[PDF] Top 20 應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計
Has 10000 "應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計" found on our website. Below are the top 20 most common "應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計".
應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計
... 主要是在輸出端做匹配。為了能在所應用的頻段內達到相對的平坦增益，在前兩 級中利用shunt peaking 的方法去實現。供應電壓V DD 為1.8伏特時，整個電路功 率消耗約為17.02mW，及包含pad的情況下整個電路大小約為0.51 mm 2 。本研究的 低 雜 訊 放 大 器 所 量 測 的 ... See full document
68
應用於超寬頻無線射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與混頻器設計與研究
... 國立交通大學電信工程學系碩士班 摘 要 本論文討論應用於超寬頻射頻接收機的高頻電路設計且主要分為兩個主題探 ... See full document
94
1.8伏金氧半低雜訊放大器之設計應用於超寬頻UWB 3.1-10.6GHZ無線接收端
... 也讓本篇論文得以順利完成。 還要感謝張慈學長、秋峰學長在研究和晶片量測上給 予的寶貴建議和幫忙，使的我的碩士論文得以完善。也要感 謝軍宏學長供應＂精神＂上的支援、建宏學長提供生活上的 所需、彬舫學長滿足我對咖啡的需求、存甫學長傳授海水魚 知識，還有同屆的肌肉猛男鴻瑋、胞兄弟國慶、魔獸達人科 閔、好鬼才達道，在研究方面有討論的同伴，及實驗室的大 家，讓我度過充實又愉快的碩班生活。 ... See full document
65
應用於超寬頻3.1-10.6 GHz低雜訊放大器之設計
... P 1 at the fundamental frequency and a power of P 3 at the IM3 frequency for a given input power of P i , as illustrated in Figure ...P 3 and P 1 versus P i , the IM3 terms have ... See full document
65
1.8伏金氧半低雜訊放大器應用於超寬頻3.1-10.6GHZ無線接收端
... Figure 3-6 is the LNA circuit ...make 1 / g m = 50 Ω , the g m value of common gate amplifier is going to be fixed at certain ...= 1 / g m = 50 Ω ... See full document
58
應用於超寬頻3.1-10.6GHz無線接收端之疊接回授架構與低功率電流再使用架構之低雜訊放大器之設計
... d 1 L and d 1 L are the loads for each common-source d 2 amplifier, C g 2 is the coupling capacitor, C bypass is the bypass capacitor, and R bias is the bias ... See full document
64
應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計
... 3.3.2 Chip Implementation Fig 3.5 shows the microphotograph of the Darlington pair LNA circuit. The circuit is fabricated in the TSMC 0.18um CMOS technology. The die area including bonding pads is ... See full document
78
應用於無線網路之低電壓(0.7V)變壓器迴授低雜訊放大器與應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計
... 還有要感謝實驗室的同學子豪、智鵬、宜星、宇清，和你們一起熬夜晶片下線，雖 然辛苦，但是卻很開心在研究所生涯中能有一起共患難的朋友，另外要感謝已畢業的學 長文明、仕豪、柏揚、政展、秋榜和宏斌，你們認真的研究態度一直是我們的榜樣，也 教導我們許多知識與實用的技巧，感謝和學弟昱舜、志豪等有你們陪我一起渡過這兩年 的研究生生活，彼此在學業和研究各方面相互砥礪和支持，帶給了我一段美好、難忘、 ... See full document
81
應用於超寬頻系統之電流再利用低雜訊放大器、9-26GHz寬頻互補式電晶體低雜訊放大器之設計與研究
... 致謝 能夠完成碩士這兩年的學業，首先我要先感謝我的指導老師周復芳博士，再這兩年的期 間總是能適時的給我關心以及指導，不僅讓我在射頻積體電路設計的領域上有很好的基 礎也讓我的心態與態度都有所成長。也感謝電子工程學系胡樹一教授給我一個機會能開 始 接 觸 如 何 設 計 低 雜 訊 放 大 器 以 及 論 文 口 試 ... See full document
57
新穎的金氧半電晶體雜訊模型與應用於超寬頻系統低雜訊放大器之設計
... resistance Si substrate. Such low NFmin is comparable with de-embedded 0.13 µm node MOSFETs (80 nm gate length) [3]-[4]. At RF frequencies, the MOSFET 1/f noise becomes negligible and thermal noise is the ... See full document
60
應用於超寬頻之低雜訊放大器
... in the 3.1 ~ 10.6 GHz frequency band. Based on this exceptionally large frequency spectrum, UWB technology has attracted a lot of interest from both industries and academia. Since for ... See full document
46
應用於超寬頻接收機之低電壓低功率低雜訊放大器與多頻帶頻率合成器
... Chapter 4 Conclusions and future works 4.1 Conclusions This thesis analyzes the design method of low-voltage, low-power, UWB LNA, and this circuit is demonstrated with wideband performance from 2.5 to 8.5 ... See full document
92
3–6 GHz超寬頻低功率自順向基底偏壓低雜訊放大器設計
... 摘要 於本論文，我們提出一使用 0.18-µm TSMC CMOS 1P6M 製程應用於超寬頻低頻帶系 ... See full document
81
無線區域網路之CMOS鏡像拒斥低雜訊放大器、超寬頻系統之電流再利用低雜訊放大器、超寬頻系統之低功率高線性度無電感混頻器之設計與研究
... 入回授電阻，此超寬頻低雜訊放大器能夠同時達到高增益與輸入端寬頻匹配，量 測結果顯示：優於-10 dB 之輸入與輸出端反射損耗、3.3 dB ... See full document
89
應用於3.1~10.6 GHz超寬頻射頻前端接收器
... 已經無法提供滿足此需求。本篇論文闡述一個應用於 3.1~10.6 GHz 之 超寬頻射頻前端接收器的設計方法與製作技術並依據國際電子電機學會所制定的 ...收 ... See full document
31
應用於超寬頻與802.11a無線射頻接收機之CMOS低功率低電壓及改善閃爍雜訊技術之混頻器與超低功率混頻器之設計與研究
... 為 1V。量測結果顯示，在供應電壓 1V 下，混頻器僅消耗 ...毫瓦，並且擁有 3.1~10.6 GHz 的頻寬，並且轉換增益在 ...3.1~9.6 GHz 中僅 1 dB ... See full document
84
應用於Millimeter Wave 射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與CMOS降頻器設計研究
... 回授的寬頻低 雜訊放大器，主要應用頻段在 10~18 GHz。該低雜訊放大器藉由在輸入端電晶體 加入 transformer，利用 transformer 本身的回授機制與電晶體的寄生電容，能 夠在 ... See full document
70
應用於超寬頻之電容回授匹配與電流再利用之低雜訊放大器
... 因此在設計上常使用輸入濾波器匹配方式，利用電感、電容組成的寬頻架構並不 會造成過大的功率消耗，改善了原本窄頻的特性，使得電晶體輸入端在設計的頻 帶內有寬頻的效果，但是輸入端的匹配網路需要使用多個電感，使得晶片面積增 ... See full document
51
相關主題