[PDF] Top 20 氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究
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氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究
... 氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究 誌謝 在開始著手進行專題撰寫之前，我從來不知道能夠學到如此豐富 的專業知識。專題研究就如同連鎖效應，一個問題所衍伸出更多、更 ... See full document
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具有超薄N2O退火氮化物閘極介電層與矽鍺通道之金氧半場效電晶體可靠度及通道厚度效應研究
... 誌 謝 在短短兩年的碩士班研究生涯，首先感謝指導教授 張俊彥校長，在 繁忙的校務工作之餘仍耐心地給予實驗室學生們學術上的指導與勉勵，而 老師寬懷的胸襟與遠見更是我們應當學習的目標。其次感謝國家奈米實驗 室之研究員 簡昭新博士，其認真的研究態度與豐富的知識，令學生受益 匪淺。也感謝國家奈米實驗室裡的工程師與實驗群，由於他們在實驗上的 ... See full document
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氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究
... 氮氣熱退火處理對矽氧化鉿高介電質可靠度之研究 誌謝 在開始著手進行專題撰寫之前，我從來不知道能夠學到如此豐富 的專業知識。專題研究就如同連鎖效應，一個問題所衍伸出更多、更 ... See full document
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閘極介電質氧化鉿與氮氧矽鉿之可靠度研究
... 還要謝謝學長嘴砲大宗諭、邱德鑫、學姊美君、阿壘、猴子明宏以，同學冠 迪、小宗育、智盟、翊鴻、高興、顏榮家、世安、啟瑞、才民、小橋、佑倫，豐 富了我碩士班兩年的生活。讓我有了這兩年的美好回憶。 還要感謝家人的支持，讓我無後顧之憂地致力於碩士學位。也要感謝無緣的 那一位在這兩年的陪伴與照顧,雖然無緣一起走到最後,還是感謝這段時間支持 ... See full document
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超薄氮化矽閘極介電層之可靠度研究
... 超薄氮化矽閘極介電層之可靠度研究 A Study on the Reliability of Ultrathin Oxynitride Gate Dielectrics.. Tiao-Yuan Huang Dr.[r] ... See full document
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以感應耦合式電漿系統成長之超薄氮氧化矽薄膜的電特性與可靠度研究
... 奈米以下時，閘極介 電層的有效電性厚度將縮小至 1.5 奈米以下，但是達此超薄厚度之二氧化矽絕緣 膜其直接穿遂電流將大到無可忍受的程度，另外，隨著製程熱預算的降低，低溫 氧化製程技術的必要性也隨之增加。在本論文中，我們首次提出在 300 ℃的低溫 環境下，使用感應耦合式 (ICP) N 2 O ... See full document
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低介電常數碳氧化矽阻障層與銅金屬整合之電性可靠度研究
... 更多學習的甜，我會永遠懷念。 感謝陳茂傑教授，在兩年碩士班期間指引我方向，又給予我信任 與自由。老師治學嚴謹負責，指導學生卻總是理直氣和、從不疾言厲 色。有幸拜入老師門下，除了學業研究上的指點，這謙謙君子的大師 風範也讓學生有所體悟。感謝吳偉豪、王超群和吳振誠學長在這兩年 中的指導與協助，對我而言豪哥認真的身影已是 629 的必要風景，宛 ... See full document
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快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究
... 首先要感謝的是我的指導教授葉文冠老師，帶我進入了半導體領域，並且提供良好的 實驗室環境與充足的資源，令我在學習上得到莫大的幫助，老師也常常分享業界的經驗， 並且給予我未來就業的方向。再來感謝高雄師範大學的楊宜霖教授及師母章聞奇博士，他 們也教導了我許多知識，有困難時也會耐心地替我解決問題，並提供了許多幫助，感謝以 上三位在半導體專業知識、論文架構與方向、實驗技巧、數據分析等對我耐心的指導與幫 ... See full document
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氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究
... 的成員。和由於有老師在專業課程上指導和研究領域上的協助，讓我養成應有的 研究態度和正確的研究方法。並讓我受益良多更加成長。在這邊，我要向老師至 呈上最衷心的感謝。另外，我要感謝帶我的實驗室陳永裕學長，我接實驗室國科 會計劃，沒有陳永裕學長在我實驗遇到困難和人生低潮時的幫忙和鼓勵，讓我才 能順利的完成研究。也感謝國家奈米實驗室提供製程機台和裡面勞苦功高的工程 ... See full document
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利用T型閘極與氨氣電漿處理提升薄膜電晶體元件可靠度之研究
... In chapter 2, the leakage current models are introduced and compare the bottom-gate and top-gate characteristic after and before NH3 plasma treatment.. We also verified physical properti[r] ... See full document
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具高介電常數閘極絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體可靠度研究
... 接著，我要特別感謝馬鳴汶學長與江宗育學長。馬學長在我最無助時伸出援 手幫助我，並且細心教導我做實驗及研究，令我受益不少。即使畢業後到業界去 工作，仍不時著關心、指導我，給予我很多幫助，在此衷心的感謝。江學長耐心 的一步步帶著我做實驗，同時也教導我很多研究以外的東西，這一年多來受到你 很多的照顧，亦致上由衷的謝意。此外，感謝王冠迪學長在量測分析方面的指導， ... See full document
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二氧化鉿閘極高介電質之依時性介電層崩潰機制研究
... 第三章 電性量測與分析 3-1 量測機台簡介 為了了解介電層沉積後，在不同溫度的快速熱退火處理(RTA)， 對 HfO 2 介電層所造成的影響。我們將完成電容製程的晶圓，放至載 ... See full document
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臭氧前處理及雷射退火對多晶矽特性之研究
... SLS 研究[28]；此製程之特 點為可運用準分子雷射平台移動速率及光柵寬度控制多晶矽薄膜晶例成核及成長，在室溫 下可獲得均勻分佈的晶粒。結晶的晶粒成長的長度視熔融態持續的時間而決定，較長的熔 融態持續時間，獲得較長的晶粒長度，在成長長度與熔融區域尺寸兩者作良好的搭配，是 ... See full document
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具有高介電質閘極氧化層(二氧化鉿、氧化鑭)之三五族金氧半電容其電性提升之研究
... 由本實驗結果顯示，二氧化鉿與砷化銦之間的界面品質可藉由較高的退火溫 度來改善，而元件特性也隨之提升。然而，當退火溫度高於500℃，銦原子會由 基板擴散至二氧化鉿，在界面有大量的氧化銦產生，導致元件特性因此變差。同 ... See full document
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熱處理對氧化銦錫薄膜特性之研究
... 2.6.1 快速熱退火 快速熱退火系統，藉由快速升降溫度的方式與過程，能夠將薄膜 材料的表面結構重新組合來減少並改善缺陷問題，以及誘導材料相位 變化的產生，也因為升溫與持溫的時間相對較短，因此可以避免不必 要的擴散現象發生。快速熱退火設備系統可在極短的時間內將溫度提 升至 1000 ... See full document
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氟摻雜對應變矽於二氧化鉿堆疊式金氧半場效電晶體其特性和可靠度的影響
... 誌謝 考上交大後，很幸運的進到羅正忠老師的實驗室。在這兩年中，不論是在課業 及論文遇到的困難，老師及學長都會適時地給我幫助，讓我總是克服一次又一次 的問題，才能順利地拿到這個學位。由衷的感謝我的指導教授-羅正忠博士，不 但在論文的研究方向給予我很明確的指示，更教我們做人的道理和處事應對的態 度，讓我們日後出社會，不單是學到了專業知識，也學到了正確的學習態度，跟 ... See full document
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以溶凝膠法製備矽酸鉿高介電材料
... 摘要 本論文利用溶凝膠法成功製備出的二氧化鉿以及矽酸鉿高介電薄膜於矽基板 上，並將此高介電薄膜製成 Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) 結構，研究其特性 ... See full document
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高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用
... 電子工程系電子研究所 摘要 由於矽積體電路元件尺寸的縮微，導致不斷的減少閘極氧化層的厚度。然 而，隨之而來的高閘極漏電流卻使電晶體的特性變差，並且使元件消耗的功率變 ... See full document
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氮氣和熱處理對氧化鉿薄膜的電阻式記憶體電性之效應
... 再來要感謝曾文賢學長對我初期實驗的方向作了指引，使我有一個明 確的方向進行實驗，感謝實驗室菘宏學長實驗機台的教導與分析儀器 的協助，可以讓我在實驗分析上順利的進行，以便我後續的實驗進 行，感謝口試委員在口試時的指導，感謝這一路走來協助我的人，若 不是你們的幫忙，本論文無法如此順利的完成。 ... See full document
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沉積後電漿處理與退火製程對二氧化鉿熱穩定性之影響
... 隨著金氧半場效電晶體的微縮，二氧化矽當作閘極介電層將面臨到物理限制。當 互補式金氧半場效電晶體的閘極通道長度微縮到 100 奈米以下時，閘極介電層的 有效電性厚度將縮小至 1.2 奈米以下，以二氧化矽當作氧化層將會面臨到很多的 ... See full document
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