[PDF] Top 20 高介電常數閘極介電層材料製備與可靠性分析
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高介電常數閘極介電層材料製備與可靠性分析
... reduced leakage current. The values of subthreshold swing of pMOSFETs with HfO 2 gate stack objected various. plasma treatment. It can be found that N 2 O plasma-treated sample shows sm[r] ... See full document
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以二氧化鉿為基底之高介電常數閘極介電層中的電荷捕捉與逃逸之電特性分析
... )或氮氧化矽(SiON) 閘極氧化層不同的是，以二氧化鉿為基底之高介電常數閘極介電層具有相當嚴重 的可靠度問題—臨界電壓的不穩定性，起因於早已存在的主體缺陷中的快速與緩 ... See full document
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低介電常數材料應用於極大型積體電路製程與材料特性分析
... CMOS 製程具有高集積度、低成本與 省電的特性，使其在個人行動通信設備要 求迷你、輕量與低耗電的條件下，有無比 的競爭力。然而，Si-MOSFET 元件本身存在 著很大的寄生被動元件效應，如閘極電 阻、接面空乏電容、汲極電導… 等等，這 ... See full document
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低介電常數材料應用於多層導體連線之電特性分析
... 來討論其它各種低介電常數材料在整合 製程時，因製程不同造成介電質表面損傷時，所需注意金屬離子擴散問題，並建 立一簡單物理模型解釋此金屬離子擴散所造成介電質電特性不隱定現象。 ... See full document
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低介電常數材料與超臨界二氧化碳之可靠性分析與製程整合之研究
... Submitted to Institute and Department of Electrophysics National Chiao Tung University. in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of[r] ... See full document
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利用凝膠轉塗佈法製備高介電常數鈦酸鎳閘極介電質層於複晶矽薄膜電晶體之研究
... 在此論文裡，利用新穎低溫技術凝膠旋塗佈法製備具高介電常數的鈦酸鎳介電質層， 並對五百到九百度不同溫度熱退火後的樣品做材料與物理特性分析，接著將所得之電性結 果應用在複晶矽薄膜電晶體上做進一步之研究。從 X ... See full document
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銅內連線及低介電常數材料製程整合於高介電常數薄膜電容
... 點。以氯為反應氣體雖能有效蝕刻 BST 薄膜，但會殘留含鋇及鍶的化合物，降 低元件電容特性。本實驗以氧電漿做蝕刻後處理能修補因蝕刻所造成的薄膜缺 陷，降低漏電流密度至 3.0×10 -8 A/cm 2 及提升崩潰電場強度至 2 MV/cm。 本實驗亦研究銅導線系統中，擴散阻障層與低介電常數材料 SiOC:H ... See full document
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原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之三五族元件電物性研究
... 學 電子工程學系 電子研究所 碩士班 摘 要 在這篇文獻中,我們已經最佳化利用硫鈍化處理的方式處理砷化鎵表面,並且成功 地使 Dit 值下降到 5E12cm -2 eV -1 。一開始的時候,我們利用 XPS 方式去分析 Ga2p3 和 As2p3 在不同的硫鈍化處理下成份變化情形,我們發現到當我們把硫化濃度和溫度提高時,砷 ... See full document
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電漿處理應用在超大型積體電路上高介電常數閘極絕緣層之研究
... 我們進一步研究高介電常數閘極絕緣 層金氧半場效電晶體的可靠度故障分析， 包括熱載子效應、遲滯現象、通道遷移率 的劣化以及 1/f 雜訊的探討，透過電性、物 性探討提出一個可能的模型。我們研究不 ... See full document
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高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究
... 重的漏電流產生。為了有效的降低閘氧化 層漏電流，採用具有較高介電係數(K 值) 之閘氧化層，諸如 High-K[1-7]或是高濃度 電漿氮化閘氧化層[8-10]都是近一兩年內 半導體產業發展的重點。然而，受限於 High-K ... See full document
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具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究
... scattering）。另外，氮氣和氨氣 電漿表面處理可個別地明顯地增加二氧化鉿之低溫薄膜電晶體的載子遷移率約 74.4 和 108.5 個百分比。而且，氮氣和氨氣電漿表面處理也可降低表面粗糙散射 來增加在高的閘極偏壓下之載子遷移率，可個別地提升二氧化鉿之低溫薄膜電晶 體的驅動電流約 217 和 ... See full document
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高介電係數閘極介電層在金氧半電晶體中之電特性及其可靠度研究
... 的電特性及可靠度仍有顯著的影響。 在第六章中，我們仔細地分析高介電係數閘極介電層元件在動態的連續操作電 壓下，電荷捕捉/散逸效應對其電特性及可靠度之影響。我們發現在回復電壓不足 ... See full document
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原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之鍺金氧半場效電晶體電物性研究
... 兆欽學長，謝謝你指導小劉成為可以獨立設計實驗、整理數據、找資料、以 及數據分析的能力。每次和你討論，我都有相當的收穫和震撼。另外，很謝謝你 的舞伴雲雲每次給我甜美的笑容和問候，讓我感到相當溫馨。 很感謝張老師以及簡老師兩個團隊的全體同胞，以及儀器中心的同仁！張老 師團隊裡美麗可愛的伊喬皇后、帥帥的宗熺學長、酷酷的宗霖學長、憨厚的漢譽 學長、時髦的文政學長、歡喜的聖懿學長、神秘又親和的心卉學姊、英挺的怡誠 ... See full document
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在二氧化鉿為基底之高介電係數閘極介電層中的載子捕捉與逃逸的電性行為
... 世璋學長，謝謝你能耐心的指導我，使我具備獨立研究的能力，並且與我一 起討論研究上所遭遇的任何問題，協助我去解決它們。感謝 NDL 的高頻實驗室裡 的工程師們與計測實驗室裡的彭作煌先生在量測分析儀器上的幫助，讓我能夠順 利地完成研究。 ... See full document
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以鉿為基底之高介電常數閘極介電層之N通道金氧半電晶體可靠度探討
... 國立交通大學電子工程學系電子研究所碩士班 摘要 當元件氧化層持續微縮時，以二氧化矽為基底做為 CMOS 元件因 為閘極漏電流過高，無法滿足低功率電路的要求，故以高介電係數材 料取代二氧化矽是一個重要的課題。近年來在研究氮氧化鉿矽上，指 ... See full document
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二氧化鉿閘極高介電質之依時性介電層崩潰機制研究
... 第三章 電性量測與分析 3-1 量測機台簡介 為了了解介電層沉積後，在不同溫度的快速熱退火處理(RTA)， 對 HfO 2 介電層所造成的影響。我們將完成電容製程的晶圓，放至載 ... See full document
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利用氮處理改善鈷鈦酸高介電閘極氧化層
... 明顯的幫助。 4.4 結論 本章首先利用 N + 佈植處理，對鈷鈦酸閘極電容結構，進行各種電性研究。 結果顯示，適當劑量的 N + 佈植，有助於電容值的提升，且有減少介電氧化層中 固定電荷的趨勢。不過當 N + 佈植劑量大到 2E15 cm -3 時，反倒會使電容值有衰退 ... See full document
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高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(I)
... 摘要 我們利用交流濺鍍法濺鍍鈦酸鍶-二氧化矽 (SrTiO 3 -SiO 2 ) 非晶質薄膜於 P 型矽 基板，作為高介電常數閘極氧化層，濺鍍標靶是由鈦酸鍶及二氧化矽之粉末混合而成。 濺鍍薄膜之表面 型態、 晶體結構及化學鍵型態 ，我們分別用掃描式電子顯微鏡 (SEM)、掠角 X 光繞射分析儀 ... See full document
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高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(II)
... (AES)來分析薄膜中的元素縱深分佈。電性量測方面，利用電子束蒸鍍法成長白金上電 極，電極面積為 4.9x10 -4 cm 2 ，隨即經過 5 分鐘 400 o C的退火處理;背電極則是利用熱蒸 鍍法在矽基板的背面蒸鍍鋁。最後在不同頻率下量測薄膜的電容電壓特性，並量測薄 ... See full document
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利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究
... Zirconium silicate films have been shown to be promising candidates for a replacement gate insulator in deep-submicron CMOS technology but a production-worthy deposition technique st[r] ... See full document
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