[PDF] Top 20 4-20GHz 超寬頻低雜訊放大器設計

... the 20-GHz high end where further design iterations ensure an even smaller input reflection coefficient, much of the design challenge lies in achieving a good at 10 GHz, which is indeed the limiting ... See full document

... 摘要 低雜訊放大器在無線通訊接收前端電路扮演一個重要的角色，負責放大接收 天線後的微弱訊號並維持最小的雜訊為原則。功率消耗、寬頻輸入阻抗的匹配、 ... See full document

... IV 誌 謝 在新竹交通大學碩士班的這二年歲月裡，誠心的感謝我的指導教授 唐震寰 老師提供我一流的實驗室學習環境與專業上的指導。讓我對於射頻電路能夠有著 非常多的進步與了解。雖然新竹的食物有些並不怎美味，但是交通大學還是一個 非常好的地方，在學習鑽研知識上是一個很讓人讚賞的地方。 ... See full document

... iii 致 謝 研究所將近三年的日子裡，需要兼顧學業、工作與家庭，讓我更覺得時間的 可貴。很榮幸的，我有機會寫這篇致謝，因為有太多的人需要感謝，首先我要感 謝我的指導教授周復芳博士，由於您的鼓勵與指導，提升我射頻領域的視野並吸 收到很多寶貴的知識；同時要感謝口試委員張志揚教授與胡政吉博士的蒞臨指 導，使這篇論文更加完整；另外，在晶片的設計過程中，特別要感謝匯儀與子豪 ... See full document

... 如圖 4.7 所示，為傳統之共源疊接低雜訊放大器的架構，其中由電晶體 M1 與電阻 提供偏壓；電阻 一般為大電阻，主要是避免 RF 訊號洩漏而影響偏壓。疊接架構最大 的好處在於減少米勒效應(Miller effect)，將可使得電路的高頻響應因此而提升；疊接的 ... See full document

... Freq (GHz) NFdsb Fig. 4.36 Noise figure with and without Momentum Boardsim In this work, we design a 3~8GHz direct conversion broadband mixer of the second stage of ultra wideband receiver front end. ... See full document

... 5.8GHz 低功率接收機。第一種是利用變壓器的 LNA，第二種是利用差動 LNA。電流損耗方面來看，兩者是差不多 控制在大約 5mA，顫抖雜訊則因為被動混頻器的關係和利用製程裡 所提供的 BJT 來取代 NMOS 和在 LNA 接到被動混頻器都有電感去共 振掉附近的寄生電容兩者在這方面，因此顫抖雜訊頻率都在 ... See full document

... Department of Communication Engineering National Chiao Tung University ABSTRACT This thesis discusses high frequency circuit design for ultra wide-band RF receivers and it mainly includes two parts. One is the analysis ... See full document

... ABSTRACT With the rapid development of the wireless communication technologies, radio frequency integrated circuit tends to higher frequency, higher data rate, wider bandwidth and higher integration. Unlicensed ... See full document

... 國立交通大學電信工程學系碩士班 摘 要 本論文討論的第ㄧ主題是壓控震盪器的分析和設計。在第一主題中：探討三種不 同類型的壓控震盪器：基底回授與超低功率之變壓器型式壓控震盪器和低電壓多頻之 帶壓控震盪器與其除頻器。為了達到高頻的操作，變壓器架構基底回授的方式，量測 結果顯示：在供應電壓 1.5V 功率消耗 6.2 ... See full document

... 1.3.1 Broadband High Gain DLNA In the first part, a DLNA using 0.15-μm GaAs pHEMT process designed for the SKA band from 4.6 to 8.5 GHz will be presented. In previously published works, it is a challenge to ... See full document

... 在寬頻低雜訊放大器的設計中，使用了兩級的放大器架構，以達到寬頻之特 性。在第二級放大器中使用了中間級共振電路架構（Inter-Stage Resonance），以 ... See full document

... X 頻帶低雜訊放大器使用 TSMC 180 nm CMOS 製程來完成，整體 電路架構採用兩級共源極組態串接的方式，來達到低電壓、低雜訊指數與低功率 消耗的需求，輸入級採用源極退化電感與串聯閘極電感的匹配方式同時達到共軛 ... See full document

... 統之低功率自順向基底偏壓低雜訊放大器。使用自順向基底偏壓技術，可以降低低雜訊 放大器的供應電壓並且也可以節省額外的偏壓電路，而使我們的低雜訊放大器在兩個汲 極-源極的電壓降之供應電壓為 ... See full document

... CMOS make it proper to very high levels of mixed signal radio integration while increasing the functionality of a single chip radio to cover multiple RF standards [3]. Due to the advancement of circuit design technology, ... See full document

... Momentum + variation simulation with Momentum simulation minus ten percent of inductance of every inductor for trouble shotting. After trouble shotting, the simulated curve agree well to the measured date. Thus, we ... See full document

... 致謝 能夠完成碩士這兩年的學業，首先我要先感謝我的指導老師周復芳博士，再這兩年的期 間總是能適時的給我關心以及指導，不僅讓我在射頻積體電路設計的領域上有很好的基 礎也讓我的心態與態度都有所成長。也感謝電子工程學系胡樹一教授給我一個機會能開 始 接 觸 如 何 設 計 低 雜 訊 放 大 器 以 及 論 文 口 試 ... See full document

... 本論文提出適合用於超寬頻的低雜訊放大器。在元件的選擇上， 使用由 GCTC 所提供的異質接面雙載子電晶體( heterojunction bipolar transistor, HBT )。電路架構上，則採用達靈頓回授式放大器結構。除 了基本架構外，本論文另外提出三種衍生架構： ... See full document

... 主要是在輸出端做匹配。為了能在所應用的頻段內達到相對的平坦增益，在前兩 級中利用shunt peaking 的方法去實現。供應電壓V DD 為1.8伏特時，整個電路功 率消耗約為17.02mW，及包含pad的情況下整個電路大小約為0.51 mm 2 。本研究的 低 雜 訊 放 大 器 所 量 測 的 規 格 ， 平 均 順 向 增 益 (S 21 ) 在 ... See full document

... 收器之可調頻低雜訊放大器。第一顆晶片，設計適用於接收端超寬頻系統之可調 頻率放大器被設計與分析，利用柴比雪夫濾波器設計達到寬頻之輸入阻抗匹配， ... See full document