[PDF] Top 20 高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究
Has 10000 "高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究" found on our website. Below are the top 20 most common "高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究".
高介電常數金屬-絕緣層-金屬電容電性及其可靠度之研究
... 再來，我要感謝鄭淳護學長以及江國誠學長，謝謝你們對我在實驗儀器上的訓練以 及研究上所提供的意見和幫助，讓我得以順利的完成碩士學業。此外，軍宏學長、彬舫 學長、建宏學長、存甫學長以及實驗室的學長姊們，感謝你們對我的教導和鼓勵。 接下來我還要感謝的是實驗室的同學，俊全、懿範、偉倫、哲偉、俊賢、建弦。有 了你們，才讓我的研究生活充滿了歡樂與色彩，使我有動力繼續研究下去，感謝大家的 ... See full document
57
低介電常數碳氧化矽阻障層與銅金屬整合之電性可靠度研究
... 更多學習的甜，我會永遠懷念。 感謝陳茂傑教授，在兩年碩士班期間指引我方向，又給予我信任 與自由。老師治學嚴謹負責，指導學生卻總是理直氣和、從不疾言厲 色。有幸拜入老師門下，除了學業研究上的指點，這謙謙君子的大師 風範也讓學生有所體悟。感謝吳偉豪、王超群和吳振誠學長在這兩年 中的指導與協助，對我而言豪哥認真的身影已是 629 的必要風景，宛 如燈塔般的指引；謝謝林信宏、王安志、楊宇國同學的陪伴支持與實 ... See full document
64
高介電係數閘極介電層在金氧半電晶體中之電特性及其可靠度研究
... 的電特性及可靠度仍有顯著的影響。 在第六章中，我們仔細地分析高介電係數閘極介電層元件在動態的連續操作電 壓下，電荷捕捉/散逸效應對其電特性及可靠度之影響。我們發現在回復電壓不足 ... See full document
276
具高介電常數閘極絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體可靠度研究
... 接著，我要特別感謝馬鳴汶學長與江宗育學長。馬學長在我最無助時伸出援 手幫助我，並且細心教導我做實驗及研究，令我受益不少。即使畢業後到業界去 工作，仍不時著關心、指導我，給予我很多幫助，在此衷心的感謝。江學長耐心 的一步步帶著我做實驗，同時也教導我很多研究以外的東西，這一年多來受到你 很多的照顧，亦致上由衷的謝意。此外，感謝王冠迪學長在量測分析方面的指導， ... See full document
109
氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究
... 的成員。和由於有老師在專業課程上指導和研究領域上的協助，讓我養成應有的 研究態度和正確的研究方法。並讓我受益良多更加成長。在這邊，我要向老師至 呈上最衷心的感謝。另外，我要感謝帶我的實驗室陳永裕學長，我接實驗室國科 會計劃，沒有陳永裕學長在我實驗遇到困難和人生低潮時的幫忙和鼓勵，讓我才 能順利的完成研究。也感謝國家奈米實驗室提供製程機台和裡面勞苦功高的工程 ... See full document
107
燃料電池複合雙極板表層金屬膜強度及電性之研究
... 4.6 鍍膜附著力分析 薄膜的附著性，是表示薄膜晶粒與基板的結合強度，鍍金薄膜附 著力直接影響雙極板之使用壽命及流道切削時鍍膜之抵抗力。本節所 使用的附著力試驗方法是屬於撕開試驗法，對不同溫度下的O 2 plasma 表面改質與機械粗化表面改質，分別做正向與側向的附著力試驗，觀 察經過這兩種表面改質後所電鍍上的金薄膜受到正向與側向外力作 ... See full document
139
高介電常數射頻金屬-絕緣層-金屬電容及其電容值變動之研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 隨著互補式金氧半電晶體元件的特徵尺寸持續地微縮，閘極介電質（目前主 流為二氧化矽）的厚度也隨之減少以保持住電容值，使得電晶體元件的驅動電流 保持在可接受的大小。半導體工會組織所訂定的半導體技術未來指標中指出，在 2003 至 2005 ... See full document
131
雙重電漿處理技術應用於具高介電常數閘極絕緣層的金屬-絕緣層-半導體電容及低溫多晶矽薄膜電晶體之特性研究
... 靠度的問題，使用高介電常數材料取代傳統閘極二氧化矽可以有效解決此問題， 高介電質材料可以在較大的物理厚度下仍然維持較低的等效氧化層厚度，進而降 低閘極的穿隧漏電流並且維持較好的元件特性。在過去有許多論文曾經用電漿氮 ... See full document
190
鉿金屬高介電值閘極絕緣層之金氧半場效電晶體中本體缺陷增強閘極引發汲極漏電流之研究
... 近 年來，以鉿(Hf)金屬為基底之高介電係數材料取代傳統二氧化矽作 為介電層來降低閘極漏電流已被廣泛研究。然而，大量存在於高介電係數 ... See full document
4
電漿處理應用在超大型積體電路上高介電常數閘極絕緣層之研究
... 進而改善特性；但是這些方法的改善程度 有限，而且無法很有效的降低介面氧化層 的厚度。 為了解決高介電常數閘極絕緣層的高 缺陷密度及降低介面氧化層厚度，我們提 出電漿處理的方法：利用四氟化碳、一氧 化二氮和氨氣等電漿預處理，我們可以讓 ... See full document
4
具高介電常數閘極絕緣層之低溫複晶矽薄膜電晶體之研究
... 接下來，聿民要感謝的是指導我的馬鳴汶、江宗育還有葉啟瑞學長，感謝馬鳴汶和 葉啟瑞學長即使已在業界服務，但在忙碌之餘還是時常關心聿民的實驗進度並給予指 導。聿民最要感謝的是江宗育學長，感謝您從我碩一開始，就不辭辛勞地帶著我進無塵 室做實驗，你總是不厭其煩地跟我反覆解釋每一道製程步驟，因為您的悉心指導，讓聿 民對實驗的技巧越來越純熟，做事態度也越來越細心。另外在最後的量測和 data ... See full document
116
應用高介電常數絕緣層與矽奈米微晶粒於超大型積體電路元件之研究
... 行氧化，利用電子顯微鏡與 X 光繞射(X-Ray Diffraction)方法均觀察到結晶狀態被氮摻雜 抑制，電性量測亦證明了可以降低漏電，提高崩潰電壓，並在電壓加壓下有較佳穩定性。 或利用一氧化二氮(N 2 O)之電漿進行氮摻雜，先以較低的氧化溫度形成鈷鈦酸氧化物， ... See full document
188
堆疊式金屬閘極鰭式電晶體的電性特性與可靠度分析
... PMOS 和 NMOS 工作功能金屬沉積在閘極溝槽中。 1.2 堆疊式金屬閘極鰭式電晶體的發展 近 30 年來，隨著 CMOS 不斷地進行製程的改善及元件的微縮，電晶體可以 越做越小，晶圓上的電晶體數目也持續增加，切換速度也隨著電晶體的縮小而加 快，IC ... See full document
47
雙重電漿處理對二氧化鉿金屬-絕緣層-半導體結構電特性之改善研究
... 學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 過去的三十多年來，在 MOS-based 的結構裡閘極介電質選擇使用 二氧化矽。而隨著金氧半場效電晶體的微縮，傳統使用二氧化矽當作 閘極介電層將面臨到物理和電性的限制。當閘極的長度小於 70 ... See full document
101
金屬線及空氣低介電常數介電質前瞻性積體技術開發(II)
... 的因素在於金屬線的電阻與金屬連線間的 電容。特別是在於金屬線寬加上線距小於 0.25 微米時，很長的金屬連線造成龐大的 寄生電容。更甚者，功率損耗也是一個嚴 重的問題，像是在於微處理器以及射頻積 ... See full document
6
利用原子層沉積技術成長氮化鈦金屬閘極之金屬氧化物半導體電容元件之研究
... 的有良電性及穩定性及與高介電常數氧化層有不錯批佩的功函數性質，逐漸取代 擁有一些缺點的，例如高的電阻率及摻雜物與高介電常數氧化層有擴散汙染等等， ... See full document
78
高介電常數介電質於金屬-絕緣層-金屬電容之電性研究
... 高介電常數介電質於金屬-絕緣層-金屬電容之電性研究 Study on Electrical Characteristics of High-κ Metal-Insulator-Metal ... See full document
2
高介電常數材料二氧化鉿於金屬-絕緣體-金屬電容之研究
... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 對於金絕金電容而言，尺寸的微縮可以減少晶片的大小和 類比與射頻電路的成本。為了達到高電容密度與低漏電流密度 的目標，高介電係數材料的需求是必要的。金絕金電容是利用 ... See full document
93
可寫入抹除高介電常數氮氧化鉿金屬-絕緣層-矽 電容
... 記憶體電容是決定檢測訊號電壓、速度、資料保存時間、耐久性以及防止軟性誤差 的重要參數。然而隨著超大型積體電路技術不斷的微縮，電容面積勢必隨之遞減，以期 達到減少元件尺寸及降低成本的需求，但此舉將減低電容厚度造成不必要的漏電流，為 ... See full document
72
使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究
... 使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有 鍺電晶體之研究 The Investigation of GOI MOSFETs using Metal-gate electrodes and High-κ gate-dielectrics.[r] ... See full document
1
相關主題