[PDF] Top 20 高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究
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高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究
... 重的漏電流產生。為了有效的降低閘氧化 層漏電流，採用具有較高介電係數(K 值) 之閘氧化層，諸如 High-K[1-7]或是高濃度 電漿氮化閘氧化層[8-10]都是近一兩年內 ... See full document
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利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性
... 成為不可或缺之生產技術，它是透過高能 電漿離子直接撞擊，或是利用電漿離子氣 體與晶圓表面起化學反應，而達成蝕刻的 目的。然而，近年來發現這種蝕刻方式會 對高積體化的電路佈局造成天線效應，並 引發可靠性問題。一般來說，電漿蝕刻傷 害的類型可分為兩種: 其中一種發生在通 ... See full document
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超薄閘極氧化層元件可靠性研究
... 超薄閘極氧化層元件可靠性研究 Ultr a-thin Gate Dielectr ic CMOS Device Reliability 計畫編號：NSC 90-2215-E-009-069 執行期限：90 年 8 月 1 日至 91 年 7 月 31 日 主持人：汪大暉 國立交通大學電子工程學系 ... See full document
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原子層沉積氧化鋁閘極介電層之砷化鎵通道元件電性研究
... v 誌謝 時光飛逝，碩士班短短兩年收穫良多。首先，最重要感謝的是我的指導教授簡昭 欣教授。提供我，在實驗上有充足的資源能夠盡情的嘗試；教導我，在研究上用嚴謹的 態度面對問題的探討；叮囑我，在個性上須謙卑的角度改善自身的缺點。可以作為這位 好老師的研究生，實在是上輩子修來的福氣。 ... See full document
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高含氮氧化層介面層於二氧化鉿閘極介電層之金氧半場效電晶體特性研究
... 學歷: 國立彰化師範大學電機學系學士 (91.9-95.6) 國立交通大學電子工程研究所碩士 (95.9-97.9) 碩士論文題目: 高含氮氧化層介面層於二氧化鉿閘極介電 層之金氧半場效電晶體特性研究 ... See full document
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高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II)
... high-K 元件在 stress 前後的 T-GD 量測 圖。總合在 Fig. 17，我們可以發現因為 high-K 的氧化層中捕捉了相當數量的電 子，使得 stress 時降低了 gate 端的垂直電 場，讓元件的界面傷害沒有 control oxide ... See full document
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超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究
... high-K 介電質，提高 Physical Oxide 厚度卻獲得 較小的 EOT [1-3]，或是高劑量的氮化製程 以 增 加 k 值 來 降 低 leakage current 等 [4-5]。在現階段， high-K 閘氧化層材料 特性以及它的製程相容性、材料的穩定性 ... See full document
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氮氧化層及高介電常數介電層在金氧半元件及快閃記憶體上之特性研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 摘要 隨著系統晶片（SOC）的發展，持續降低 CMOS 元件中的閘極介電層及非 揮發性記憶體中的複晶矽層間介電層（inter-poly dielectric）厚度以提高元件密度 ... See full document
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具有高介電質閘極氧化層(二氧化鉿、氧化鑭)之三五族金氧半電容其電性提升之研究
... 氧化鑭)於三五族複合物半導體基板上來製備金氧半電容，並尋求各種可行的方 法來改善介面品質以提升元件特性。 由本實驗結果顯示，二氧化鉿與砷化銦之間的界面品質可藉由較高的退火溫 度來改善，而元件特性也隨之提升。然而，當退火溫度高於500℃，銦原子會由 ... See full document
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高介電常數材料（HfAlOxNy）在MOS元件上特性之研究
... 沈高介電質之前我們利用紫外光及上臭氧去成長一層高品質的極薄 氧化層．介由電性的量得到一個適合的沈積後退火的溫度(900oC 30sec)．在第二章最後比較了有做紫外光臭氧表面、沒有做過任合表 面處理及做了紫外光臭氧之後加上 NH3 電漿的氮化的表面處理．從漏 ... See full document
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氧化釔摻鋯堆疊閘極介電層之特性以及漏電機制研究分析
... 產品如雨後春筍般湧現，隨著科技越來越發達，我們所 製造的電子用品也越來越新穎。隨著年代的精進，現今的科技產品已經漸漸 微小化，放在手機、平板、電視等等裡的元件也越做越小。但是在這微小的 元件裡，我們所探討的是實用性與效能，這正是本章所研究的主要重點。由 ... See full document
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原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之三五族元件電物性研究
... 你們我大概會很無聊吧!胖哥,也希望你的黑珍珠能夠順利長大。阿倫和弘森,有了你們, 讓我們總是有話題可以討論,搞不好在軍中又可以聚聚囉!宇彥和阿飛,今後也要堅持自 己所選的路,也住你們在往後不管是學業或工作都能順利。學弟宗佑,III-V的發揚光大 就靠你了,我相信你可以的,政庭、耀昇、大鳥和小猪,實驗室就交給你們把持住了!老高, 謝謝你總是在我寂寞的時候介紹許多女生給我,讓我見識到什麼是真男人。阿威,你這個 ... See full document
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具有高介電係數閘極介電層之薄膜電晶體製作及特性研究
... 23. M.-D. Ker, C.-K. Deng, and T.-K Tseng, A. Shih, and S.-C. Yang, “ESD protection device with thick poly film and method for formation the same,” ROC Patent #584953, Apr., 2005. 24. 柯明道、鄧至剛、孫文堂, ... See full document
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二氧化鉿閘極高介電質之依時性介電層崩潰機制研究
... 第三章 電性量測與分析 3-1 量測機台簡介 為了了解介電層沉積後，在不同溫度的快速熱退火處理(RTA)， 對 HfO 2 介電層所造成的影響。我們將完成電容製程的晶圓，放至載 座與顯微鏡機台下，利用高倍率顯微鏡，查看電容元件的位置，再利 ... See full document
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原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之鍺金氧半場效電晶體電物性研究
... 兆欽學長，謝謝你指導小劉成為可以獨立設計實驗、整理數據、找資料、以 及數據分析的能力。每次和你討論，我都有相當的收穫和震撼。另外，很謝謝你 的舞伴雲雲每次給我甜美的笑容和問候，讓我感到相當溫馨。 很感謝張老師以及簡老師兩個團隊的全體同胞，以及儀器中心的同仁！張老 師團隊裡美麗可愛的伊喬皇后、帥帥的宗熺學長、酷酷的宗霖學長、憨厚的漢譽 學長、時髦的文政學長、歡喜的聖懿學長、神秘又親和的心卉學姊、英挺的怡誠 ... See full document
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高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I)
... 由前述的結果可知，高濃度電漿氮化製 程對 0.1 微米以下超薄氧化層元件的設計 上，仍有諸多的缺點。即使元件的漏電流大 幅度的被降低外，但是付出的代價除了因為 含了 Si 3 N 4 多氧化層缺陷的材料特性外，另外 ... See full document
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超薄電漿氮化氧化層與高介電常數氧化鉿於閘極介電層之研究
... 的最佳高介電常數材料。在金絕半電容器的製作中，採用原子汽相沉積氧化鉿介 電層，搭配以濺鍍方式沉積銅或鋁金屬作為閘極所組成的。為了便於比較，同時 也製作了以二氧化矽介電層所組成的金絕半電容器對照組。利用偏壓溫度壓迫測 ... See full document
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利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件
... 釋 元 件 熱 載 子 傷 害 的 改 善 情 形 。 另 外，吾人並將氘化製程應用於電漿蝕刻 傷害的研究上，並得出有效的傷害改善 結果。而從本研究中可以得知，對於氮 化的效應，主要乃是因為他會造成強健 的 S-N 鍵結，使得元件的 oxide ... See full document
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具有超薄高介電常數閘極介電層與應變矽鍺通道之先進深次微米金氧半場效電晶體研究
... nm)氮化閘極氧化層 之 0.13 µm n型金氧半場效電晶體，研究其因熱電子引起電子捕捉 (electron trapping)所造成之元件劣化行為，我們發現經由多種氮化技 術如氮化矽/二氧化矽堆疊(Si 3 N 4 /SiO 2 stack)、一氧化氮退火氮化(NO ... See full document
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具有金屬閘極與高介電係數閘極介電層之奈米元件之製作與特性探討
... /SiON 閘極介電層之 P 型金氧半場效電晶 體之影響。使用離子佈值打入氟，藉由之後的 雜質活化將氟擴散進去閘極介電層。研究中發 現，氟的採用幾乎沒有影響到電晶體之基本電 ... See full document
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