜直接沉積的方式，製作二氧化矽/SiC:O/二氧化矽的三明治結構。藉由含氧 ... See full document
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新穎高介電常數材料與奈米微晶粒非揮發性記憶體之研究
... 下結晶額外產生的淺能量的捕陷電荷所造成。之後我們也討論了溫度變化，以及 其記憶體在一般操作時和其旁元件的電性影響。 接著，我們使用三種高介電常數材料成功的製作出了 SONOS 型非揮發性快 ... See full document
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奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究
... gate)記憶體為基本元件之非揮發性固態半導 體記憶體已被廣泛的應用於各種電子產品。為獲得更高密度、低功率損耗與快速 ... See full document
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具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究
... 元件的可靠度。 在第二章中，我們利用一種簡單且低成本的方式製作出具電場增強式奈米線 結構之複晶矽薄膜電晶體的SONOS非揮發性記憶體(FEN POST SONOS)。在製作 過程中 ... See full document
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多閘極氮化鈦奈米晶粒非揮發性記憶體之研究
... 要 在本論文中，我們提出一個在 SOI 晶片上的 N 型通道氮化鈦 (TiN) 奈米晶粒 非揮發性記憶體的捕陷電荷層設計。採用 P 型参雜的多晶矽閘極和高 K 值的阻隔介電層 ... See full document
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金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究
... 2.1.4 電荷保持力 自傳統的浮動閘記憶體發展至今，因為元件製作技術提升，元件越 做越小，密度也越來越高的趨勢下，穿隧氧化層（Tunneling Oxide） 勢必也必須變薄，才能繼續維持住寫入/某除速度。隨著穿隧氧化層 的變薄，由於 floating gate ... See full document
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奈米點記憶體元件之製作與物理機制研究(II)
... 計劃編號: NSC 98-2221-E-009-151- 計劃主持人: 交通大學電子工程學系及電子研究所 施敏 教授 1、中文摘要 傳統非揮發性記憶體的基本構成單元主 要是由多晶矽(poly-Si)浮閘(floating ... See full document
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單壁奈米碳管網絡應用於薄膜電晶體與非揮發性記憶體之特性研究
... 本論文使用多次旋塗碳管的方式製作碳管網絡，並探討其應用於薄膜 電晶體和非揮發性記憶體之性能。在薄膜電晶體方面，分別探討碳管塗佈 ... See full document
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奈米點非揮發性記憶體元件之研究
... 同時我也要感謝羅正忠教授, 曾俊元教授, 劉柏村博士參與指導我的碩士論 文口試, 泩宏非常榮幸也由衷的祝福及感謝。 終於, 到了最末, 大家各奔東西, 以往與大家相處的各種時光也許不在, 不 知以後各位仍能記得? 顏碩廷學長帶領了我完成實驗及碩士論文, 沒有碩廷學 長也沒有這篇論文, 泩宏非常感謝。 蔡宗鳴, 陳紀文學長在我疑惑的時候幫我解 惑; 葉炳宏學長提供 ... See full document
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前瞻非揮發性奈米晶體記憶體元件之製作與特性研究
... 挑戰他，也是我從老師平時的教導中領悟到的。張鼎張教授對於我的 研究方面的指導更是不遺餘力，在研究的過程當中碰到困難時，都會 給予適當協助，並排除問題，在平時老師也會很親切的關心學生的生 活以及近況，造就學長與學弟之間相處融洽的氣氛以及充滿歡笑聲的 環境，這些都是令我難以忘懷的。非常感謝兩位老師在我博士求學的 ... See full document
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鉬奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單元、 低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極(floating ... See full document
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奈米點記憶體元件之製作及其電性特性研究
... nitric acid oxidized ZrO 2 film as tunneling oxide shows a 10V memory window and.. 2.1V of memory window in the retention measurement.[r] ... See full document
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氧化鈰奈米微晶粒非揮發性記憶體元件之研究
... 博士論文 A Dissertation Submitted to Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering National Chiao Tung University in Parti[r] ... See full document
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錳矽氧化物奈米點在非揮發性記憶體應用之研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 摘要 非揮發性記憶體(NVM)目前在元件尺寸持續微縮下的需求為高密度記憶單 元、低功率損耗、快速讀寫操作、以及良好的可靠度(Reliability)。傳統浮動閘極 (floating ... See full document
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矽化鈷在含鍺介電質形成奈米點並構成非揮發性記憶體之研究
... 士、護理師 碩三、我再度回到熟析的 U 新竹 U ，感謝崔秉鉞老師實驗的 U 振欽、振銘、 U 曉萱 U 、 U 雨蓁及一些學弟妹們的幫忙，使我機台複習與實驗的規劃才能夠順利進行，也讓 研究所的日子能夠在這個像大家庭的環境裡生活。吳耀銓老師則鼓勵我。受到大 家許多的照顧。同學、學長、學弟妹們， U 貴宇 U 、 U 成能 U 、 U 培堃 U 、 U 聖杰 U 、 U 述潁 U 、 U 凱 庭 U 、 U ... See full document
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