[PDF] Top 20 研究鍺表面鈍化於未來鍺通道金氧半場效電晶體之效能影響

... v 誌 謝 還清楚記得甫推甄上研究所之喜悅，轉眼間兩年的碩士班生活就過去了。在我生命 中這段期間內出現的人物當中，我首先要感謝我的指導教授簡昭欣博士。老師總是在百 忙之中撥出時間了解我們的實驗進度並提出建議與可以努力的方向，使我得以做出一篇 結構完整的論文。在課業之外，老師也關心我們的日常生活與教我們待人處事之道，在 傳道授業解惑三方面老師都做到了，對此我致上萬分敬意。另外，由面試主管口中得知 ... See full document

... 5-2 未來展望 未來展望 未來展望 未來展望 高功率金氧半場效電晶體的發展及其應用，截至目前為止，仍有 ... See full document

... 在本篇論文中，我們首先藉由模擬的方式去探討離子的植入條件 對雙擴散汲極金氧半場效電晶體在電性上的影響，藉此去了解其發生 的物理機制，並將由模擬出的結果及趨勢，選擇最適當的條件以改善 元件的特性。從過程中，我們發現將植入能量提高，可以提升元件的 ... See full document

... dispersion)現象。而且本文發現以高壓水處理經高溫退火後的元件可以降低其漏電流。 在二氧化鋯於矽基板的研究中，經高溫退火處理後的元件會因二氧化鋯結晶而導致漏電 上升。經過高壓水處理後的元件，其閘極漏電流、電容遲滯現象(hysteresis)和等效電容 厚度(capacitance-equivalent ... See full document

... 李義明 教授 國立交通大學電信工程研究所碩士班 摘要 在這篇論文中，首先我們製造了以二氧化鋯為閘極介電層的鍺金氧半電容，再來我 們使用了電性和物性分析來研究利用不同溫度的原子層化學沉積以及不同溫度的沉積 ... See full document

... 在此論文中，分別針對應變源極汲極矽鍺與嵌入式矽鍺通道等二項工程提出不同結 構與技術改善以提昇 28 奈米 P 型電晶體元件特性。針對應變源極汲極矽鍺，我們探討 製程參數所造成的鬆弛性矽鍺對 P 型電晶體元件特性之通道應力衰減與矽基材缺陷形成 ... See full document

... 的頻率離散(frequency dispersion)、微縮的遲滯現象及較低的接面缺陷密度及漏電 流成果。且進一步將硫化氨的溶劑(solvent)從水換成丁醇(C 4 H 9 OH)將可看到更大 幅度的電特性改善，不僅明顯壓抑表面砷原子及氧化砷(AsO x )的量，也形成更多 ... See full document

... 晶體的性能影響與可靠度分析。我們實驗發現，在氮化矽沉積前先沉積一層薄緩 衝層(thin buffer layer)並不會使元件性能變差，這是使用薄緩衝層的優點之 一。而沉積氮化矽覆蓋層時所帶來的熱預算(thermal budget)雖然可以降低界面 的缺陷與減少逆短通道效應，然而卻會使多晶矽空乏現象變嚴重。在本研究中， ... See full document

... 誌 謝 在完成論文的同時，多年來辛苦研究的過程一一浮現在眼前， 許多酸甜苦辣的回憶亦一股腦兒的湧上心頭，回首至今，對於能夠完 成論文自始至終都是滿懷著感恩的心情。感謝指導教授 張俊彥校長 多年來的教導，自碩士班起就接受老師的研究指導，退伍後持續跟隨 老師做博士研究，轉眼已十一個年頭。除了學術上的指導外，老師投 ... See full document

... 最後要感謝的是我摯愛的母親和敬重的兄長，這一輩子，在數次失意的日 子中，母親總是給予安慰，人生之中有太多難以向外人所述之事，母親是唯一的 聆聽者，讓我從幾乎放棄再重新站了起來，母親，謝謝您這二十多年來無怨無悔， 這一生，已經了無遺憾； 而我的兄長，是這一輩子給予最大影響的人，我們兄 弟來自同樣的背景，有著相似的境遇，彼此相知相惜，有過同樣的挫敗，也曾有 ... See full document

... 驗範圍內之金氧半場效電晶體的次臨限 (subthreshold)特性。第四點，本論文探討了淺 溝渠及熱氧化製程引起的機械應力和金氧半場效電晶體開狀態 (on-state)對於佈局的依 ... See full document

... 眼角泛著淚光，曾幾何時，那本來瘦弱的臂膀已變得強壯而結實，這一切的一切都要感謝照片 中所有人的陪伴、支持與鼓勵。 年輕人右手邊的是他的指導教授 李義明老師，他是帶給照片那位年輕人影響最多的人。 多年的悉心指導、專業知識的傳授、研究方法的推敲、用字遣辭之斟酌以及為學處世待人接物 謹慎積極的態度，讓那位年輕人在治學方法及處世態度上受益良多，尤其是在論文發表時常退 ... See full document

... 感謝眾多的學長帶我進入半導體領域，李名鎮、李介文、張子云、俞正明學 長對我的照顧及協助。也感謝實驗室裡一起研究的夥伴，小強、建豪、楊紹明、 小賢、柏儀、獻德、志仰、家文，以及余俊、任逸、源俊、久盟、松霖、國誠、 伯浩、宗元、梓翔、俊嘉、統億、和錦石，有你們的陪伴與討論實驗過程不再枯 燥乏味而是充滿著歡樂。謝謝你們陪我度過漫長的實驗時間，讓我能以快樂的心 情面對實驗上與生活上的挑戰。 ... See full document

... 位密度變高。但是因為有最低的源集和汲集電阻所以導致有最高的電洞遷移率。為了要 獲得這兩種溫度之下的好處，所以我們認為改變製程的順序或許是個解決的辦法。 接著為了有更好的界面特性以及大尺寸可應用於矽的製程中，我們使用以矽為基板， 利用超高真空化學氣相沉積系統疊上矽鍺的緩衝層、鍺通道，以及不同厚度的矽的保護 ... See full document

... 誌 誌 誌 誌 謝 謝 謝 謝 隨著實驗進度和成果一天一天的完成，也代表在交大校園的碩士生涯將慢慢 地告一段落，雖然在實驗、生活和各方面上協助過我的人許多為一面之緣，但是 你們的熱忱和愛心讓小弟不得不先和你們致上深深的敬意。再來，能順利完成這 個學位，當然要非常地感謝我的兩位指導教授-羅正忠博士及邱碧秀博士，他們 在實驗研究與論文上不但給予充分詳實的指導與鼓勵外，也讓我從他們身上學到 ... See full document

... 箇中滋味真是難以言表，所幸最終完成了既定目標，在這論文即將完 成的時刻，心中充滿著感動。 在研究上，最要感謝的是我的指導教授蘇彬老師。老師在其研究 領域的博學多聞以及對於處理問題的方法，都令我印象深刻且受益頗 豐。其中對學生在研究上的耐心建議與指導，更令我感到敬佩。此外， ... See full document

... 誌 謝 在短短兩年的碩士班研究生涯，首先感謝指導教授 張俊彥校長，在 繁忙的校務工作之餘仍耐心地給予實驗室學生們學術上的指導與勉勵，而 老師寬懷的胸襟與遠見更是我們應當學習的目標。其次感謝國家奈米實驗 室之研究員 簡昭新博士，其認真的研究態度與豐富的知識，令學生受益 匪淺。也感謝國家奈米實驗室裡的工程師與實驗群，由於他們在實驗上的 ... See full document

... 住址：台北縣土城市延峯街 12 巷 9 號 學歷：台北市立松山高中 1996.9~1999.6 國立中興大學 物理學系 1999.9~2003.6 國立交通大學 電子研究所固態組碩士班 2003.9~2005.6 論文題目：具有複晶矽鍺閘極與局部形變通道之 P 型金氧半場效電晶 ... See full document

... NDL 研究員 羅 廣禮博士，不厭其煩地協助我解決在實驗上的許多問題，若是沒有您的幫忙，論文中將 有許多部分難以完成。然而比較遺憾的是，當初我不清楚對於共同研究指導上，必須辦 理一些行政上的手續，因此雖然 羅廣禮博士實是我的共同指導，卻無法將您的大名掛 在論文封面，對於這樣的結果我感到萬分抱歉！於此，我再次的感謝 簡昭欣老師以及 ... See full document

... 目前，利用由製程所造成的單軸應力(uniaxial stress)來改善元件效能已 經被廣泛地使用，例如矽鍺源汲極、接觸孔蝕刻停止層。而採用高載子遷 移率的鍺通道或應變鍺通道，對於未來 CMOS 微縮是必要的。所以研究因 形變而改變的載子傳導帶或價電帶結構是個重要的議題。 ... See full document