[PDF] Top 20 具有低介電常數阻障介電薄膜製程整合之研究(II)

... 高 介 電 係 數 的 氮 化 矽 (silicon nitride) (k~8)，以降低導線系統的延 遲時間。本研究將討論含氧碳化矽膜的基本 物性及電性，以及其在製程整合時遇到氧電 漿處理以及後段製程受溫度的影響其薄膜 ... See full document

... █期中進度報告 具有低介電常數阻障介電薄膜製程整合之研究(1/2) 計畫類別：█ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號：NSC ... See full document

... 在本論文中，我們製作並且研究具有不同厚度二氧化鉿閘極絕緣層的 P 形通道低溫複晶薄膜電晶體。我們比較了具有不同厚度二氧化鉿閘極絕緣 層的 P 形通道低溫複晶薄膜電晶體的電性和可靠度。在電性方面，我們發 ... See full document

... 除了電漿表面處理之外，氟與氮離子佈植法配以固態低溫活化法也可達到高 性能的二氧化鉿之低溫薄膜電晶體。對於氟離子佈植法而言，二次離子質譜儀的 分析展現了與過往研究中不同的氟離子分佈，造成約有百分之 25 的晶界缺陷陷 阱被氟離子鈍化且導致漏電電流降低約十倍。另外，熱載子效應對於臨界電壓不 ... See full document

... nm)氮化閘極氧化層 之 0.13 µm n型金氧半場效電晶體，研究其因熱電子引起電子捕捉 (electron trapping)所造成之元件劣化行為，我們發現經由多種氮化技 術如氮化矽/二氧化矽堆疊(Si 3 N 4 /SiO 2 stack)、一氧化氮退火氮化(NO nitridation)與電漿氮化(plasma ... See full document

... 23. M.-D. Ker, C.-K. Deng, and T.-K Tseng, A. Shih, and S.-C. Yang, “ESD protection device with thick poly film and method for formation the same,” ROC Patent #584953, Apr., 2005. 24. 柯明道、鄧至剛、孫文堂, ... See full document

... 接著，我要特別感謝馬鳴汶學長與江宗育學長。馬學長在我最無助時伸出援 手幫助我，並且細心教導我做實驗及研究，令我受益不少。即使畢業後到業界去 工作，仍不時著關心、指導我，給予我很多幫助，在此衷心的感謝。江學長耐心 的一步步帶著我做實驗，同時也教導我很多研究以外的東西，這一年多來受到你 很多的照顧，亦致上由衷的謝意。此外，感謝王冠迪學長在量測分析方面的指導， ... See full document

... 於金屬銅會使其分解為銅離子加速擴散至元件中。因此，高穩定性的 MIS 的結 構是以金屬銅/氮化鉭/金屬鉭(Cu/TaN/Ta)多層薄膜為電極。此外，研究 N 2 O 電漿 後處理對擴散阻障層氮化鎢及金屬鎢薄膜的阻障效能影響。結果顯示經電漿後處 ... See full document

... 室溫下的漏電流機制，發現隨著電場的增強，導電機制由低電場時的歐姆 傳遞，轉變成Frenkle-Poole發射，然後在高於 0.36 MV/cm電場時發生electric breakdown等三種機制。 再者，吾人利用加溫偏壓法(BTS)施加於TaN/Cu/SiCO/Si及Al/SiCO/Si 電容結構， ... See full document

... 進而降低薄膜孔隙率及膜厚。另一方面，三甲基矽化奈米孔洞二氧化矽薄 膜在經臭氧電漿處理後，薄膜內的Si-CH 3 鍵結及C-H鍵結將會消失，使薄膜 失去經甲基矽化改質後的疏水性。上述問題的發生是由於在經臭氧電漿處 ... See full document

... 跟氣體相似的傳輸特性深入到奈米多孔隙低 介電常數薄膜的孔隙內，其後再利用 SCCO2 跟液體相似的溶解特性將孔隙內所吸附的水氣 溶解出來並帶走。由上敘可推測 SCCO2 能在不破壞奈米多孔隙低介電常數薄膜的條件下去 ... See full document

... 電子工程學系 電子研究所博士班 摘 要 此論文提出多種有效方式來改善複晶矽薄膜電晶體的電性，首先，提出具有高介 電常數氧化鐠閘極介電層之固相再結晶複晶矽薄膜電晶體。此外，深入探討應用兩種 ... See full document

... 子顯微鏡所拍之影像與對應的電容電壓曲線圖，求得介電質鈦酸鎳的介電常數的範圍值約 介於 36~42 之間。此外，由電容電壓曲線圖可看出鈦酸鎳介電質具有較薄的電容等效厚度 ... See full document

... 容的開發，促使高介電常數介電質與金屬電極的製程整合開發。本論文是針對高介電 材料鈦酸鍶對記憶體電容做研究與探討。 1-2 使用 high-k 材料的原因 在製程尺寸微縮的壓力之下， ... See full document

... 高 介 電 常 數 材 料 分 別 是 二 氧 化 鉿 (HfO 2 ) 、 鉿 矽 酸 鹽 (Hf-silicate) 以 及 鋯 矽 酸 鹽 (Zr-silicate)，對快閃記憶體元件做特性及可靠度分析，我們可以發現我們所製作的低溫 ... See full document

... Acknowledgements 首先，謹將本文獻予曾經在論文研究這條路上關心我、協助我的恩人與機關團體。 學生由衷地感謝指導恩師 潘扶民教授與 張立教授這些年來的循循善誘與諄諄 教誨，成功地引導學生進入半導體製程與奈米技術的世界，並以材料分析作為工具，藉 ... See full document

... HfO 2 /SiON 閘極介電層之 P 型金氧半場效電晶 體之影響。使用離子佈值打入氟，藉由之後的 雜質活化將氟擴散進去閘極介電層。研究中發 現，氟的採用幾乎沒有影響到電晶體之基本電 性，如臨界電壓、次臨界斜率、閘極漏電流及 ... See full document

... Submitted to Institute and Department of Electrophysics National Chiao Tung University. in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of[r] ... See full document

... The Process Integration of Low-k Dielectrics for Multilevel Interconnection Applications.[r] ... See full document

... 此外，要感謝蔡志宗學長與楊柏宇學長悉心的教導使我得以一窺超臨界流體 領域的深奧，尤其是蔡志宗學長在實驗、量測分析以及論文寫作給予我莫大的協 助與建議，使我在這些年中獲益匪淺，順利獲得知識並取得學位。另外亦得特別 感謝李逸哲學長、李昇翰學長、鄒一德學長、林俊文學長、李啟銘學長、葉唐豪學 長、李崇維學長與鄭逸立學弟的大力協助，因為有你們的陪伴、幫忙及搞笑讓兩 ... See full document