[PDF] Top 20 應用於超寬頻3.1-10.6 GHz低雜訊放大器之設計

... P 1 at the fundamental frequency and a power of P 3 at the IM3 frequency for a given input power of P i , as illustrated in Figure ...P 3 and P 1 versus P i , the IM3 terms have ... See full document

... 本篇論文主要是利用標準 0.18µm CMOS 製程設計應用於超寬頻系統前端接 收器之低雜訊放大器和混波器積體電路。在第一顆晶片裡，適用於接收端超寬頻 ... See full document

... 國立交通大學電信工程學系碩士班 摘 要 本論文討論應用於超寬頻射頻接收機的高頻電路設計且主要分為兩個主題探 ... See full document

... 主要是在輸出端做匹配。為了能在所應用的頻段內達到相對的平坦增益，在前兩 級中利用shunt peaking 的方法去實現。供應電壓V DD 為1.8伏特時，整個電路功 率消耗約為17.02mW，及包含pad的情況下整個電路大小約為0.51 mm 2 。本研究的 低 雜 訊 放 大 器 所 量 測 的 規 格 ， ... See full document

... 也讓本篇論文得以順利完成。 還要感謝張慈學長、秋峰學長在研究和晶片量測上給 予的寶貴建議和幫忙，使的我的碩士論文得以完善。也要感 謝軍宏學長供應＂精神＂上的支援、建宏學長提供生活上的 所需、彬舫學長滿足我對咖啡的需求、存甫學長傳授海水魚 知識，還有同屆的肌肉猛男鴻瑋、胞兄弟國慶、魔獸達人科 閔、好鬼才達道，在研究方面有討論的同伴，及實驗室的大 家，讓我度過充實又愉快的碩班生活。 ... See full document

... 3.3.2 Chip Implementation Fig 3.5 shows the microphotograph of the Darlington pair LNA circuit. The circuit is fabricated in the TSMC 0.18um CMOS technology. The die area including bonding pads is ... See full document

... 致謝 能夠完成碩士這兩年的學業，首先我要先感謝我的指導老師周復芳博士，再這兩年的期 間總是能適時的給我關心以及指導，不僅讓我在射頻積體電路設計的領域上有很好的基 礎也讓我的心態與態度都有所成長。也感謝電子工程學系胡樹一教授給我一個機會能開 始 接 觸 如 何 設 計 低 雜 訊 放 大 器 以 及 論 文 口 試 ... See full document

... d 1 L and d 1 L are the loads for each common-source d 2 amplifier, C g 2 is the coupling capacitor, C bypass is the bypass capacitor, and R bias is the bias ... See full document

... 還有要感謝實驗室的同學子豪、智鵬、宜星、宇清，和你們一起熬夜晶片下線，雖 然辛苦，但是卻很開心在研究所生涯中能有一起共患難的朋友，另外要感謝已畢業的學 長文明、仕豪、柏揚、政展、秋榜和宏斌，你們認真的研究態度一直是我們的榜樣，也 教導我們許多知識與實用的技巧，感謝和學弟昱舜、志豪等有你們陪我一起渡過這兩年 的研究生生活，彼此在學業和研究各方面相互砥礪和支持，帶給了我一段美好、難忘、 ... See full document

... resistance Si substrate. Such low NFmin is comparable with de-embedded 0.13 µm node MOSFETs (80 nm gate length) [3]-[4]. At RF frequencies, the MOSFET 1/f noise becomes negligible and thermal noise is the ... See full document

... 摘要 於本論文，我們提出一使用 0.18-µm TSMC CMOS 1P6M 製程應用於超寬頻低頻帶系 ... See full document

... 收器之可調頻低雜訊放大器。第一顆晶片，設計適用於接收端超寬頻系統之可調 ... See full document

... 因此在設計上常使用輸入濾波器匹配方式，利用電感、電容組成的寬頻架構並不 會造成過大的功率消耗，改善了原本窄頻的特性，使得電晶體輸入端在設計的頻 帶內有寬頻的效果，但是輸入端的匹配網路需要使用多個電感，使得晶片面積增 加，提高製作成本，且由於在輸入端加入太多電感，如果電感Q ... See full document

... 入回授電阻，此超寬頻低雜訊放大器能夠同時達到高增益與輸入端寬頻匹配，量 測結果顯示：優於-10 dB 之輸入與輸出端反射損耗、3.3 dB 之最小雜訊指數、14.1 dB ... See full document

... 器分別可以操作在 3.1-5GHz 和 6-10.6GHz。 此設計包含了一個輸入匹配電路，兩個共源級 放大器和使用來量測之輸出緩衝器。 並且分析輸入匹配電路設計步驟[9]，此對我們設計輸入 匹配電路很重要。 ... See full document

... Low noise amplifier is the first gain stage in the receive path so its noise figure directly adds to that of the system. Therefore, there are several common goals in the design of LNA. These include minimizing noise ... See full document

... In the chapter 2, a brief introduction of the HBT devices fabricated by the Global Communication Technology Corporation (GCTC) is presented. In addition, a detailed theoretical analysis of Darlington feedback topology is ... See full document

... Figure 3-6 is the LNA circuit ...make 1 / g m = 50 Ω , the g m value of common gate amplifier is going to be fixed at certain ...= 1 / g m = 50 Ω ... See full document

... matched 10–20-GHz LNA using the novel wide-band ...at 10 GHz, which is indeed the limiting factor in determining the circuit’s relative ...this 10-GHz frequency point can be ... See full document

... iii 致 謝 研究所將近三年的日子裡，需要兼顧學業、工作與家庭，讓我更覺得時間的 可貴。很榮幸的，我有機會寫這篇致謝，因為有太多的人需要感謝，首先我要感 謝我的指導教授周復芳博士，由於您的鼓勵與指導，提升我射頻領域的視野並吸 收到很多寶貴的知識；同時要感謝口試委員張志揚教授與胡政吉博士的蒞臨指 導，使這篇論文更加完整；另外，在晶片的設計過程中，特別要感謝匯儀與子豪 ... See full document