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[PDF] Top 20 利用凝膠轉塗佈法製備高介電常數鈦酸鎳閘極介電質層於複晶矽薄膜電晶體之研究

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利用凝膠轉塗佈法製備高介電常數鈦酸鎳閘極介電質層於複晶矽薄膜電晶體之研究

利用凝膠轉塗佈法製備高介電常數鈦酸鎳閘極介電質層於複晶矽薄膜電晶體之研究

... 在此論文裡,利用新穎低溫技術, ... See full document

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利用氟摻雜前處理技術應用於高介電常數閘極介電層薄膜電晶體之研究

利用氟摻雜前處理技術應用於高介電常數閘極介電層薄膜電晶體之研究

... 國立交通大學 子工程學系 子研究所碩士班 摘要 在本論文中,首先,我們在成長薄膜通道後,運用氟離子 ... See full document

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利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究

利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究

... Zirconium silicate films have been shown to be promising candidates for a replacement gate insulator in deep-submicron CMOS technology but a production-worthy deposition technique st[r] ... See full document

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利用溶膠旋轉塗佈法備製鈦酸鈷高介電層

利用溶膠旋轉塗佈法備製鈦酸鈷高介電層

... 再來要感謝博士班陳建豪學長與馬鳴汶學長。除了指導學弟課業上的問題 外,兩位學長更在學弟心中建立起做研究的良好典範;做研究做事情要像建豪學 長一樣全能,動手做實驗要像小馬學長一樣有拼勁!還要感謝郭伯儀學長帶領學 弟縱情山水間,吃遍特殊的台灣道地小吃。也要感謝羅文正學長與吳偉成學 長,大家一起打球、游泳、撞球,倆位學長都會裝軟弱,讓學弟有可怕的自信與 ... See full document

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以溶凝膠法製備矽酸鉿高介電材料

以溶凝膠法製備矽酸鉿高介電材料

... 摘要 本論文利用成功出的二氧化鉿以及薄膜基板 上,並將此薄膜成 Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) ... See full document

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利用金屬嵌入層提升溶膠凝膠法製備之鈦酸鉍薄膜電阻轉態特性

利用金屬嵌入層提升溶膠凝膠法製備之鈦酸鉍薄膜電阻轉態特性

... 其次,謝謝林群傑學長、林志洋學長,在我實驗、課業以及論文上總是給予我很多 實驗內容的建議。而林孟漢學長、吳明錡學長在實驗上更是給我很大的幫助,使我的論 文內容更佳的完,沒有你們的協助,我很難這麼順利畢業。也要感謝姚奕全、王聖裕、 李岱螢這幾位學長在實驗細節上也提供了不少的寶貴意見,以及另外還有莊文仁、詹世 偉、翁啟翔、顏宏全這幾位同學,很感謝有你們這兩年陪伴,使得我兩年的研究生活中 ... See full document

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薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體

薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體

... 國立成功大學 航空太空工程研究所 博士論文 單壁奈米碳管薄膜成長及利用 路相容作 N 型場效研究 Growth Of Single-Walled Carbon Nanotubes Thin Film And Its Patterning As An N-type ... See full document

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閘極介電層於矽通道與鍺通道金氧半場效電晶體之研究

閘極介電層於矽通道與鍺通道金氧半場效電晶體之研究

... 漏流來自載子經由流向源/汲區。另外本文亦發現記憶應力記憶技術會導致 與源/汲的耦合容增加的現象。實驗結果顯示伸張應力導致源/汲的輕 ... See full document

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高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用

高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用

... 子工程系子研究所 摘要 由路元件尺寸的縮微,導致不斷的減少氧化的厚度。然 而,隨而來的流卻使的特性變差,並且使元件消耗的功率變 ... See full document

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利用氮處理改善鈷鈦酸高介電閘極氧化層

利用氮處理改善鈷鈦酸高介電閘極氧化層

... + 植處理,對鈷容結構,進行各種研究。 結果顯示,適當劑量的 N + 植,有助容值的提升,且有減少氧化中 固定荷的趨勢。不過當 N + 植劑量大到 2E15 cm -3 ... See full document

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雙重電漿處理技術應用於具高介電常數閘極絕緣層的金屬-絕緣層-半導體電容及低溫多晶矽薄膜電晶體之特性研究

雙重電漿處理技術應用於具高介電常數閘極絕緣層的金屬-絕緣層-半導體電容及低溫多晶矽薄膜電晶體之特性研究

... 楊志祥學長、陳明聰學長、何柏慶學弟、劉育成學弟等人在學術生活中前前後後 的建議與關懷。感謝同袍黃菘宏同學這些年來的幫助,從碩士班一起直攻博士班 並一起畢業,個性南轅北轍的我們經過六年來的磨合變的默契十足。感謝陳學威 學弟、陳壽賢學弟、張柏鈞學弟、黃柏文學弟及林聖嘉學弟在實驗上的鼎力相助 並且達到教學相長,另外感謝交大子鄭淳護學長以及吳仕傑學長在實驗上的指 導與幫忙,讓我的實驗以及論文可以順利的進行及完成。 ... See full document

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具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究

具有氧化鋁鑭與二氧化矽雙層閘極介電層低操作電壓 非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究

... 也因為這些令人難忘的點點滴滴,豐富了我的碩士班生涯。首先我要感謝我的啟 蒙老師同時也是我的指導老師的荊鳳德教授,有幸進入荊老師的研究團隊確實改 變了我的一生。荊老師不但毫無保留的教導我專業知識外還讓我學習到了為人處 世該有的涵養與態度;此外,也因為荊老師積的與學界、業界合作,讓在學的 我更能了解業界,做好了邁向職場的準,順利接軌,不僅僅順利讓我畢業同時 ... See full document

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高介電常數氧化鐠閘極介電層與新穎結構於複晶矽薄膜電晶體之研究

高介電常數氧化鐠閘極介電層與新穎結構於複晶矽薄膜電晶體之研究

... 感謝曾經指導過我的學長,李名鎮學長、李宗霖學長、王哲麒學長、游信強學長、 謝明山學長、林育賢學長、王獻德學長、郭柏儀學長、陳建豪學長、楊紹明學長、謝 德慶學長、李美錡學姐、賴久盟學長、謝松齡學長、羅韋翔學長、林余俊學長和江國 誠學長,從你們身上學到做實驗的認真態度。感謝鄧至剛學長,在我研究遇到瓶頸時 提供寶貴的意見以及傳授論文撰寫的技巧。感謝同窗好友志仰及任逸,在課業上的砥 ... See full document

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具高介電常數閘極絕緣層之低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

具高介電常數閘極絕緣層之低溫複晶矽薄膜電晶體之研究

... 接下來,聿民要感謝的是指導我的馬鳴汶、江宗育還有葉啟瑞學長,感謝馬鳴汶和 葉啟瑞學長即使已在業界服務,但在忙碌餘還是時關心聿民的實驗進度並給予指 導。聿民最要感謝的是江宗育學長,感謝您從我碩一開始,就不辭辛勞地帶著我進無塵 室做實驗,你總是不厭其煩地跟我反覆解釋每一道程步驟,因為您的悉心指導,讓聿 民對實驗的技巧越來越純熟,做事態度也越來越細心。另外在最後的量測和 data 分析 ... See full document

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具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究

具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究

... 誌謝 在此我要感謝我的指導老師雷添福教授與趙天生教授,在我處人生的徘徊 進退中,給予我最大的幫助與鼓勵。還有在這三年中所給我熱心的指導與教誨, 使我在學術研究及待人處事上獲益匪淺,僅在此表達由衷的感謝意。此外還要 感謝在我進入交大子所博士班時給我鼓勵的桂正媚教授、顏順通教授、徐琅教 授、以及謝太炯教授,由你們的支持與鼓勵,才能使我在內心孤立無援時注入 ... See full document

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具有高介電係數閘極介電層之薄膜電晶體製作及特性研究

具有高介電係數閘極介電層之薄膜電晶體製作及特性研究

... 23. M.-D. Ker, C.-K. Deng, and T.-K Tseng, A. Shih, and S.-C. Yang, “ESD protection device with thick poly film and method for formation the same,” ROC Patent #584953, Apr., 2005. 24. 柯明道、鄧至剛、孫文堂, ... See full document

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具高介電常數閘極絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體可靠度研究

具高介電常數閘極絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體可靠度研究

... 接著,我要特別感謝馬鳴汶學長與江宗育學長。馬學長在我最無助時伸出援 手幫助我,並且細心教導我做實驗及研究,令我受益不少。即使畢業後到業界去 工作,仍不時著關心、指導我,給予我很多幫助,在此衷心的感謝。江學長耐心 的一步步帶著我做實驗,同時也教導我很多研究以外的東西,這一年多來受到你 很多的照顧,亦致上由衷的謝意。此外,感謝王冠迪學長在量測分析方面的指導, ... See full document

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不同高介電常數與傳統低溫介電層應用於低溫複晶矽薄膜電晶體之比較

不同高介電常數與傳統低溫介電層應用於低溫複晶矽薄膜電晶體之比較

... 研 究 生:呂宜憲 Student:Yi-Hsien Lu 指導教授:趙天生 博士 Advisor:Tien-Sheng Chao 簡昭欣 博士 國 立 交 通 大 學 電子物理學系 電子物理研究所 碩士論文 A Thesis. Submitted to Department of Electrophysics Natio[r] ... See full document

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高介電常數閘極介電層材料製備與可靠性分析

高介電常數閘極介電層材料製備與可靠性分析

... reduced leakage current. The values of subthreshold swing of pMOSFETs with HfO 2 gate stack objected various. plasma treatment. It can be found that N 2 O plasma-treated sample shows sm[r] ... See full document

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使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究

使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究

... 使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有 鍺電晶體之研究 The Investigation of GOI MOSFETs using Metal-gate electrodes and High-κ gate-dielectrics.[r] ... See full document

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